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马信洲

作品数：7 被引量：4H指数：1
供职机构：厦门大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划福建省自然科学基金更多>>
相关领域：金属学及工艺电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇刻蚀
  • 3篇电化学
  • 3篇电化学刻蚀
  • 3篇微加工
  • 3篇GAAS
  • 2篇电化学抛光
  • 2篇电极
  • 2篇电解池
  • 2篇约束刻蚀剂层...
  • 2篇凝胶
  • 2篇抛光
  • 2篇琼脂糖
  • 2篇琼脂糖凝胶
  • 2篇化学抛光
  • 2篇工作电极
  • 2篇光学
  • 2篇光学元件
  • 2篇硅表面
  • 2篇硅片
  • 2篇硅片表面

机构

  • 7篇厦门大学
  • 1篇哈尔滨工业大...

作者

  • 7篇马信洲
  • 6篇张力
  • 6篇汤儆
  • 5篇田昭武
  • 3篇庄金亮
  • 1篇孙立宁
  • 1篇何辉忠
  • 1篇丁庆勇
  • 1篇曲东升
  • 1篇林密旋

传媒

  • 1篇物理化学学报
  • 1篇第十四次全国...

年份

  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
P型硅表面微结构的电化学加工方法
P型硅表面微结构的电化学加工方法，涉及一种硅表面的加工。提供一种低成本、加工步骤简单且无需掩模光刻等复杂工艺，并可一次性在P型硅表面直接刻蚀加工微结构的新型电化学加工方法。包括以下步骤：将原始母版上的微结构转移至琼脂糖表...
汤儆张力庄金亮马信洲田昭武
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微圆盘电极技术测定表面化学微加工时的约束刻蚀剂浓度分布被引量：4
2006年
利用微圆盘电极技术,测定了KBr、L-胱氨酸和硫酸组成的刻蚀溶液体系中Pt电极表面电化学氧化产生的刻蚀剂Br2浓度分布,为约束刻蚀剂层技术(CELT)中刻蚀体系的选择和优化提供更直观的依据.GaAs表面CELT微加工实验证明了用微圆盘电极测得的表面刻蚀剂的浓度分布趋势与微加工实验所得到的结果一致.
汤儆马信洲何辉忠张力林密旋曲东升丁庆勇孙立宁
关键词：约束刻蚀剂层技术L-胱氨酸GAAS
P型硅表面微结构的电化学加工方法
p型硅表面微结构的电化学加工方法，涉及一种硅表面的加工。提供一种低成本、加工步骤简单且无需掩模光刻等复杂工艺，并可一次性在P型硅表面直接刻蚀加工微结构的新型电化学加工方法。包括以下步骤：将原始母版上的微结构转移至琼脂糖表...
汤儆张力庄金亮马信洲田昭武
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GaAs上微/纳光学元件制备方法
GaAs上微/纳光学元件制备方法，涉及一种微/纳光学元件。提供一种低成本、方法简单且无需掩模光刻等复杂工艺，并可一次性在半导体GaAs材料表面直接刻蚀加工微/纳光学阵列元件的制备方法。用具有微/纳光学阵列的石英为原始母版...
汤儆张力马信洲田昭武
文献传递
约束刻蚀剂层技术用于Ni-Ti合金、熔融石英和ZnO纳米线阵列的三维微加工的研究
随着微机电系统、微光学、微芯片等领域的发展，促进了微／纳加工技术的发展与完善。微细加工技术是当今微机电系统领域研究的热点和核心，是人类探究微纳世界的必不可少的工具。一个工艺简单、用途广泛、能批量加工出复杂的三维微结构的加...
马信洲
关键词：NI-TI合金熔融石英ZNO纳米线约束刻蚀剂层技术
文献传递
可应用于半导体材料微/纳结构制备的新型电化学刻蚀加工技术
半导体材料是微系统中最为重要的材料。其中Si的应用最为广泛，因其优良的电子和机械性能，Si的微加工已经成为微系统加工技术的核心技术之一。本文比较了三维微加工的电化学方法（约束刻蚀剂层技术）与电化学刻蚀加工技术的优缺点，分...
汤儆张力马信洲庄金亮田昭武
关键词：半导体材料电化学刻蚀
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GaAs上微/纳光学元件制备方法
GaAs上微/纳光学元件制备方法，涉及一种微/纳光学元件。提供一种低成本、方法简单且无需掩模光刻等复杂工艺，并可一次性在半导体GaAs材料表面直接刻蚀加工微/纳光学阵列元件的制备方法。用具有微/纳光学阵列的石英为原始母版...
汤儆张力马信洲田昭武
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