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张泉

作品数：16 被引量：19H指数：3
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 6篇电子电信
  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇经济管理

主题

  • 5篇半导体
  • 5篇IGBT
  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 4篇多晶硅栅
  • 4篇氧化层
  • 4篇栅氧化
  • 4篇栅氧化层
  • 4篇片状
  • 4篇接触区
  • 4篇结深
  • 4篇极区
  • 4篇硅栅
  • 4篇焊料
  • 3篇芯片
  • 3篇基板
  • 3篇功率半导体
  • 3篇功率半导体器...
  • 3篇半导体器件
  • 2篇载流子

机构

  • 16篇株洲南车时代...

作者

  • 16篇张泉
  • 9篇黄建伟
  • 9篇刘国友
  • 8篇覃荣震
  • 6篇朱利恒
  • 6篇戴小平
  • 4篇彭勇殿
  • 3篇曾雄
  • 2篇刘可安
  • 2篇徐先伟
  • 2篇罗海辉
  • 1篇李世平
  • 1篇陈燕平
  • 1篇常桂钦
  • 1篇赵德良

传媒

  • 4篇大功率变流技...
  • 1篇机车电传动

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2017
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2011
  • 1篇2010
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
牵引用3300V IGBT芯片均匀性及其对可靠性的影响被引量：4
2013年
为满足轨道交通领域牵引用3300 V IGBT芯片应具有优良的栅极控制特性、较低的通态压降和较宽的安全工作区的要求,对3300 V IGBT芯片工艺进行了深入研究。在工艺控制和关键工艺改进方面采取措施,全面提升了牵引用3300 V IGBT芯片在栅极特性、电压阻断、导通特性和安全工作区等方面的表现,进而大幅度提高了芯片的可靠性。
刘国友罗海辉刘可安黄建伟张泉
关键词：高压IGBT轨道交通性能均匀性可靠性
一种功率半导体器件及其制作方法
本发明公开了一种功率半导体器件及其制作方法，功率半导体器件包括：P‑基区、N‑衬底、N阱、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层，功率半导体器件采用沟槽栅结构。沟槽栅结构的沟槽具有第一深度和第二深...
刘国友覃荣震黄建伟张泉朱利恒戴小平
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一种功率器件及其制作方法
本发明公开了一种功率器件及其制作方法，功率器件包括：N阱、N‑衬底、P‑基区、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层，功率器件采用沟槽栅结构。功率器件还包括P阱，N+源极区、P‑基区、N阱、P阱从...
刘国友覃荣震黄建伟张泉朱利恒戴小平
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一种功率半导体芯片焊接装置
本发明公开了一种功率半导体芯片焊接装置，应用于大功率高压半导体模块焊接。功率半导体芯片焊接装置包括：底板、绝缘元件固定框架、绝缘元件和半导体芯片固定框架，绝缘元件固定框架固定在底板上方形成绝缘元件固定工位，绝缘元件放置在...
张泉李继鲁徐先伟彭勇殿吴煜东
一种用于将片状焊料固定在IGBT模块基板上的焊接工装
本实用新型公开了一种用于将片状焊料固定在IGBT模块基板上的焊接工装，包括焊片定位工装和衬板固定工装，所述焊片定位工装和衬板固定工装均为矩形，且大小与IGBT模块基板大小匹配；所述矩形的两条侧边上开设有若干个定位孔；所述...
曾雄张泉李继鲁彭勇殿吴煜东赵德良
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一种功率器件及其制作方法
本发明公开了一种功率器件及其制作方法，功率器件包括：N阱、N‑衬底、P‑基区、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层，功率器件采用沟槽栅结构。功率器件还包括P阱，N+源极区、P‑基区、N阱、P阱从...
刘国友覃荣震黄建伟张泉朱利恒戴小平
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大功率IGBT模块封装中的超声引线键合技术被引量：9
2011年
从超声引线键合的机理入手,对大功率IGBT模块引线的材料和键合界面特性进行了分析,探讨了键合参数对键合强度的影响。最后介绍了几种用于检测键合点强度的方法,利用检测结果对键合参数进行进一步的调整,以实现引线键合工艺最佳化。
覃荣震张泉
关键词：引线键合大功率IGBT模块封装
一种功率半导体器件及其制作方法
本发明公开了一种功率半导体器件及其制作方法，功率半导体器件包括：P‑基区、N‑衬底、N阱、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层，功率半导体器件采用沟槽栅结构。沟槽栅结构的沟槽具有第一深度和第二深...
刘国友覃荣震黄建伟张泉朱利恒戴小平
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一种功率半导体芯片焊接装置
本发明公开了一种功率半导体芯片焊接装置，应用于大功率高压半导体模块焊接。功率半导体芯片焊接装置包括：底板、绝缘元件固定框架、绝缘元件和半导体芯片固定框架，绝缘元件固定框架固定在底板上方形成绝缘元件固定工位，绝缘元件放置在...
张泉李继鲁徐先伟彭勇殿吴煜东
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一种绝缘栅双极型晶体管及其构造方法
本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管构造方法，所述方法包括以下步骤：采用P型扩散工艺在所述衬底上构造P型扩散区，使得所述P型扩散区的结深大于/等于所述晶体管的沟槽的深度；制作沟槽栅结构；制作N+源极区；刻蚀发射极金属接触窗...
刘国友覃荣震黄建伟张泉朱利恒戴小平
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