陈春兰
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：西安理工大学自动化与信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- ITO与p型SiCGe的接触特性研究
- 本论文利用直流磁控溅射系统在p型SiCGe和载玻片衬底上沉积ITO薄膜.研究不同工艺条件对ITO薄膜方阻、透过率及与p型SiCGe接触特性的影响.结果发现溅射功率为79.2W沉积的ITO薄膜透过率最高,可达88.1566...
- 陈春兰陈治明
- 关键词：欧姆接触ITO磁控溅射
- 文献传递
- Si和6H-SiC衬底上β-FeSi_2薄膜的制备
- 2016年
- 以6H-SiC(0001)Si面和Si(100)为衬底,采用磁控溅射Fe-Si合金靶和Si靶两靶共溅射的方法,并经过后续的快速退火成功制备了β-FeSi2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、拉曼(RAMAN)和电子扫描电镜(SEM)研究了不同衬底对薄膜生长过程的影响。结果表明:与Si衬底不同,6H-SiC为衬底所生长的FeSix薄膜与衬底之间很难产生相互扩散,导致薄膜中的Si原子主要来源于靶材。同时分析不同退火温度对6H-SiC衬底和Si衬底上的FeSix薄膜的影响,并相比较。结果表明:不同衬底Si(100)和6H-SiC(0001)Si面所生长的薄膜经900℃退火时皆完全转化为多晶β-FeSi2相,其择优取向皆为(220)/(202),且随温度从500℃到900℃的不断上升,(220)/(202)衍射峰的强度增强,半高宽变小,得到900℃下的半高宽为0.33°。
- 宁耀斌蒲红斌陈春兰李虹李留臣
- 关键词：SI衬底磁控溅射
- ITO与p型SiCGe的接触特性
- 2007年
- 利用直流磁控溅射系统在p型SiCGe和载玻片衬底上沉积ITO薄膜,并研究其ITO与p型SiCGe的接触特性与p型SiCGe制备条件、退火温度、退火时间的关系.结果表明:p型SiCGe制备条件的不同影响着退火使ITO/p型SiCGe的接触由线性变为非线性或者由非线性变为线性;随着退火温度的增加,接触电阻先减小后增加,这是由于退火过程中,接触界面层发生了反应以及接触势垒高度与宽度发生了变化造成的.当退火温度为500℃时,其接触电阻达到最小值,此时ITO薄膜的最高透过率高达90%,方块电阻为20.6Ω/□.
- 陈春兰陈治明蒲红斌李连碧李佳
- 关键词：接触特性ITO磁控溅射
- SiC衬底上SiCGe外延薄膜的结构
- 2007年
- 用热壁CVD法在6H-SiC衬底上生长了SiCGe三元合金,样品生长呈现出显著的岛状特征.利用SEM,TEM,EDS和PL等分析手段对薄膜进行了特性研究.发现样品包含两种特征相,由随机分布的球形岛和岛周围较平坦的背景区域组成.EDS结果表明两相组分不同:球形岛为高Ge区,组分比大于30%;背景区域Ge含量则低于1%.两种相的生长速率也不相同,在生长时间相同的情况下,背景区较薄,且满布三角形堆垛层错.样品的PL峰位于2.2和2.7eV处.分析认为,这两个峰分别来自球形岛和背景区域的带间辐射复合.
- 李连碧陈治明蒲红斌林涛李佳陈春兰李青民
- 关键词：SICLPCVD
