2024年7月23日
星期二
|
欢迎来到青海省图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置：
专家智库
>
>
刘红涛
作品数：
11
被引量：0
H指数：0
供职机构：
中国科学院微电子研究所
更多>>
相关领域：
自动化与计算机技术
电气工程
更多>>
合作作者
刘明
中国科学院微电子研究所
龙世兵
中国科学院微电子研究所
张美芸
中国科学院微电子研究所
吕杭炳
中国科学院微电子研究所
王国明
中国科学院微电子研究所
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
11篇
中文专利
领域
1篇
电气工程
1篇
自动化与计算...
主题
7篇
存储器
6篇
脉冲
5篇
电压
5篇
RRAM
4篇
中间态
3篇
加载
3篇
擦除
2篇
低阻
2篇
电流
2篇
电路
2篇
电压扫描
2篇
电铸
2篇
氧化物材料
2篇
细丝
2篇
脉冲测试
2篇
脉冲源
2篇
耐久
2篇
耐久性
2篇
绝缘衬底
2篇
编程
机构
11篇
中国科学院微...
作者
11篇
刘琦
11篇
刘红涛
11篇
李阳
11篇
许晓欣
11篇
王国明
11篇
吕杭炳
11篇
张美芸
11篇
龙世兵
11篇
刘明
8篇
王明
6篇
孙鹏霄
4篇
刘若愚
年份
1篇
2018
3篇
2017
1篇
2016
1篇
2015
5篇
2014
共
11
条 记 录，以下是 1-10
全选
清除
导出
排序方式：
相关度排序
被引量排序
时效排序
对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法
本发明公开了一种对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法，该方法包括：判断RRAM存储器当前所处的状态，以确定起始向RRAM存储器加载的脉冲是编程脉冲还是擦除脉冲；连续交替的向RRAM存储器加载编程脉冲和擦除脉冲，并在向...
龙世兵
王国明
张美芸
李阳
许晓欣
刘红涛
吕杭炳
刘琦
刘明
一种有效提高阻变存储器耐久性的方法
本发明公开了一种有效提高阻变存储器耐久性的方法，该方法是在对阻变存储器进行编程操作时，对阻变存储器加载脉冲宽度变化且脉冲高度保持不变的一系列编程小脉冲。利用本发明，可以防止编程过程中，由于脉冲宽度过大，而造成硬击穿，从而...
龙世兵
王国明
张美芸
李阳
许定林
王明
许晓欣
刘红涛
吕杭炳
刘琦
刘明
文献传递
一种对RRAM存储器保持时间参数进行测试的方法
本发明公开了一种对RRAM存储器的保持时间参数进行测试的方法，包括：判断RRAM存储器当前所处的状态，根据RRAM存储器所处状态，给RRAM存储器加载用户设定编程电压或擦除电压；加载编程电压时，通过不断地读取通过RRAM...
龙世兵
王国明
张美芸
李阳
许晓欣
刘红涛
吕杭炳
刘琦
刘明
文献传递
对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法
本发明公开了一种对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法，该方法包括：判断RRAM存储器当前所处的状态，以确定起始向RRAM存储器加载的脉冲是编程脉冲还是擦除脉冲；连续交替的向RRAM存储器加载编程脉冲和擦除脉冲，并在向...
龙世兵
王国明
张美芸
李阳
许晓欣
刘红涛
吕杭炳
刘琦
刘明
文献传递
一种有效提高阻变存储器耐久性的方法
本发明公开了一种有效提高阻变存储器耐久性的方法，该方法是在对阻变存储器进行编程操作时，对阻变存储器加载脉冲宽度变化且脉冲高度保持不变的一系列编程小脉冲。利用本发明，可以防止编程过程中，由于脉冲宽度过大，而造成硬击穿，从而...
龙世兵
王国明
张美芸
李阳
许定林
王明
许晓欣
刘红涛
吕杭炳
刘琦
刘明
文献传递
一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路
本发明公开了一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路，包括半导体参数分析仪、脉冲源、探针平台和双通道示波器，半导体参数分析仪作为控制平台，同时连接于探针台和脉冲源，并通过配置脉冲源参数控制脉冲源的波形；示波器是当脉冲源...
龙世兵
王国明
张美芸
李阳
王明
许晓欣
刘若愚
李丛飞
刘红涛
孙鹏霄
吕杭炳
刘琦
刘明
一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路
本发明公开了一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路，包括半导体参数分析仪、脉冲源、探针平台和双通道示波器，半导体参数分析仪作为控制平台，同时连接于探针台和脉冲源，并通过配置脉冲源参数控制脉冲源的波形；示波器是当脉冲源...
龙世兵
王国明
张美芸
李阳
王明
许晓欣
刘若愚
李丛飞
刘红涛
孙鹏霄
吕杭炳
刘琦
刘明
文献传递
一种制备纳米器件的方法
本发明公开了一种制备纳米器件的方法，包括：在绝缘衬底上沉积一层金属薄膜，形成粘附层；在金属薄膜上沉积一层金属薄膜，形成金属下电极；在金属下电极上沉积一层氧化物材料；在氧化物材料上沉积一层金属薄膜，形成金属上电极；在金属上...
龙世兵
张美芸
王国明
李阳
王明
许晓欣
刘若愚
李丛飞
刘红涛
孙鹏霄
刘琦
吕杭炳
刘明
文献传递
一种降低阻变存储器电铸电压的方法
本发明公开了一种降低阻变存储器电铸电压的方法，该方法是在对阻变存储器进行电铸操作之前，通过阻变存储器的上电极向阻变存储器的阻变功能层施加恒定的小电流，在阻变存储器的阻变功能层中形成部分导电细丝，使阻变存储器处于中间态。之...
龙世兵
王国明
张美芸
李阳
王明
许晓欣
刘红涛
孙鹏霄
吕杭炳
刘琦
刘明
文献传递
一种降低阻变存储器电铸电压的方法
本发明公开了一种降低阻变存储器电铸电压的方法，该方法是在对阻变存储器进行电铸操作之前，通过阻变存储器的上电极向阻变存储器的阻变功能层施加恒定的小电流，在阻变存储器的阻变功能层中形成部分导电细丝，使阻变存储器处于中间态。之...
龙世兵
王国明
张美芸
李阳
王明
许晓欣
刘红涛
孙鹏霄
吕杭炳
刘琦
刘明
文献传递
全选
清除
导出
共2页
<
1
2
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题：
*标题长度不超过50
邮箱：
*
反馈意见：
反馈意见字数长度不超过255
验证码：
看不清楚？点击换一张
