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元磊

作品数：91 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 84篇专利
  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 30篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 21篇碳化硅
  • 19篇SUB
  • 18篇异质结
  • 16篇欧姆接触
  • 16篇晶体管
  • 14篇衬底
  • 13篇外延层
  • 13篇肖特基
  • 13篇集电区
  • 12篇电极
  • 12篇肖特基接触
  • 11篇双极型
  • 11篇掺杂
  • 10篇双极型晶体管
  • 10篇发射区
  • 9篇离子
  • 9篇离子注入
  • 9篇MOSFET...
  • 8篇电晶体
  • 8篇双栅

机构

  • 91篇西安电子科技...
  • 1篇厦门理工学院

作者

  • 91篇元磊
  • 84篇张玉明
  • 53篇贾仁需
  • 34篇汤晓燕
  • 32篇张艺蒙
  • 28篇宋庆文
  • 18篇张弘鹏
  • 14篇彭博
  • 12篇杨宇
  • 11篇张义门
  • 6篇李钊君
  • 4篇杨飞
  • 4篇郭辉
  • 4篇王文
  • 2篇舒斌
  • 2篇杨柳
  • 2篇刘洋
  • 2篇王悦湖
  • 2篇胡辉勇
  • 2篇王斌

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇大功率变流技...
  • 1篇2013年全...

年份

  • 7篇2025
  • 11篇2024
  • 8篇2023
  • 5篇2022
  • 2篇2021
  • 13篇2020
  • 7篇2019
  • 1篇2018
  • 26篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
共 91 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种集成式高压碳化硅达林顿管及其制作方法
本发明公开了一种集成式高压碳化硅达林顿管及其制作方法，属于微电子技术领域。以提高驱动管电流增益，同时使得工艺简单，降低成本。包括：N+发射区，设置在所述基区上表面，包括呈倾斜槽型的器件沟槽，呈倾斜槽型的器件隔离区和呈垂直...
元磊李钊君宋庆文汤晓燕张艺蒙张玉明
Cr掺杂异质结自旋场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及一种Cr掺杂异质结自旋场效应晶体管及其制备方法，其中，制备方法包括：选取蓝宝石衬底；利用MBE工艺在蓝宝石衬底表面生长Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>外延层；在Ga<Sub>2</Sub>...
贾仁需杨宇元磊张玉明彭博
基于双异质结的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/GaN/SiC光电探测二极管及其制备方法
本发明涉及一种基于双异质结的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/GaN/SiC光电探测二极管及其制备方法。该方法包括：选取SiC衬底；在SiC衬底表面连续生长同质外延层、GaN层及Ga<Sub>2</...
贾仁需张弘鹏元磊张玉明
一种基于双MOS栅控的N型碳化硅晶闸管及其制备方法
本发明公开了一种基于双MOS栅控的N型碳化硅晶闸管，包括：钝化层(1)、阳极接触金属(2)、关断栅极接触金属(3)、开启栅极接触金属(4)、栅氧化层(5)、P+短路区(6)、N+阳极区(7)、P‑漂移区(8)、N‑漂移区...
元磊杨柳汤晓燕宋庆文张艺蒙张玉明张义门
Ga_(2)O_(3)器件表面钝化技术研究进展
2023年
氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽禁带、高理论击穿电场强度、高Baliga优值(BFOM)等优异特性,是制备高压大功率器件的理想半导体材料之一。但是,实现良好的器件表面钝化,尤其是改善绝缘介质/Ga_(2)O_(3)的界面特性仍然是Ga_(2)O_(3)器件研究中亟需解决的关键技术难题。首先,对Ga_(2)O_(3)金属-氧化物-半导体(MOS)器件表面钝化、高k介质能带工程的研究进展进行分析、对比;然后,对适用于Ga_(2)O_(3)器件(晶体管、二极管)表面钝化技术的重要研究进展进行了综述,包括表面边缘终端设计、复合钝化工艺、钙钛矿型氧化物钝化等;最后,对Ga_(2)O_(3)器件表面钝化的研究方向进行了展望。
张弘鹏贾仁需陈铖颖元磊张宏怡彭博
关键词：表面钝化
高电子迁移率自旋场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及一种高电子迁移率自旋场效应晶体管及其制备方法，所述制备方法包括：选取4H‑SiC衬底；在所述4H‑SiC衬底上生长N型Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>外延层；在所述N型Ga<Sub>2</...
贾仁需杨宇元磊张玉明彭博
一种紫外、可见与红外宽谱光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种紫外、可见与红外宽谱光电探测器及其制备方法，该制备方法包括：选取清洗完成的玻璃衬底；在所述玻璃衬底上制备电极阵列，所述电极阵列包括若干间隔排列的金属电极；将纳米纤维喷在制备有所述电极阵列的所述玻璃衬底上，...
王利明尤杰孙浩张一弛元磊胡辉勇王斌韩本光舒斌
一种纵向沟道的SiC肖特基栅双极型晶体管及制备方法
本发明提供了一种纵向沟道的SiC肖特基栅双极型晶体管，包括N+碳化硅衬底，形成于N+碳化硅衬底表面的发射极接触金属层，形成于N+碳化硅衬底上的P+缓冲层，形成于P+缓冲层上P‑漂移区，形成于P‑漂移区上的P+集电区，形成...
宋庆文刘思成汤晓燕元磊张艺蒙张玉明
碳化硅多台阶沟槽结终端扩展终端结构及其制备方法
本发明提供了一种碳化硅多台阶沟槽结终端扩展终端结构，包括碳化硅衬底层；形成于衬底层上第一半导体层，设置于第一半导体层表面的多台阶沟槽结构，覆盖于多台阶沟槽结构上方的钝化层，设于第一半导体层内的结终端扩展结构，且结终端扩展...
宋庆文袁昊汤晓燕元磊张艺蒙张玉明
Mn掺杂异质结自旋场效应晶体管的制备方法
本发明涉及一种Mn掺杂异质结自旋场效应晶体管的制备方法，该方法包括：选取蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底表面生长Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>外延层；在Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub...
贾仁需杨宇元磊张玉明彭博
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