钱鹤
- 作品数：89 被引量：88H指数：5
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件
- 2006年
- 深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器),EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物.
- 徐秋霞钱鹤段晓峰刘海华王大海韩郑生刘明陈宝钦李海欧
- 关键词：压应力等效氧化层厚度CMOS
- 采用锗或锑预无定形注入及清洗的钛硅化物方法
- 一种采用锗或锑预无定形注入及清洗硅化物的方法,包括如下步骤;步骤1:在源/漏结形成后、溅钛前,对整个硅片采用锗或锑的预无定形注入的方法来促进相转移;步骤2:溅钛前,对硅片进行清洗处理;步骤3:溅钛前进行真空腔内预退火处理...
- 徐秋霞钱鹤柴淑敏邢小平
- 文献传递
- ULSI铜互连线技术中的电镀工艺被引量：19
- 2001年
- 通过对电镀液中加入适当的整平剂和采用三步电流法 ,成功地将工业镀铜技术应用于 UL SI铜互连线技术中 ,实现了对高宽比为 1μm∶ 0 .6 μm的刻孔的无空洞、无裂缝填充 .方阻测试表明 ,所镀铜膜的电阻率为2 .0 μΩ· cm,X射线衍射分析结果显示出的 Cu(111)
- 张国海钱鹤夏洋王文泉龙世兵
- 关键词：集成电路铜互连线电镀工艺
- 一种能够抑制部分耗尽SOI nMOSFET浮体效应的新型Schottkty体接触结构的模拟(英文)
- 2002年
- 提出了一种新型的Schottky体接触结构 ,能够有效抑制部分耗尽SOInMOSFET的浮体效应 .这种结构可以通过在源区形成一个浅的n+ p结和二次侧墙 ,然后生长厚的硅化物以穿透这个浅结的方法来实现 .模拟结果表明这种结构能够成功抑制SOInMOSFET中存在的反常亚阈值斜率和kink效应 ,漏端击穿电压也有显著提高 .这种抑制浮体效应的方法不增加器件面积 ,而且与体硅MOSFET工艺完全兼容 .
- 刘运龙刘新宇韩郑生海潮和钱鹤
- 关键词：浮体效应
- 电子束/I线混合光刻制造SOI射频集成电路的解决方案
- 本文立足于同常规CMOS工艺兼容的SOI工艺,提出了电子束/I线混合光刻制造SOI射频集成电路的工艺解决方案,包括了LDMOS、NMOS、电感、电容和电阻等元件的集成.经过对LDMOS、NMOS的工艺、器件模拟和体硅衬底...
- 杨荣李俊峰钱鹤
- 关键词：电子束光刻集成电路
- 文献传递
- 以注氮SiO_2 作为铜互连技术中的新型阻挡层(英文)被引量：1
- 2001年
- 采用给 PECVD Si O2 中注入氮的方法 ,形成一薄层氮氧化硅 ,以此作为一种新型的扩散阻挡层 .不同热偏压条件下的 C- V测试结果和 XPS分析结果表明 。
- 张国海夏洋钱鹤高文芳于广华龙世兵
- 关键词：超大规模集成电路铜互连阻挡层注氮
- 隔离技术对SOI PMOSFET中空穴迁移率的影响被引量：1
- 2004年
- 在 SIMOX和 Smart- cut SOI衬底上采用 L OCOS和 MESA隔离技术制备了部分耗尽 PMOSFET,虽然 L O-COS隔离器件的阈值电压较小 ,但其跨导和空穴迁移率明显小于 MESA隔离器件 .模拟表明 ,L OCOS场氧生长过程中 ,由于 Si O2 体积膨胀 ,在硅膜中形成较大的压应力 ,从而降低了空穴的迁移率 .
- 赵洪辰海潮和韩郑生钱鹤
- 关键词：MESA迁移率应力
- SOIMOSFET寄生双极晶体管效应的研究被引量：2
- 2004年
- 研究了硅膜掺杂浓度、厚度和硅化物厚度等工艺条件对 SOI MOSFET寄生双极晶体管增益的影响。提高体区掺杂浓度、增加硅膜和硅化物厚度能够减小增益。原因是 :1基区杂质浓度增加 ,减弱了发射极向基区注入多子 ,增强了基区向发射区的少子注入 ;2增加硅化物厚度会增加其横向扩展 。
- 赵洪辰海潮和韩郑生钱鹤
- 关键词：增益硅化物
- 一种抗总剂量辐照的NMOSFETs被引量：1
- 2004年
- 在商用 SIMOX衬底上制备了抗辐照 NMOSFETs,使用的主要技术手段有 :氮化 H2 -O2 合成栅介质加固正栅 ;增加体区掺杂 ,以提高背栅阈值电压 ;采用 C型体接触结构 ,消除边缘寄生晶体管。结果表明 ,在经受 1× 1 0 6 rad( Si)的辐照后 。
- 赵洪辰海潮和韩郑生钱鹤
- 关键词：总剂量辐照
- 厚铝的高精度干法刻蚀方法
- 一种用于厚铝的高精度干法刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在表面覆盖有绝缘介质的硅片上，依次溅射一层金属铝层、淀积一层二氧化硅层和旋涂一层光刻胶层；步骤2：光刻铝版，显影露出待刻蚀区域的二氧化硅层；步骤3：反应...
- 杨荣李俊峰柴淑敏赵玉印蒋浩杰钱鹤
- 文献传递
