郭育华
- 作品数：31 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第三十八研究所更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程更多>>
- 一种无需临时键合的超薄硅转接板的制作方法
- 本发明提供一种无需临时键合与解键合工艺的超薄硅转接板的制作方法，用于解决现有技术中设备成本高昂、工艺步骤多、胶体残留污染的问题。根据本发明提供的制作方法，超薄硅转接板形成在普通硅片的硅腔内，拿持及后续再布线层工艺、芯片贴...
- 王强文郭育华王运龙刘建军宋夏邱颖霞
- 文献传递
- 气压与加速度传感器相集成的MEMS芯片
- 本实用新型公开了气压与加速度传感器相集成的MEMS芯片，包括单晶硅片、玻璃盖板和玻璃底板，单晶硅片上集成有气压传感器和加速度传感器，气压传感器包括第一感应硅膜、多个位于第一感应硅膜上的第一应力敏感电阻、以及从玻璃盖板底端...
- 谷永先胡国俊郭育华兰欣曾鸿江
- 文献传递
- Pt/Nb∶SrTiO3/In结构异常的双极性电阻变换特性
- 2018年
- 研究了Pt/Nb∶SrTiO3/In结构器件的异常双极性电阻变换特性,并对其物理机理进行了讨论。用直流磁控溅射的方法在不同组分Nb掺杂SrTiO3（NSTO）（001）单晶衬底上制备了Pt和In电极,构建了Pt/NSTO/In异质结。该异质结的I-V特性测试结果表明,该异质结具有不同寻常的双极性阻变特性。随着Nb在SrTiO3中掺杂浓度的改变,决定样品在正电压扫描过程中由高电阻状态（HRS）向低电阻状态（LRS）或由LRS向HRS转换的阈值电压也呈现出规律性变化。对其阻变特性的物理机制分析表明,Pt/NSTO界面肖特基势垒和Pt/NSTO、NSTO/In界面处的氧空位引入的缺陷能级对电子的束缚和释放与该器件不同寻常的双极性电阻变换特性密切相关。
- 王强文郭育华
- 关键词：肖特基势垒氧空位
- 硅基高精度镍铬薄膜电阻的制备和性能表征被引量：2
- 2018年
- 集成无源元件(IPD)技术可以将分立的无源元件集成在衬底内部,提高系统的集成度。为了获得高精度的薄膜电阻,采用多层薄膜电路工艺在硅晶圆上制备了不同线宽的镍铬薄膜电阻,利用显微镜和半导体参数测试仪对薄膜电阻的图形线宽及电学特性进行了表征及测试。结果表明,制备出的镍铬薄膜电阻线宽精度在±5%以内,电阻精度在±0.5%以内,具有稳定的电学特性。基于镍铬的高精度硅基无源集成电阻器在系统集成中有广泛的应用价值。
- 王强文郭育华刘建军王运龙宋夏
- 关键词：系统集成
- 一种用于微波陶瓷基板上微孔的CO<Sub>2</Sub>激光加工方法
- 本发明涉及一种用于微波陶瓷基板上微孔的CO<Sub>2</Sub>激光加工方法。采用直径0.15‑0.3mm光斑的CO<Sub>2</Sub>激光，在厚度0.25‑1mm的微波陶瓷基板上加工小于所述光斑尺寸的的通孔，操作...
- 王运龙刘建军宋夏郭育华邱颖霞
- 文献传递
- 一种用于电子元器件的微流体通道散热装置及电子装置
- 本实用新型公开一种用于电子元器件的微流体通道散热装置及电子装置。微流体通道散热装置包括：壳体，其一侧上有空腔；盖板，盖板上有均与空腔相通的进液口与出液口，空腔的底壁上设置微流体通道，微流体通道包括多条互相平行的纵向微流体...
- 赵潇胡国俊郭育华钱江蓉
- 文献传递
- AlN陶瓷腔体的激光加工和芯片埋置工艺被引量：3
- 2022年
- AlN作为陶瓷封装材料具有优异的电性能和热性能。针对高功率、高频多芯片组件高密度组装的需要,采用激光加工技术在AlN陶瓷基片上直接加工腔体结构成型。通过构建激光加工腔体的理论模型,对比试验结果,分析激光功率、频率、扫描速率及加工路径等工艺参数对腔体刻蚀速率、腔体底部粗糙度的影响规律。阐述激光加工遍数与刻蚀深度的线性关系,测试腔体底部的平面度,获得了预定深度的腔体结构。完成了芯片在腔体内埋置,结果表明,激光直接加工的腔体结构可以满足芯片埋置的应用要求。
- 王运龙郭育华魏晓旻
- 关键词：ALN陶瓷腔体激光加工
- 氮氩体积流量比对AlN薄膜生长取向、晶体质量及沉积速率的影响及机理分析
- 2023年
- 采用反应磁控溅射法,在溅射气压、溅射功率和衬底温度恒定的条件下,通过调控氮氩体积流量比,在单晶Si衬底上制备AlN薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和场发射扫描电子显微镜(FESEM)研究氮氩体积流量比对AlN薄膜的生长取向、晶体质量及沉积速率的影响规律并分析其机理。结果显示,提高氮氩体积流量比有利于AlN薄膜(002)择优取向的生长,但过高的氮氩体积流量比会降低薄膜的沉积速率。在溅射气压为5 mTorr(1 Torr=133.3 Pa)、溅射功率为500 W、衬底温度为200℃、氮氩体积流量(cm3/min)比为14∶6时,在单晶Si衬底上可以制备出质量较好的,具有良好(002)择优取向的AlN薄膜。研究结果可为反应磁控溅射制备高质量AlN薄膜提供工艺参数设置规律指导。
- 王强文郭育华
- 关键词：ALN薄膜反应磁控溅射沉积速率
- 一种预成型焊片、立体互联结构及立体互联封装方法
- 本发明公开了一种预成型焊片、立体互联结构及立体互联封装方法，焊片的环形主体上设有用于容纳焊盘的开口，互联焊盘位于所述开口内，互联焊盘上具有从边缘向所述开口内缘延伸的连接部，所述连接部远离互联焊盘一端与所述开口内缘连接。本...
- 王运龙刘建军张孔胡海霖郭育华
- 一种用于微波陶瓷基板上微孔的CO<Sub>2</Sub>激光加工方法
- 本发明涉及一种用于微波陶瓷基板上微孔的CO<Sub>2</Sub>激光加工方法。采用直径0.15‑0.3mm光斑的CO<Sub>2</Sub>激光，在厚度0.25‑1mm的微波陶瓷基板上加工小于所述光斑尺寸的通孔，操作步...
- 王运龙刘建军宋夏郭育华邱颖霞
