江丰
- 作品数：24 被引量：42H指数：4
- 供职机构：南京航空航天大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划江苏高校优势学科建设工程资助项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>/a-Si异质结太阳能电池及其制备方法
- 本发明一种Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>/a-Si异质结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池器件设计及新材料技术领域。所述的Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>...
- 沈鸿烈江丰王威张磊
- 文献传递
- AIC多晶硅薄膜的制备与其上HWCVD低温外延生长多晶硅薄膜的研究被引量：1
- 2012年
- 铝诱导晶化法(AIC)是一种低温制备大晶粒多晶硅薄膜的重要方法。本文分别基于Al/Al2O3/a-Si叠层和a-Si/SiOx/Al叠层制备了AIC多晶硅薄膜,前者表面粗糙,后者表面光滑。以后者为籽晶层,在其上用HWCVD法300℃低温下外延生长了表面形貌与籽晶层相似的多晶硅薄膜。铝诱导晶化过程中,在原始非晶硅层中会形成多晶硅、非晶硅和铝的混合层,去除铝后残留的硅将使表面粗糙,而在原始铝层中则形成连续的多晶硅薄膜。Al/Al2O3/a-Si叠层和a-Si/SiOx/Al叠层的上层分别是非晶硅层和铝层,发生层交换后,前者上层是硅铝混合层,因此表面粗糙,后者上层是连续的多晶硅薄膜,因此表面光滑。在AIC多晶硅薄膜表面外延生长多晶硅薄膜等效于铝诱导多晶硅的晶核在垂直于薄膜方向上的继续生长,因此外延生长的薄膜与AIC多晶硅薄膜呈现相似的枝晶状形貌。
- 唐正霞沈鸿烈江丰张磊
- 关键词：多晶硅薄膜铝诱导晶化热丝化学气相沉积
- SnS薄膜的两步法制备及其光电性能研究被引量：1
- 2013年
- 用两步法制备了SnS薄膜,首先在玻璃衬底上用磁控溅射法沉积一层Sn薄膜,然后在220℃下加热炉中硫化60min.对该薄膜进行结构、表面形貌和光电性能分析,结果表明:制备的SnS薄膜为p型导电,有明显的(040)方向择优取向;薄膜表面致密,S和Sn原子非常接近化学计量比;薄膜呈现高于5×104 cm-1的吸收系数和持续光电导效应,其直接带隙约为1.23eV,适合作为太阳能电池的吸收层材料和用于制作光敏器件.
- 吉强沈鸿烈江丰王威曾友宏
- 关键词：两步法太阳能电池光电性能
- Bi2S3薄膜及Bi2S3/SnS异质结电池的制备研究
- 采用化学浴沉积法在玻璃衬底上制备了硫化铋(Bi2 S3)薄膜。当在玻璃衬底上先沉积一层硫化亚锡(SnS)缓冲层再沉积Bi2S3薄膜时，所制备Bi2S3薄膜的均匀性及与衬底的粘附力大大提高。其机理可能为Bi2S3不易在玻璃...
- 高超沈鸿烈孙雷江丰
- 关键词：电学性能玻璃衬底
- 文献传递
- 准单晶硅薄膜的制备与太阳能电池研究
- 本文介绍用低压化学气相沉积方法在双层多孔硅上外延生长准单晶硅薄膜并进而制备太阳能电池的研究结果。首先采用电化学腐蚀的方法制备了双层多孔硅，研究了两步阳极氧化法形成不同孔隙率的双层多孔硅层的机制和不同温度下多孔硅衬底对外延...
