唐正霞
- 作品数：22 被引量：33H指数：3
- 供职机构：金陵科技学院材料工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术文化科学电子电信更多>>
- 变温退火制备铝诱导大晶粒多晶硅薄膜的机理研究被引量：3
- 2010年
- 为了缩短铝诱导法制备大晶粒多晶硅薄膜的退火时间,用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了a-Si/SiO2/Al叠层膜,并用两种方法进行变温退火.分析了变温退火工艺对铝诱导晶化过程的影响,着重讨论了退火过程中温度由低温升到高温时不形成小晶粒的机理和条件.研究表明,当退火温度升高时,是否形成小晶粒取决于晶粒半径、耗尽层厚度和相邻晶粒间距三者之间的关系.
- 唐正霞沈鸿烈江丰方茹鲁林峰黄海宾蔡红
- 关键词：多晶硅铝诱导晶化
- 准单晶硅薄膜的制备与太阳能电池研究
- 本文介绍用低压化学气相沉积方法在双层多孔硅上外延生长准单晶硅薄膜并进而制备太阳能电池的研究结果。首先采用电化学腐蚀的方法制备了双层多孔硅，研究了两步阳极氧化法形成不同孔隙率的双层多孔硅层的机制和不同温度下多孔硅衬底对外延...
- 沈鸿烈蔡红岳之浩张磊江丰鲁林峰唐正霞
- 关键词：化学气相沉积硅太阳能电池
- 文献传递
- Fe/Si多层膜经快速热退火合成β-FeSi_2薄膜的研究被引量：1
- 2010年
- 采用磁控溅射仪在高阻Si(100)衬底上沉积了[Fe(0.5nm)/Si(1.6nm)]120和[Fe(1nm)/Si(3.2nm)]60多层膜,并在Ar气气氛下进行了1000℃,10s的快速热退火。为了比较,也进行了880℃,30min的常规退火。采用X射线衍射仪、原子力显微镜、光谱仪和霍尔效应仪分析了样品的晶体结构、表面形貌、光吸收特性和电学性能。结果表明:Fe/Si多层膜法合成的样品均为β-FeSi2相且在(220)/(202)方向择优生长;经快速热退火合成的β-FeSi2薄膜光学带隙约为0.9 eV。[Fe(1nm)/Si(3.2nm)]60多层膜经快速热退火合成的β-FeSi2薄膜表面粗糙度最小,该薄膜样品为p型导电,载流子浓度为4.1×1017cm-3,迁移率为48cm2/V.s。
- 郭艳沈鸿烈张娟唐正霞鲁林峰
- 关键词：Β-FESI2快速热退火磁控溅射
- AIC多晶硅薄膜的制备与其上HWCVD低温外延生长多晶硅薄膜的研究被引量：1
- 2012年
- 铝诱导晶化法(AIC)是一种低温制备大晶粒多晶硅薄膜的重要方法。本文分别基于Al/Al2O3/a-Si叠层和a-Si/SiOx/Al叠层制备了AIC多晶硅薄膜,前者表面粗糙,后者表面光滑。以后者为籽晶层,在其上用HWCVD法300℃低温下外延生长了表面形貌与籽晶层相似的多晶硅薄膜。铝诱导晶化过程中,在原始非晶硅层中会形成多晶硅、非晶硅和铝的混合层,去除铝后残留的硅将使表面粗糙,而在原始铝层中则形成连续的多晶硅薄膜。Al/Al2O3/a-Si叠层和a-Si/SiOx/Al叠层的上层分别是非晶硅层和铝层,发生层交换后,前者上层是硅铝混合层,因此表面粗糙,后者上层是连续的多晶硅薄膜,因此表面光滑。在AIC多晶硅薄膜表面外延生长多晶硅薄膜等效于铝诱导多晶硅的晶核在垂直于薄膜方向上的继续生长,因此外延生长的薄膜与AIC多晶硅薄膜呈现相似的枝晶状形貌。
- 唐正霞沈鸿烈江丰张磊
- 关键词：多晶硅薄膜铝诱导晶化热丝化学气相沉积
- 100μm大晶粒多晶硅薄膜的铝诱导法制备被引量：11
- 2010年
- 以Corning Eagle 2000玻璃为衬底,用磁控溅射法制备了glass/a-Si/Si O2/Al叠层结构,于Ar气保护下退火,制备了具有很强的(111)择优取向,最大晶粒尺寸达100μm的铝诱导晶化多晶硅薄膜。研究结果表明,非晶硅的氧化时间越长,所制备的多晶硅晶粒尺寸越大,当氧化时间达约47h后,再延长氧化时间对薄膜性能的影响不明显。还发现退火温度越高,晶粒越小,但是反应速率越快。
- 唐正霞沈鸿烈解尧鲁林峰江枫沈剑沧
- 关键词：多晶硅铝诱导晶化
- 铝诱导多晶硅薄膜的制备、性能及生长机理研究
- 多晶硅薄膜是公认的最理想的高效率,低衰减的光伏器件材料之一。铝诱导晶化法是一种在玻璃等廉价衬底上低温制备大晶粒、高结晶质量的多晶硅薄膜的新方法。但是在研究过程中,人们发现铝诱导法制备的多晶硅薄膜表面易生成含有很多缺陷的硅...
