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文献类型

  • 20篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 7篇硅基
  • 6篇硅衬底
  • 6篇HEMT器件
  • 6篇衬底
  • 4篇抛光
  • 4篇化学抛光
  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 4篇NMOS器件
  • 4篇SI基
  • 4篇
  • 3篇氧化硅
  • 3篇二氧化硅
  • 3篇GAAS材料
  • 2篇电极
  • 2篇淀积
  • 2篇多波长
  • 2篇多模
  • 2篇阵列
  • 2篇砷化镓

机构

  • 20篇中国科学院

作者

  • 20篇周旭亮
  • 20篇潘教青
  • 20篇李梦珂
  • 18篇于红艳
  • 12篇李士颜
  • 12篇米俊萍
  • 6篇王圩
  • 2篇戴兴
  • 2篇于鸿艳

年份

  • 2篇2017
  • 6篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 8篇2013
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种可用于硅基集成的HEMT器件的制作方法及相应的HEMT器件,所述方法通过在锗上生长掺Fe的GaInP作为半绝缘层,生长GaInP作为缓冲层,在GaInP缓冲层上再制作HEMT器件。本发明可以有效地解决HE...
米俊萍周旭亮于红艳李梦珂李士颜潘教青
ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法
一种ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法,包括以下步骤:在硅衬底上生长二氧化硅层;采用全息曝光和ICP的方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的&lt;110&gt;方向刻蚀出多个沟槽;分别用piranha、SC<S...
李梦珂周旭亮于红艳李士颜米俊萍潘教青
文献传递
ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法
一种ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法,包括以下步骤:在硅衬底上生长二氧化硅层;采用全息曝光和ICP的方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的&lt;110&gt;方向刻蚀出多个沟槽;分别用piranha、SC<S...
李梦珂周旭亮于红艳李士颜米俊萍潘教青
文献传递
多波长硅基混合集成slot激光器阵列及其制备方法
一种多波长硅基混合集成slot激光器阵列及其制备方法,多波长硅基混合集成slot激光器阵列包括硅基波导结构及键合在所述硅基波导结构上的多模半导体增益激光器阵列,其中,所述硅基波导结构包括硅基衬底以及设置在所述硅基衬底上的...
戴兴李梦珂李雅博周旭亮于红艳潘教青
文献传递
在Si基上制备InP基HEMT的方法
本发明公开了一种在Si基上制备InP基HEMT的方法,包括步骤S1:在硅衬底上生长SiO<Sub>2</Sub>层;步骤S2:刻蚀所述SiO<Sub>2</Sub>层,以在该SiO<Sub>2</Sub>层上形成多个沟槽...
李士颜周旭亮于鸿艳李梦珂米俊萍潘教青
文献传递
一种硅基微腔激光器的制作方法
本发明公开了一种硅基微腔激光器的制作方法,包括以下步骤:在硅衬底正面,采用超高真空化学气相沉积方法外延锗层;将外延有锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中,并先后分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层;将高温砷化镓层表面抛光...
周旭亮于红艳李梦珂潘教青王圩
文献传递
硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法
一种硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法,包括:在清洗好的硅衬底上生长锗层;在锗层上依次生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层;对高温砷化镓层的表面进行抛光;退火后生长MOSFET结构,该MOSFET结构包...
周旭亮于红艳李梦珂潘教青王圩
文献传递
一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法
本发明公开了一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法,包括以下步骤:步骤1:在硅衬底上,生长锗层;步骤2:将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中,分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层;步骤3:停止生长,更换衬底舟...
周旭亮于红艳李梦珂潘教青王圩
文献传递
在Si基上制备InP基HEMT的方法
本发明公开了一种在Si基上制备InP基HEMT的方法,包括步骤S1:在硅衬底上生长SiO<Sub>2</Sub>层;步骤S2:刻蚀所述SiO<Sub>2</Sub>层,以在该SiO<Sub>2</Sub>层上形成多个沟槽...
李士颜周旭亮于鸿艳李梦珂米俊萍潘教青
文献传递
多波长硅基混合集成slot激光器集成光源及其制备方法
一种多波长硅基混合集成slot激光器集成光源及其制备方法,多波长硅基混合集成slot激光器集成光源包括硅基波导结构及键合在所述硅基波导结构上的多模半导体增益激光器阵列,其中,所述硅基波导结构包括:硅基衬底,n条波导通道,...
戴兴李梦珂李雅博李召松周旭亮于红艳潘教青
文献传递
共2页<12>
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