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文献类型

  • 16篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 7篇衬底
  • 6篇硅衬底
  • 6篇HEMT器件
  • 4篇抛光
  • 4篇化学抛光
  • 4篇SI基
  • 3篇缓冲层
  • 3篇硅基
  • 3篇GAAS材料
  • 2篇电子器件
  • 2篇淀积
  • 2篇氧化硅
  • 2篇砷化镓
  • 2篇砷化镓材料
  • 2篇生长势
  • 2篇生长温度
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇势垒
  • 2篇外延层
  • 2篇微电子

机构

  • 16篇中国科学院

作者

  • 16篇潘教青
  • 16篇米俊萍
  • 14篇于红艳
  • 14篇周旭亮
  • 12篇李士颜
  • 12篇李梦珂
  • 4篇王圩
  • 2篇于鸿艳
  • 2篇王宝军
  • 2篇边静
  • 2篇丁颖
  • 2篇王火雷

年份

  • 5篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 7篇2013
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
在Si基上制备InP基HEMT的方法
本发明公开了一种在Si基上制备InP基HEMT的方法,包括步骤S1:在硅衬底上生长SiO<Sub>2</Sub>层;步骤S2:刻蚀所述SiO<Sub>2</Sub>层,以在该SiO<Sub>2</Sub>层上形成多个沟槽...
李士颜周旭亮于鸿艳李梦珂米俊萍潘教青
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分布反馈式激光器及其制备方法
本发明提供了一种分布反馈式激光器及其制备方法。该分布反馈式激光器包括:N型GaAs衬底;以及依次沉积于N型GaAs衬底上的N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs下限制层、有源区、P型AlGaAs上限制层。其中,P型AlGa...
王火雷米俊萍于红艳丁颖王宝军边静王圩潘教青
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ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法
一种ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法,包括以下步骤:在硅衬底上生长二氧化硅层;采用全息曝光和ICP的方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的&lt;110&gt;方向刻蚀出多个沟槽;分别用piranha、SC<S...
李梦珂周旭亮于红艳李士颜米俊萍潘教青
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高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法
一种高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法,包括以下步骤:步骤1:在硅衬底上生长锗层;步骤2:将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中,进行第一次退火;步骤3:在锗层上依次生长低温砷化镓成核层和高温砷化镓层,形成...
周旭亮于红艳米俊萍潘教青王圩
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一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种可用于硅基集成的HEMT器件的制作方法及相应的HEMT器件,所述方法通过在锗上生长掺Fe的GaInP作为半绝缘层,生长GaInP作为缓冲层,在GaInP缓冲层上再制作HEMT器件。本发明可以有效地解决HE...
米俊萍周旭亮于红艳李梦珂李士颜潘教青
低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法
一种低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法,包括以下步骤:步骤1:在硅衬底上生长锗层;步骤2:将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中,进行第一次退火;步骤3:在锗层上依次生长低温砷化镓成核层和高温砷化镓层,形成样品;...
周旭亮于红艳米俊萍潘教青王圩
文献传递
在Si基上制备InP基HEMT的方法
本发明公开了一种在Si基上制备InP基HEMT的方法,包括步骤S1:在硅衬底上生长SiO<Sub>2</Sub>层;步骤S2:刻蚀所述SiO<Sub>2</Sub>层,以在该SiO<Sub>2</Sub>层上形成多个沟槽...
李士颜周旭亮于鸿艳李梦珂米俊萍潘教青
文献传递
在硅上集成HEMT器件的方法
一种在硅上集成HEMT器件的方法,包括以下步骤:步骤1:采用UHVCVD方法,在硅衬底上生长锗层;步骤2:将生长有锗层的硅衬底放入MOCVD反应室进行高温处理;步骤3:采用低压MOCVD的方法,在锗层上外延生长掺铁的半绝...
米俊萍周旭亮于红艳李梦珂李士颜潘教青
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NMOS器件及其制备方法
本发明公开了一种制备NMOS器件的方法和相应的NMOS器件,所述包括:步骤S1、选择&lt;100&gt;向&lt;111&gt;方向偏离6°~10°的硅衬底,并在此硅衬底上生长SiO<Sub>2</Sub>层;步骤S2...
李梦珂周旭亮于红艳李士颜米俊萍潘教青
文献传递
在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法
一种在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法,包括以下步骤:在硅衬底上生长二氧化硅层;采用光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的方向刻蚀出多个沟槽;分别用piranha、SC<Sub>2</Sub>、HF和去离子水...
李士颜周旭亮于红艳李梦珂米俊萍潘教青
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共2页<12>
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