江丰
- 作品数：24 被引量：39H指数：3
- 供职机构：南京航空航天大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划江苏高校优势学科建设工程资助项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>/a-Si异质结太阳能电池及其制备方法
- 本发明一种Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>/a-Si异质结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池器件设计及新材料技术领域。所述的Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>...
- 沈鸿烈江丰王威张磊
- 文献传递
- AIC多晶硅薄膜的制备与其上HWCVD低温外延生长多晶硅薄膜的研究被引量：1
- 2012年
- 铝诱导晶化法(AIC)是一种低温制备大晶粒多晶硅薄膜的重要方法。本文分别基于Al/Al2O3/a-Si叠层和a-Si/SiOx/Al叠层制备了AIC多晶硅薄膜,前者表面粗糙,后者表面光滑。以后者为籽晶层,在其上用HWCVD法300℃低温下外延生长了表面形貌与籽晶层相似的多晶硅薄膜。铝诱导晶化过程中,在原始非晶硅层中会形成多晶硅、非晶硅和铝的混合层,去除铝后残留的硅将使表面粗糙,而在原始铝层中则形成连续的多晶硅薄膜。Al/Al2O3/a-Si叠层和a-Si/SiOx/Al叠层的上层分别是非晶硅层和铝层,发生层交换后,前者上层是硅铝混合层,因此表面粗糙,后者上层是连续的多晶硅薄膜,因此表面光滑。在AIC多晶硅薄膜表面外延生长多晶硅薄膜等效于铝诱导多晶硅的晶核在垂直于薄膜方向上的继续生长,因此外延生长的薄膜与AIC多晶硅薄膜呈现相似的枝晶状形貌。
- 唐正霞沈鸿烈江丰张磊
- 关键词：多晶硅薄膜铝诱导晶化热丝化学气相沉积
- SnS薄膜的两步法制备及其光电性能研究被引量：1
- 2013年
- 用两步法制备了SnS薄膜,首先在玻璃衬底上用磁控溅射法沉积一层Sn薄膜,然后在220℃下加热炉中硫化60min.对该薄膜进行结构、表面形貌和光电性能分析,结果表明:制备的SnS薄膜为p型导电,有明显的(040)方向择优取向;薄膜表面致密,S和Sn原子非常接近化学计量比;薄膜呈现高于5×104 cm-1的吸收系数和持续光电导效应,其直接带隙约为1.23eV,适合作为太阳能电池的吸收层材料和用于制作光敏器件.
- 吉强沈鸿烈江丰王威曾友宏
- 关键词：两步法太阳能电池光电性能
- Bi2S3薄膜及Bi2S3/SnS异质结电池的制备研究
- 采用化学浴沉积法在玻璃衬底上制备了硫化铋(Bi2 S3)薄膜。当在玻璃衬底上先沉积一层硫化亚锡(SnS)缓冲层再沉积Bi2S3薄膜时，所制备Bi2S3薄膜的均匀性及与衬底的粘附力大大提高。其机理可能为Bi2S3不易在玻璃...
- 高超沈鸿烈孙雷江丰
- 关键词：电学性能玻璃衬底
- 文献传递
- 准单晶硅薄膜的制备与太阳能电池研究
- 本文介绍用低压化学气相沉积方法在双层多孔硅上外延生长准单晶硅薄膜并进而制备太阳能电池的研究结果。首先采用电化学腐蚀的方法制备了双层多孔硅，研究了两步阳极氧化法形成不同孔隙率的双层多孔硅层的机制和不同温度下多孔硅衬底对外延...
- 沈鸿烈蔡红岳之浩张磊江丰鲁林峰唐正霞
- 关键词：化学气相沉积硅太阳能电池
- 文献传递
- 变温退火制备铝诱导大晶粒多晶硅薄膜的机理研究被引量：3
- 2010年
- 为了缩短铝诱导法制备大晶粒多晶硅薄膜的退火时间,用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了a-Si/SiO2/Al叠层膜,并用两种方法进行变温退火.分析了变温退火工艺对铝诱导晶化过程的影响,着重讨论了退火过程中温度由低温升到高温时不形成小晶粒的机理和条件.研究表明,当退火温度升高时,是否形成小晶粒取决于晶粒半径、耗尽层厚度和相邻晶粒间距三者之间的关系.
