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李增成

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 5篇激光
  • 5篇激光器
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体激光
  • 3篇半导体激光器
  • 2篇增透
  • 2篇增透膜
  • 2篇腔面
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇钝化
  • 1篇制作方法
  • 1篇受主
  • 1篇热沉
  • 1篇热导率
  • 1篇外延片
  • 1篇绿光
  • 1篇绿光激光
  • 1篇绿光激光器
  • 1篇空穴

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇张书明
  • 6篇李增成
  • 6篇冯美鑫
  • 5篇杨辉
  • 5篇刘建平
  • 4篇曾畅
  • 4篇王怀兵
  • 4篇王辉
  • 2篇张立群
  • 2篇李德尧
  • 2篇周坤
  • 1篇刘建平
  • 1篇张峰
  • 1篇池田昌夫
  • 1篇杨辉
  • 1篇田爱琴
  • 1篇张峰

传媒

  • 1篇第13届全国...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 2篇2014
  • 4篇2011
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
低补偿p型GaN的变温霍尔研究
本文利用变温霍尔测试研究了MOCVD生长GaN∶Mg样品的电学特性,并对空穴浓度随温度的变化进行了理论拟合,研究结果表明生长的GaN∶Mg样品的施主受主补偿比很低,接近0％,认为低补偿比是由于样品中的C杂质浓度较低.
田爱琴张书明李德尧张立群杨辉刘建平池田昌夫李增成冯美鑫周坤温鹏雁张峰胡威威
关键词：电学特性补偿比
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F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法
一种F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法，包括以下步骤：1、解理F-P腔半导体激光器，得到激光器bar条；2、用氮等离子体清洗激光器bar条的前后腔面；3、应用外延生长技术在激光器的前后腔面外延生长一层保护膜；4、在激光器...
冯美鑫张书明王辉刘建平曾畅李增成王怀兵杨辉
文献传递
氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法
本发明公开了一种新型氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法，本发明采用Al组分渐变的p-AlGaN作为光学限制层，通过极化掺杂的原理,实现三维空穴气。利用本发明可以提高受主Mg杂质的活化效率，降低器件电压，同时有效降低...
曾畅张书明刘建平王辉冯美鑫李增成王怀兵杨辉
半导体激光器TO封装结构及方法
本发明公开了一种半导体激光器TO封装结构及方法。该封装结构包括半导体激光器芯片，该芯片的至少一侧面经至少一过渡热沉与至少一热沉固定连接，且该芯片、过渡热沉和热沉均固定在管座上，并被封装于由该管座和一封帽围合形成的封闭腔体...
冯美鑫张书明王辉刘建平曾畅李增成王怀兵杨辉
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GaN基蓝光和绿光激光器研究最新进展
氮化镓(GaN)基激光器将半导体激光器拓展到紫、蓝、绿波段,作为新型可见光波段激光光源正带动大色域的激光显示、高亮度激光照明、高分辨激光制版印刷、高密度激光存储等领域的技术革新,是国际上的研究热点.我们对GaN激光器的材...
刘建平张书明杨辉张立群李德尧李增成冯美鑫温鹏雁周坤田爱琴张峰
半导体激光器的制作方法
本发明涉及半导体激光器技术，尤其是一种半导体激光器的制作方法。其步骤包括：在激光器外延片表面刻蚀出脊型区(2)；通过光刻技术，在激光器的前后腔面附近注入离子；然后在500～1200℃、保护气氛下进行快速退火；接着在激光器...
冯美鑫张书明王辉刘建平曾畅李增成王怀兵杨辉
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