- 唐正霞
- 关键词：多晶硅薄膜拉曼光谱晶粒尺寸
- 硒化温度对Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜性能影响的研究
- 2022年
- 为了探索环保低成本的薄膜太阳电池吸收层材料的制备工艺,以水为前驱体溶剂,采用喷雾热解法制备Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜,研究硒化温度对薄膜的物相结构、微观形貌、光学性能和光电化学性能的影响。结果表明随着硒化温度的升高,薄膜的结晶度提高,Sb_(2)(S,Se)_(3)的带隙值从1.74 eV降低到1.56 eV。硒化温度300℃时的薄膜较其他硒化温度下的薄膜具有更强的光电流响应。
- 赵毅杰盛钦阳唐正霞胡瑶瑶崔杨丽王威
- 关键词：喷雾热解法光电性能
- 多孔硅在高温退火过程中结构变化的研究被引量：2
- 2010年
- 采用电化学腐蚀的方法制备了不同孔径的多孔硅薄膜样品,并在1050℃高温下进行了退火。采用扫描电镜和拉曼光谱对多孔硅退火前后结构的变化进行了观察,根据晶体形核理论分析了孔径变化的机理,并从热力学角度对其微观机制进行了讨论。实验和理论分析的结果均表明,多孔硅的初始孔径存在一个临界值,初始孔径小于此临界值时,孔在高温退火中有收缩的趋势;反之,初始孔径大于此临界值时,孔有变大的趋势。
- 蔡红沈鸿烈黄海宾唐正霞鲁林峰沈剑沧
- 关键词：多孔硅高温退火拉曼谱
- 热丝CVD法在单晶硅衬底上低温外延生长Si和Ge薄膜的研究被引量：6
- 2010年
- 采用热丝CVD法在单晶Si衬底上进行了Si和Ge薄膜的低温外延生长,用XRD和Raman谱对其结构性能进行了分析。结果表明:在衬底温度200℃时,Si(111)单晶衬底上外延生长出了Raman峰位置为521.0cm-1;X射线半峰宽(FWHM)为5.04cm-1。结晶质量非常接近于体单晶的(111)取向的本征Si薄膜;在衬底温度为300℃时,在Si(100)单晶衬底上异质外延,得到了Raman峰位置为300.3cm-1的Ge薄膜,Ge薄膜的晶体取向为Ge(220)。研究表明热丝CVD是一种很好的低温外延薄膜的方法。
- 黄海宾沈鸿烈唐正霞吴天如张磊
- 氧化铝膜对铝诱导制备多晶硅薄膜的影响被引量：9
- 2010年
- 为了考察硅铝界面氧化铝膜对铝诱导多晶硅的影响,本文用磁控溅射方法制备了界面有无氧化铝膜的硅铝复合结构。XRD测试表明两种铝诱导方法均制备了具有(111)高度择优取向的多晶硅薄膜。光学显微镜和扫描电镜照片显示,有氧化铝膜时铝诱导的多晶硅薄膜有两层,下层为大晶粒(40μm-60μm)枝晶状多晶硅,拉曼谱显示其结晶质量接近单晶,而上层膜晶粒较小,结晶质量较差。无氧化铝膜时铝诱导的多晶硅薄膜只有单层结构,其晶体结构和结晶质量都与有氧化铝膜时铝诱导的上层多晶硅薄膜相似。结果表明,硅铝界面上氧化铝的存在大大提高了铝诱导多晶硅薄膜的质量,但是另一方面也限制了铝诱导多晶硅的晶化速率。
- 唐正霞沈鸿烈鲁林峰黄海宾蔡红沈剑沧
- 关键词：铝诱导晶化多晶硅氧化铝膜
