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丁斯晔
作品数:
1
被引量:1
H指数:1
供职机构:
中国科学院
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发文基金:
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相关领域:
电子电信
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合作作者
颜官超
中国科学院
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周海洋
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2006
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HMDSO/H_2等离子体化学气相沉积非晶包覆纳米α-SiC薄膜的实验研究
被引量:1
2006年
本文利用六甲基二硅氧烷(HMDSO)作为先驱物质、氢气为稀释气体,进行了等离子体化学气相沉积碳硅薄膜的实验研究。运用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜和X射线光电子能谱对薄膜的成份和结构进行了分析。结果表明,在生长温度为750℃的条件下成功地得到了纳米-αSiC沉积,碳化硅晶粒被包覆在非晶的SiOxCy∶H成分中。薄膜由椭球状的颗粒组成,且随着HMDSO比例的增加,薄膜的结晶度和表面均匀性都得到改善。高流量氢气和HMDSO单体的使用被认为有效地促进了-αSiC晶体的形成。
颜官超
丁斯晔
朱晓东
周海洋
温晓辉
丁芳
关键词:
纳米
HMDSO
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