周玉荣
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院大学更多>>
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- 相关领域：电气工程电子电信理学更多>>
- HWCVD低温制备超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜
- 2016年
- 采用热丝化学气相沉积（HWCVD）技术在低温条件下（100℃）制备超薄（-30 nm）的硼掺杂硅薄膜。系统研究了氢稀释比例RH对薄膜的微结构和电学性能的影响。当RH由55增加至115,薄膜的有序度增加,晶化率升高,载流子浓度增加,暗电导率增加;同时,薄膜的缺陷密度增加、霍尔迁移率降低。实验证实,当RH=55-70时,超薄硅薄膜开始晶化,这是薄膜由非晶到纳米晶的转化区。快速热退火工艺进一步提高了薄膜导电率。在RH=115、衬底温度为100℃沉积条件下,经过420℃、80 s退火,获得电导率为6.88 S/cm的超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜。
- 郭宇坤周玉荣陈瑱怡马宁刘丰珍
- 关键词：热丝化学气相沉积硅薄膜硼掺杂电学性能
- 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会优秀论文选登(八) 超高浓度钛掺杂硅薄膜的制备及光电特性研究被引量：1
- 2013年
- 将磁控溅射和热丝化学气相沉积相结合,制备出超高浓度钛掺杂的氢化非晶硅薄膜。通过光发射谱(OES)分析了热丝加热前后直流溅射辉光特性,结果表明热丝加热与否对直流溅射过程的影响不大。俄歇电子能谱显示钛在薄膜中是均匀分布的,改变磁控溅射的功率可控制薄膜中钛的含量,薄膜在可见和红外光的吸收随钛浓度的增加而显著增强。掺钛非晶硅薄膜仍表现出半导体特性,电阻率随着温度的降低而提高,满足变程跳跃电导输运机制。采用激光熔融(PLM)对薄膜进行退火,薄膜晶化率达50%以上。晶化的掺钛硅薄膜仍保持较高的可见-红外波段的光吸收。
- 周玉荣刘勇刘丰珍
- 关键词：硅薄膜热丝化学气相沉积
- 超高浓度钛掺杂硅薄膜的制备及光电特性研究
- 控溅射和热丝化学气相沉积相结合,制备了超高浓度钛掺杂的氢化非晶硅薄膜.通过光发射谱(OES)分析了热丝加热前后直流溅射辉光特性,结果表明热丝加热与否对直流溅射过程影响不大.俄歇电子能谱显示钛在薄膜中是均匀分布的,改变磁控...
- 周玉荣刘勇刘丰珍
- 关键词：硅薄膜热丝化学气相沉积