- 沈鸿烈蔡红岳之浩张磊江丰鲁林峰唐正霞
- 关键词：化学气相沉积硅太阳能电池
- 文献传递
- 化学浴法制备CdS薄膜及其光电性能研究被引量：5
- 2013年
- 本文用氯化镉、氯化铵、硫脲和氨水的溶液体系采用化学浴沉积法合成CdS薄膜,制备出均匀、致密的CdS薄膜,通过XRD、SEM、EDS、紫外可见吸收光谱等表征手段研究了CdS薄膜的晶体结构,表面形貌,元素比例和光电性能。发现在不同水浴温度下都成功制备了CdS薄膜,其中75℃制备的CdS薄膜最为均匀致密且其XRD衍射峰强度最强,光吸收边在500 nm附近,禁带宽度大约为2.52 eV。这些CdS薄膜的光电响应大,暗态及光照下的电导率分别为1×10-4S.cm-1和1.04×10-2S.cm-1。用它们制备的CdS/CZTS异质结太阳电池具有明显的光伏效应。
- 焦静沈鸿烈王威江丰
- 关键词：CDS薄膜光吸收光电响应电导率
- Cu_2ZnSnS_4薄膜光电性能及其太阳电池的制备和研究被引量：4
- 2012年
- 采用硫化Zn/Sn/Cu金属多层膜的方法制备了太阳电池吸收层用的Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜。用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、紫外-可见近红外分光光度计、扫描电镜、能谱仪及数字源表等对薄膜进行了一系列的表征。结果表明制备的CZTS薄膜没有杂相存在并具有标准拉曼峰。薄膜在可见光范围内的吸收系数>104cm-1,同时其光学带隙接近1.5eV。CZTS薄膜具有均匀致密的表面形貌,薄膜元素比例非常接近标准化学计量比。此外,CZTS薄膜呈现显著的光电流响应性能,其光电流的激发和衰减时间分别为0.0736和0.2646s。
- 江丰沈鸿烈金佳乐王威
- 关键词：太阳电池CZTS光电性能
- 射频磁控溅射法制备AZO/p-Si异质结及其性能研究
- 2011年
- 利用射频磁控溅射法,在p-Si衬底上生长了Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜,并进而制备了AZO/p-Si异质结。X射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计、四探针测试仪和霍尔效应测试仪测量表明,AZO薄膜具有良好的结晶质量、光学和电学特性。暗态下的I-V测试表明,AZO/p-Si异质结具有较好的整流特性,反向饱和电流为1.29×10-6A,±2V处的正向和反向电流之比为229.41,计算得出异质结的理想因子为2.28。在标准光照下AZO/p-Si异质结呈现出明显的光生伏特效应,这种异质结太阳电池具有2.51%的光电转换效率。
- 刘斌沈鸿烈岳之浩江丰冯晓梅潘园园
- 关键词：射频磁控溅射I-V特性
- Cu_2ZnSnS_4薄膜及其太阳电池的研究进展被引量：6
- 2011年
- Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜材料成本低廉且无毒,其电学性能主要由自身所含的缺陷决定,一般呈p型导电性。CZTS的禁带宽度为1.5eV左右,在可见光范围内的光学吸收系数一般都大于104 cm-1,所以其非常适合作为太阳电池的吸收层。经过国内外学者10余年的努力,CZTS太阳电池光电转换效率提升明显。相信不久的将来,CZTS薄膜电池必将得到广泛的应用。主要介绍了CZTS材料的制备方法、CZTS材料性能和CZTS太阳电池的研究进展。
- 江丰沈鸿烈
- 关键词：CZTS太阳电池
- 背面刻蚀对单晶硅太阳电池性能影响的研究
- 2011年
- 为了减少太阳电池载流子的背面复合,采用离子束对沉积完S iNx减反射膜后的单面扩散和双面扩散的单晶硅片背面进行刻蚀,研究了刻蚀时间对太阳电池性能的影响。采用标准的太阳电池单片测试仪测试电池性能。发现背面经离子束刻蚀后,单面扩散和双面扩散电池片的并联电阻、开路电压、填充因子和转换效率都有所提高,而串联电阻和短路电流的变化则不是很明显。本实验采用的是Ⅱ类单晶硅片,单面扩散电池片通过背面刻蚀后最高转换效率达到15.99%,比不刻蚀样品增加了0.69%;双面扩散电池片通过背面刻蚀后最高转换效率则达到16.4%,比不刻蚀样品增加了0.68%。
- 杨超沈鸿烈吴京波陈海力江丰李斌斌
- 关键词：太阳电池离子束刻蚀开路电压填充因子
