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张延清

作品数:29 被引量:7H指数:2
供职机构:哈尔滨工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国博士后科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术电气工程核科学技术更多>>

文献类型

  • 22篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇电气工程
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇核科学技术

主题

  • 9篇束电流
  • 9篇离子
  • 7篇二极管
  • 7篇辐照
  • 6篇肖特基
  • 5篇肖特基二极管
  • 4篇单粒子
  • 4篇单粒子翻转
  • 4篇电池
  • 4篇电路
  • 4篇电子辐照
  • 4篇注入机
  • 4篇离子注入
  • 4篇离子注入机
  • 4篇空间带电粒子
  • 4篇SRAM
  • 3篇势垒
  • 3篇太阳电池
  • 3篇注入量
  • 2篇低电压

机构

  • 29篇哈尔滨工业大...
  • 1篇西北核技术研...
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇上海空间电源...
  • 1篇中国航天北京...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇广州广电计量...

作者

  • 29篇张延清
  • 27篇霍明学
  • 27篇刘超铭
  • 27篇王天琦
  • 26篇马国亮
  • 26篇齐春华
  • 8篇王新胜
  • 5篇肖立伊
  • 2篇王雅宁
  • 2篇高乐
  • 1篇王祖军
  • 1篇杨洋
  • 1篇王训春
  • 1篇孙利杰

传媒

  • 2篇原子能科学技...
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子与封装
  • 1篇现代应用物理

年份

  • 2篇2023
  • 8篇2022
  • 9篇2021
  • 2篇2020
  • 6篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2009
29 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
卫星大角度机动姿态控制模块的硬件设计与验证
微小卫星是目前航天器发展的一个重要方向,作为现代微小卫星技术的关键部分,姿态控制系统起到至关重要的作用。在现代微小卫星系统中,姿态控制系统从传统的以通用处理器为基础的软件实现方式发展到以专用集成电路ASIC为代表的硬件实...
张延清
关键词:FPGA半实物仿真
文献传递
一种功率MOSFET可靠性的建模方法
本发明的一种功率MOSFET可靠性的建模方法,涉及功率MOSFET可靠性建模并通过建模获得可靠性预测的方法。目的是为了克服现有MOSFET可靠性建模方法复杂度高,计算效率低,模型可解释性也较差的问题,具体步骤如下:步骤一...
刘超铭高乐王天琦霍明学张延清齐春华马国亮
倒置生长赝形四结太阳电池高能电子辐照损伤效应与机理
倒置生长赝形四结(IMM4J)太阳电池基于光谱匹配的设计原则采用了倒置外延生长晶格失配工艺手段,有效的减少了空间用晶格匹配正向生长三结电池各个子电池间光电流失配产生的能量损失,显著提高了光电转换效率,成为目前空间高效多结...
张延清
关键词:太阳电池辐照损伤光谱响应退火效应电学性能
基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法
一种基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法,属于太阳电池微电子技术领域。本发明针对现有太阳电池由于空间带电粒子的辐照会产生辐照缺陷,进而造成太阳电池I‑V特性退化的问题。它根据原单晶Si太阳电池的结构参数,...
张延清齐春华王天琦马国亮刘超铭陈肇宇王新胜李何依霍明学
文献传递
倒置四结(IMM4J)太阳电池中InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)子电池高能电子辐照退火效应
2020年
本文为研究1 MeV电子辐照倒置四结(IMM4J)太阳电池InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)关键子电池的退火效应,将辐照后的两种子电池在60—180℃温度范围累计退火180 min,并对不同退火温度、退火时间下的两种子电池进行了光IV测试、暗IV测试和光谱响应测试.实验结果表明两种子电池的开路电压Voc、短路电流Isc和最大输出功率Pmax随着退火时间的延长逐渐恢复,温度越高,恢复程度越大.在相同的退火条件下,InGaAs(1.0 eV)子电池的恢复程度比InGaAs(0.7 eV)子电池小.本文通过对暗特性曲线进行双指数模型拟合,得到不同退火条件下两种子电池的串联电阻Rs、并联电阻Rsh、扩散电流Is1、复合电流Is2.结果表明在退火过程中两种子电池的Rsh逐渐增大,Rs,Is1和Is2逐渐减小.温度越高,退火时间越长,恢复程度越大.在退火60 min后两种子电池的Voc,Isc和Pmax恢复程度均可达到整体恢复程度的85%以上.InGaAs(1.0 eV)子电池的Is1和Is2的恢复程度远大于InGaAs(0.7 eV).本文建立了短路电流密度Jsc和缺陷浓度N的等效模型,以此计算得到InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)两种子电池的热退火激活能分别为0.38 eV和0.26 eV.
张延清齐春华周佳明刘超铭马国亮蔡勖升王天琦霍明学
关键词:电子辐照退火效应
基于深层离子注入方式的倒置四结太阳电池抗位移辐照加固方法
基于深层离子注入方式的倒置四结太阳电池抗位移辐照加固方法,属于微电子技术领域,本发明为解决现有倒置四结太阳电池在空间带电粒子的辐照下抗位移辐照能力差,易产生位移辐射损伤,从而严重地影响太阳电池的性能参数的问题。本发明向倒...
张延清齐春华王天琦马国亮刘超铭陈肇宇王新胜李何依周佳明霍明学
文献传递
一种监测触发器是否发生翻转的边沿检测电路及触发器
一种监测触发器是否发生翻转的边沿检测电路及触发器,它涉及一种边沿检测电路及触发器。本发明要解决SETTOFF触发器对SEU软错误的在线监测和修正以及检测SET和TE错误过程中,SETTOFF触发器中原沿检测(TD)电路中...
王天琦刘超铭齐春华马国亮张延清霍明学肖立伊
文献传递
一种SRAM存储器空间服役故障分类失效检测方法
本发明提出一种SRAM存储器空间服役故障分类失效检测方法,本发明采用故障特征检测诊断空间服役失效故障,通过分析特定核心器件在太空环境或异常环境中的特征参数电源电流的变化,依托神经网络进行故障状态的判断和分类。本发明可用于...
霍明学齐春华张延清王天琦王新胜刘超铭马国亮
文献传递
一种太阳电池低温量子效率试验装置及其方法
本发明公开了一种太阳电池低温量子效率试验装置及其方法,该装置包括:恒温真空舱、光源控制单元、氙灯光源、测试单元和控制模块;方法包括以下步骤:S1.氙灯光源产生入射光;入射光包括单色光和偏置光;S2.将恒温真空舱横向放置,...
张延清刘超铭王天琦周佳明霍明学齐春华马国亮
文献传递
SiC功率器件辐照效应研究进展被引量:1
2022年
SiC功率器件是许多航天器用电子设备的重要组成部分,是保障深空探测任务顺利进行的前提和基础。在梳理SiC功率器件发展概况的同时,针对不同SiC功率器件(SiC SBD、SiC JBS、SiC MOSFET)在空间辐射环境下的性能退化规律进行了概述,重点分析了辐射环境下SiC功率器件的损伤机理,为SiC功率器件抗辐射技术的长远发展提供了参考。
刘超铭王雅宁魏轶聃王天琦齐春华张延清马国亮刘国柱魏敬和霍明学
关键词:肖特基势垒二极管MOSFET
共3页<123>
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