李虹
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
- 供职机构：西安理工大学自动化与信息工程学院更多>>
- 发文基金：陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- Si和6H-SiC衬底上β-FeSi_2薄膜的制备
- 2016年
- 以6H-SiC(0001)Si面和Si(100)为衬底,采用磁控溅射Fe-Si合金靶和Si靶两靶共溅射的方法,并经过后续的快速退火成功制备了β-FeSi2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、拉曼(RAMAN)和电子扫描电镜(SEM)研究了不同衬底对薄膜生长过程的影响。结果表明:与Si衬底不同,6H-SiC为衬底所生长的FeSix薄膜与衬底之间很难产生相互扩散,导致薄膜中的Si原子主要来源于靶材。同时分析不同退火温度对6H-SiC衬底和Si衬底上的FeSix薄膜的影响,并相比较。结果表明:不同衬底Si(100)和6H-SiC(0001)Si面所生长的薄膜经900℃退火时皆完全转化为多晶β-FeSi2相,其择优取向皆为(220)/(202),且随温度从500℃到900℃的不断上升,(220)/(202)衍射峰的强度增强,半高宽变小,得到900℃下的半高宽为0.33°。
- 宁耀斌蒲红斌陈春兰李虹李留臣
- 关键词：SI衬底磁控溅射
