胡靖
- 作品数：7 被引量：4H指数：1
- 供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家科技攻关计划更多>>
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- 不同HALO掺杂剂量的超薄栅pMOSFET的退化(英文)
- 2004年
- 研究了热载流子应力下栅厚为 2 .1nm ,栅长为 0 .135μm的 p MOSFET中 HAL O掺杂剂量与器件的退化机制和参数退化的关系 .实验发现 ,器件的退化机制对 HAL O掺杂剂量的改变不敏感 ,但是器件的线性漏电流、饱和漏电流、最大跨导的退化随着 HAL O掺杂剂量的增加而增加 .实验同时发现 ,器件参数的退化不仅与载流子迁移率的退化、漏串联电阻增大有关 ,而且与阈值电压的退化和应力前阈值电压有关 .
- 赵要胡靖许铭真谭长华
- 关键词：热载流子PMOS器件HALO结构
- 开态热载流子应力下的 n-MOSFETs的氧化层厚度效应(英文)
- 2002年
- 在最大衬底电流条件下 (Vg=Vd/ 2 ) ,研究了不同氧化层厚度的表面沟道 n- MOSFETs在热载流子应力下的退化 .结果表明 ,Hu的寿命预测模型的两个关键参数 m与 n氧化层厚度有着密切关系 .此外 ,和有着线性关系 ,尽管不同的氧化层厚度会引起不同的模型参数 ,但是如果对于不同厚度的氧化层 ,采用不同的 m与 n,Hu的模型仍然成立 .在这个结果的基础上 。
- 胡靖穆甫臣许铭真谭长华
- 关键词：热载流子效应氧化层场效应晶体管
- 在V_g=V_d/ 2应力模式下 2.5nm氧化层pMOSFETs的新寿命预测模型(英文)
- 2004年
- 研究了 2 .5 nm超薄栅短沟 p MOSFETs在 Vg=Vd/ 2应力模式下的热载流子退化机制及寿命预测模型 .栅电流由四部分组成 :直接隧穿电流、沟道热空穴、一次碰撞电离产生的电子注入、二次碰撞电离产生的空穴注入 .器件退化主要是由一次碰撞产生的电子和二次碰撞产生的空穴复合引起 .假设器件寿命反比于能够越过 Si- Si O2 界面势垒的二次碰撞产生的二次空穴数目 ,在此基础上提出了一个新的模型并在实验中得到验证 .
- 胡靖赵要许铭真谭长华
- 关键词：热载流子电子注入
- MOSFET的热载流子效应及其表征技术被引量：4
- 2003年
- 介绍了热载流子引起MOS器件退化的机制及其退化模型、最大应力模式和典型的寿命预测模型等,并对器件退化的表征技术进行了概述。
- 赵要胡靖许铭真谭长华
- 关键词：MOSFET热载流子效应可靠性场效应晶体管
- V_g=V_d/2应力模式下宽度变窄对HALO-pMOSFETs退化的影响(英文)
- 2003年
- 讨论了最差应力模式下 (Vg=Vd/ 2 )宽沟和窄沟器件的退化特性 .随着器件沟道宽度降低可以观察到宽度增强的器件退化 .不同沟道宽度 p MOSFETs的主要退化机制是界面态产生 .沟道增强的器件退化是由于沟道宽度增强的碰撞电离率 .通过分析电流拥挤效应 ,阈值电压随沟道宽度的变化 ,速度饱和区特征长度的变化和 HAL O结构串联阻抗这些可能原因 ,得出沟道宽度增强的热载流子退化是由宽度降低导致器件阈值电压和串联阻抗降低的共同作用引起的 .
- 胡靖赵要许铭真谭长华
- HALO结构pMOSFETs在V_g=V_d/2应力模式下应力相关的热载流子退化
- 2004年
- 研究了超薄栅 (2 .5 nm )短沟 HAL O- p MOSFETs在 Vg=Vd/ 2应力模式下不同应力电压时热载流子退化特性 .随着应力电压的变化 ,器件的退化特性也发生了改变 .在加速应力下寿命外推方法会导致过高地估计器件寿命 .在高场应力下器件退化是由空穴注入或者电子与空穴复合引起的 ,随着应力电压的下降器件退化主要是由电子注入引起的 .最后 。
- 胡靖赵要许铭真谭长华
- 关键词：热载流子
- 热载流子应力下p-MOSFETs在低栅电压范围的统一退化模型(英文)
- 2002年
- 研究了低栅电压范围的热载流子统一退化模型 .发现对于厚氧化层的 p- MOSFETs主要退化机制随应力电压变化而变化 ,随着栅电压降低 ,退化机制由氧化层俘获向界面态产生转变 ,而薄氧化层没有这种情况 ,始终是界面态产生 ;此外退化因子与应力电压成线性关系 .最后得出了不同厚度的 p- MOSFETs的统一退化模型 ,对于厚氧化层 ,退化由电子流量和栅电流的乘积决定 ,对于薄氧化层 。
- 胡靖穆甫臣许铭真谭长华
- 关键词：热载流子效应P-MOSFET