- 唐正霞沈鸿烈江丰方茹鲁林峰黄海宾蔡红
- 关键词：多晶硅铝诱导晶化
- 工作气压对室温溅射柔性AZO薄膜性能的影响被引量：3
- 2010年
- 采用射频磁控溅射法在PEN衬底上室温制备了AZO薄膜,并对不同工作气压下(0.05～0.4Pa)沉积薄膜的结构及光电性能进行了研究。结果表明,薄膜具有良好的c轴择优取向,随工作气压增大,薄膜(002)峰强度减弱,晶粒减小,表面粗糙度增大,电学性能下降,薄膜可见光透过率变化不大,但禁带宽度变窄。与玻璃衬底相比,PEN衬底上沉积的AZO薄膜拥有更高的品质因数,获得的最佳电阻率、载流子浓度和霍尔迁移率分别为1.11×10-3Ω.cm、4.14×1020cm-3和13.60cm2/(V.s),该薄膜可见光的绝对透射率达到95.7%。
- 张惠沈鸿烈鲁林峰江丰冯晓梅
- 关键词：AZO薄膜磁控溅射工作气压
- 沉积气压对纳米晶硅薄膜晶化率与电输运性能的影响被引量：1
- 2013年
- 采用热丝化学气相沉积法在不同气压(1～8 Pa)下沉积了p型纳米晶硅薄膜,研究了沉积气压对薄膜晶化率和电输运性能的影响。结果表明,薄膜的晶化率和平均晶粒尺寸随沉积气压升高而增大,而当沉积气压超过6 Pa后,薄膜的晶化率和平均晶粒尺寸会减小。当沉积气压由1 Pa升高到2 Pa时,BH3粒子迅速增多,且吸附方式是化学吸附,因而载流子浓度从8.9×1018cm-3迅速增大到6.252×1020cm-3。此时电导率从1.08 S/cm显著增加到29.5 S/cm,而电导激活能则从95.8meV急剧减小至18.6 meV,这是硼杂质掺杂浓度和薄膜的晶化率迅速增大所致。
- 潘园园沈鸿烈张磊吴天如江丰
- 关键词：热丝化学气相沉积晶化率
- Al_2O_3过渡层厚度对AZO薄膜性能的影响研究被引量：1
- 2010年
- 采用磁控溅射法,在预先沉积了Al2O3过渡层的玻璃衬底上制备了性能优良的AZO薄膜。借助XRD、AFM、四探针仪和分光光度计对AZO薄膜的结构、表面形貌以及电学和光学性质进行了表征,并研究了Al2O3过渡层厚度对AZO薄膜性能的影响。结果表明:Al2O3过渡层的添加对AZO薄膜的表面形貌有一定影响;AZO薄膜的结晶质量随着过渡层厚度的增加先上升后下降;AZO薄膜的电阻率因过渡层的添加而明显降低,特别是在AZO薄膜较薄时;在添加了1～3 nm厚的过渡层后,160 nm厚的AZO薄膜的电阻率下降了44%左右;AZO薄膜的可见光透射率和光学带隙基本不受过渡层影响。
- 江丰沈鸿烈鲁林峰杨超罗军
- 关键词：AZO磁控溅射电阻率透射率
- 化学浴法制备CdS薄膜及其光电性能研究被引量：5
- 2013年
- 本文用氯化镉、氯化铵、硫脲和氨水的溶液体系采用化学浴沉积法合成CdS薄膜,制备出均匀、致密的CdS薄膜,通过XRD、SEM、EDS、紫外可见吸收光谱等表征手段研究了CdS薄膜的晶体结构,表面形貌,元素比例和光电性能。发现在不同水浴温度下都成功制备了CdS薄膜,其中75℃制备的CdS薄膜最为均匀致密且其XRD衍射峰强度最强,光吸收边在500 nm附近,禁带宽度大约为2.52 eV。这些CdS薄膜的光电响应大,暗态及光照下的电导率分别为1×10-4S.cm-1和1.04×10-2S.cm-1。用它们制备的CdS/CZTS异质结太阳电池具有明显的光伏效应。
- 焦静沈鸿烈王威江丰
- 关键词：CDS薄膜光吸收光电响应电导率
