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王勤华

作品数：3 被引量：5H指数：2
供职机构：复旦大学物理学系李政道物理学综合实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划基础研究重大项目前期研究专项更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇半导体
  • 1篇钝化
  • 1篇锗硅
  • 1篇锗硅合金
  • 1篇特性分析
  • 1篇量子阱结构
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇半导体材料
  • 1篇SI(100...
  • 1篇硼
  • 1篇C-V特性
  • 1篇C-V

机构

  • 3篇复旦大学

作者

  • 3篇陆昉
  • 3篇王勤华
  • 2篇龚大卫
  • 2篇王建宝
  • 1篇崔堑
  • 1篇张翔九
  • 1篇杨小平
  • 1篇王迅
  • 1篇吕宏强
  • 1篇盛篪
  • 1篇卫星

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1993
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
锗硅量子阱异质界面附近缺陷研究
1995年
用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了量子阱样品价中载流子的热发射和异质界面附近的深能级缺陷，得到Ｓｉ０．６７Ｇｅ０．３３／Ｓｉ单量子样品的能带偏移为０．２４ｅＶ．量子阱异质界面附近高浓度的深能级缺陷在样品的ＤＬＴＳ谱上形成一少于峰，该信号只有当测量的脉冲宽度足够大时才能检测到．对比不；司组分相同结构的多量子阱样品发现，组分大时异质界面的深能级缺陷浓度大，因此它可能是失配应变或位错引起的．相应的光致发光谱（ＰＬ）测试结果表明该深能级缺陷还会导致ＰＬ谱中合金层的带边激子峰的湮灭．
王勤华陆昉龚大卫王建宝孙恒慧
关键词：锗硅合金半导体
结区中存在量子阱结构样品的C－V特性分析被引量：3
1996年
对不同组分、阱宽和垒宽的锗硅单量子阱和多量子阶样品的Ｃ－Ｖ特性及其与温度的关系进行了测量，并用数值方法解油松方程模拟计算了单量子阱样品的Ｃ－Ｖ特性及其Ｃ－Ｖ载流于浓度分布．实验和模拟计算的结果均表明，Ｃ－Ｖ载流子浓度分布在量子阱位置有一个浓度较高的峰值，它反映了被限制在阱中的载流子的积累，峰高随着量子阶异质界面的能带偏移的增加而增加．低温时由于阱中载流子的热发射几率变小，阱中载流于浓度的变化跟不上测试电压的频率，造成电容值显著变小．
陆昉王勤华王建宝蒋家禹孙恒慧
关键词：量子阱结构C-V特性半导体材料
用氢钝化Si(100)面抑制分子束处延界面的硼尖峰被引量：2
1993年
采用一种新的简便的氢钝化方法,可以在Si(100)衬底表面获得稳定的钝化层。用俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED),C-V和二次离子质谱(SIMS)等方法对衬底表面及其上面生长的分子束外延层进行检测,发现这种方法可以有效地防止衬底表面被碳、氧沾污,降低退火温度至少200℃,并完全消除外延层与Si(100)衬底界面处的高浓度硼尖峰。在此基础上,结合衬底表面锗束处理的实验结果,对硼尖峰的主要来源是由于硅衬底表面的氧化层这一观点提供了新的有力证据。
卫星龚大卫杨小平吕宏强崔堑盛篪张翔九王迅王勤华陆昉孙恒慧
关键词：分子束外延钝化
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