黄缙
- 作品数:16 被引量:38H指数:3
- 供职机构:清华大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域:电子电信理学机械工程更多>>
- 用于全光时钟恢复的REC双波长激光器
- 本发明涉及一种用于全光时钟恢复的基于重构等效啁啾(reconstruction equivalent chirp,REC)技术的双波长激光器,属于光通信领域的光电子器件技术领域。该光电子器件将两个采用REC技术的分布反馈...
- 孙长征武庆黄缙熊兵罗毅
- 文献传递
- 基于边带注入锁定用于产生高频微波的集成光电子器件
- 基于边带注入锁定用于产生高频微波的集成光电子器件,属于微波光子学领域的光电子器件制备技术领域,尤其涉及基于边带注入锁定用于产生高频微波的集成光电子器件。该集成光电子器件将两个从激光器集成在同一个衬底上,在衬底上依次外延下...
- 孙长征黄缙熊兵罗毅
- 文献传递
- 一种利用光外差法产生高频微波的集成光电子器件
- 本发明公开了属于微波光子学领域的光电子器件制备技术范围,尤其涉及一种利用光外差法产生高频微波的集成光电子器件。该集成光电子器件由主激光器和从激光器平行放置在衬底上,在衬底上依次外延下波导层、多量子阱有源层、光栅层、上波导...
- 孙长征黄缙熊兵罗毅
- 文献传递
- 窄线宽半导体激光器件被引量:13
- 2007年
- 分布反馈半导体激光器的线宽一般较大,难以满足光纤传感等领域的要求。根据C.H.Henry于1982年提出的半导体激光器的线宽理论,通过适当设计DFB半导体激光器的腔长、耦合系数、微分增益、光限制因子,能有效地减小激光器的线宽。同时,空间烧孔现象也可限制DFB半导体激光器的线宽,为此需要合理设计光栅结构。在此基础上,DFB激光器的线宽能达到几十千赫兹的量级。此外,采用DBR结构或者外腔结构,也可以获得相当窄的线宽。
- 罗毅黄缙孙长征
- 关键词:窄线宽DFB激光器DBR激光器外腔激光器
- 低温生长砷化镓光电导天线产生太赫兹波被引量:14
- 2009年
- 宽频太赫兹(THz)技术在国防、科研等领域有着广阔的应用前景,光电导天线是产生宽频THz波的重要手段。分析了低温生长和高温退火对光电导天线材料载流子寿命和电阻率的影响。在生长温度为230 ℃和250 ℃,退火温度为475 ℃的低温生长砷化镓(LTG-GaAs)上制备了领结(BowTie)和偶极子(Dipole)两种电极结构的小孔径光电导天线。实验给出,在250℃生长的LTG-GaAs上制备的光电导天线产生的太赫兹波辐射强度和频谱宽度较好,谱宽达到了3.6 THz,Bow Tie天线的辐射强度优于Dipole天线。两种形状的光电导天线皆可在10 V的偏置电压下产生太赫兹波辐射。
- 李铁元娄采云王黎黄缙赵国忠石小溪
- 关键词:光谱学太赫兹波光电导天线
- 利用SOA四波混频效应产生高频微波的集成光电子器件
- 本发明属于光电子器件技术领域,特别涉及一种利用SOA四波混频效应产生高频微波的集成光电子器件。该集成光电子器件均采用脊波导结构,脊波导两侧用SiO<Sub>2</Sub>绝缘层填平,并集成一个分布反馈DFB激光器和一个半...
- 孙长征黄缙熊兵罗毅
- 文献传递
- 一种用于全光时钟恢复的弯曲波导双波长激光器
- 一种用于全光时钟恢复的弯曲波导双波长激光器,属于光通信领域的光电子器件技术领域。该光电子器件将两个分布反馈半导体激光器集成在同一个衬底上,在衬底上依次外延下波导层、多量子阱有源层、光栅层、上波导层、上包层、欧姆接触层。两...
- 孙长征黄缙熊兵罗毅
- 文献传递
- 一种用于全光时钟恢复的弯曲波导双波长激光器
- 一种用于全光时钟恢复的弯曲波导双波长激光器,属于光通信领域的光电子器件技术领域。该光电子器件将两个分布反馈半导体激光器集成在同一个衬底上,在衬底上依次外延下波导层、多量子阱有源层、光栅层、上波导层、上包层、欧姆接触层。两...
- 孙长征黄缙熊兵罗毅
- 基于FP激光器注入锁定的光生微波单片光子集成器件
- 本发明公开了属于光电子器件技术领域的一种基于FP激光器注入锁定的光生微波单片光子集成器件,具体的说是一种利用FP激光器双纵模注入锁定产生高频微波的单片光子集成器件,在同一芯片上集成一个DFB激光器和一个FP激光器,对DF...
- 孙长征黄缙熊兵罗毅
- 文献传递
- 利用SOA四波混频效应产生高频微波的集成光电子器件
- 本发明属于光电子器件技术领域,特别涉及一种利用SOA四波混频效应产生高频微波的集成光电子器件。所述集成光电子器件均采用脊波导结构,脊波导两侧用SiO<Sub>2</Sub>绝缘层填平,集成为一个分布反馈DFB激光器段和一...
- 孙长征黄缙熊兵罗毅
- 文献传递