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徐秋霞: 作品数：366 被引量：63H指数：4; 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信文化科学金属学及工艺经济管理更多>>

合作作者

殷华湘清华大学
许高博中国科学院微电子研究所
陈大鹏清华大学
周华杰中国科学院微电子研究所
朱慧珑清华大学

作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域

文献类型

294篇专利
46篇期刊文章
15篇会议论文
11篇科技成果

领域

97篇电子电信
3篇金属学及工艺
3篇文化科学
2篇经济管理
1篇轻工技术与工...
1篇一般工业技术
1篇理学

主题

98篇半导体
97篇金属栅
86篇刻蚀
68篇沟道
57篇半导体器件
44篇退火
44篇纳米
44篇晶体管
42篇场效应
41篇衬底
39篇场效应晶体管
38篇堆叠
38篇栅介质
37篇多晶
37篇多晶硅
37篇介质层
36篇纳米线
33篇叠层
31篇栅极
30篇鳍片

机构

358篇中国科学院微...
8篇中国科学院
2篇北京大学
2篇中国科学院大...
1篇长春理工大学
1篇清华大学
1篇中国科学院微...

作者

366篇徐秋霞
103篇殷华湘
81篇许高博
68篇陈大鹏
61篇周华杰
33篇朱慧珑
31篇李俊峰
30篇刘明
29篇钱鹤
29篇李永亮
24篇陈宝钦
22篇赵超
22篇马小龙
16篇宋毅
14篇孟令款
14篇洪培真
12篇叶甜春
12篇赵玉印
12篇韩郑生
12篇柴淑敏

传媒

22篇Journa...
9篇微电子学
4篇第十四届全国...
3篇电子器件
3篇微纳电子技术
2篇电子显微学报
2篇第十二届全国...
2篇第十一届全国...
1篇半导体技术
1篇物理学报
1篇电子学报
1篇物理
1篇功能材料与器...
1篇中国科技成果
1篇真空科学与技...
1篇第二届全国电...
1篇第二届全国纳...
1篇第十二届全国...
1篇第十三届全国...
1篇中国微米/纳...

年份

1篇2024
4篇2021
3篇2020
6篇2019
16篇2018
10篇2017
38篇2016
29篇2015
25篇2014
42篇2013
49篇2012
23篇2011
16篇2010
7篇2009
11篇2008
12篇2007
14篇2006
16篇2005
10篇2004
12篇2003

共 366 条记录，以下是 1-10

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排序方式：

半导体器件及其制造方法: 公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：在半导体衬底上形成半导体鳍片；在半导体鳍片的顶部表面和侧壁上形成界面氧化物层；在界面氧化物层上形成高K栅介质；在高K栅介质上形成第一金属栅层；通过共形掺杂在第一...; 朱慧珑徐秋霞张严波杨红; 文献传递

一种调节金属栅的栅功函数的方法: 本发明公开了一种调节金属栅的栅功函数的方法，该方法包括：局部氧化隔离或浅槽隔离，进行注入前氧化，然后注入<Sup>14</Sup>N<Sup>+</Sup>；漂净注入前氧化膜，栅氧化，并沉积多晶硅；光刻、刻蚀形成多晶硅栅...; 周华杰徐秋霞

锗预无定形注入结合低能注入形成超浅源漏延伸区的方法: 一种锗预无定形注入结合低能注入形成超浅源漏延伸区的方法，在硅表面上用元素锗的预无定形注入，进行快速热退火，形成超浅的PN结与NP结，消除注入损伤带来的结漏电，步骤为，步骤1：在原始硅片上形成低掺杂的阱；步骤2：一次光刻，...; 徐秋霞殷华湘钱鹤; 文献传递

锗预无定形注入结合低能注入形成超浅源漏延伸区的方法: 一种锗预无定形注入结合低能注入形成超浅源漏延伸区的方法,在硅表面上用元素锗的预无定形注入,进行快速热退火,形成超浅的PN结与NP结,消除注入损伤带来的结漏电,步骤为:(1)在原始硅片上形成低掺杂的阱;(2)一次光刻,局部...; 徐秋霞殷华湘钱鹤; 文献传递

光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术: 中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室拥有一个由美国GCA3600F图形发生器、GCA3696分步重复精缩机、日本JEOLJBX6AⅡ电子束曝光系统和JEOLJBX5000LS电子束光刻系统及美国应用材料公司捐赠...; 陈宝钦任黎明胡勇龙世兵陆晶杨清华张立辉牛洁斌刘明徐秋霞薛丽君李金儒汤跃科赵珉刘珠明王德强; 关键词：微光刻技术电子束直写; 文献传递

鳍式场效应晶体管及其制造方法: 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管，包括SOI衬底、SOI衬底上的鳍形的栅极堆叠结构、SOI衬底中栅极堆叠结构两侧的源漏区以及源漏区之间的沟道区，源漏区与沟道区沿第一方向延伸，栅极堆叠结构沿垂直于第一方向的第二方向延伸，其...; 尚海平徐秋霞; 文献传递

一种隧穿场效应晶体管及其制造方法: 本申请公开了一种隧穿场效应晶体管及其制造方法，包括：半导体衬底；应变层，位于所述半导体衬底上；沟道区，位于所述半导体衬底和应变层中；栅堆叠，位于所述沟道区上，所述栅堆叠包括栅介质层和栅电极层，所述栅介质层位于沟道区上，所...; 许高博徐秋霞; 文献传递

电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法: 本发明是一种电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法，包括：电子束和光学混合和匹配曝光的套准标记的设计；用电子束曝光系统制备套准标记掩模版；采用光学投影系统将掩模版上的套准标记曝光在硅片上；采用干法刻蚀将套准标记转移...; 刘明徐秋霞陈宝钦龙世兵牛洁斌; 文献传递

半导体器件及其制造方法: 一种半导体器件及其制造方法，采用PECVD在NMOS器件上覆盖一层具有高紫外光吸收系数的氮化硅膜，该氮化硅膜在受激激光表面退火处理时，能很好地吸收紫外光，从而获得良好的去氢效果，并在去氢后，氮化硅膜具有很高的张应力；由于...; 殷华湘徐秋霞陈大鹏; 文献传递

半导体器件的制造方法: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上限定有源区；在半导体衬底的表面上形成界面氧化物层；在界面氧化物层上形成高K栅介质；在高K栅介质上形成第一金属栅层；在第一金属栅层上形成假栅层；将假栅层、第一...; 徐秋霞朱慧珑许高博周华杰陈大鹏; 文献传递

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共37页<1 2 3 4 5 6 7 8 9 10>

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