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任国强

作品数：32 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信金属学及工艺化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 6篇理学
  • 5篇金属学及工艺
  • 5篇电子电信
  • 2篇化学工程

主题

  • 12篇助熔剂
  • 11篇单晶
  • 11篇液相外延
  • 11篇液相外延生长
  • 9篇助熔剂法
  • 7篇氮化
  • 7篇热法
  • 7篇籽晶
  • 6篇氮化镓
  • 5篇氮化物
  • 5篇化物
  • 4篇稀土
  • 4篇离子
  • 4篇离子半径
  • 4篇金属
  • 4篇晶格
  • 4篇晶格畸变
  • 3篇热力学
  • 3篇过饱和度
  • 3篇GAN

机构

  • 32篇中国科学院
  • 5篇苏州纳维科技...
  • 4篇中国科学技术...

作者

  • 32篇任国强
  • 30篇徐科
  • 23篇王建峰
  • 14篇刘宗亮
  • 4篇黄凯
  • 4篇张锦平
  • 4篇张育民
  • 4篇曾雄辉
  • 4篇包峰
  • 3篇徐俞
  • 3篇胡晓剑
  • 3篇张纪才
  • 2篇黄俊
  • 1篇邱永鑫
  • 1篇郑树楠
  • 1篇许磊

传媒

  • 5篇人工晶体学报
  • 2篇第13届全国...
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 2篇2024
  • 3篇2023
  • 3篇2022
  • 5篇2020
  • 4篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2012
  • 2篇2010
共 32 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
自分离氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法
本发明公开了一种助熔剂法生长自分离氮化镓单晶的方法，包括：采用助熔剂法，以自支撑氮化镓作为籽晶，在所述自支撑氮化镓上生长微孔层；以及利用液相外延方法在所述微孔层上生长获得自分离氮化镓单晶。较之现有技术，本发明通过控制助熔...
刘宗亮徐科任国强王建峰
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助熔剂法连续生长氮化物体单晶用补充机构、系统及方法
本发明公开了一种助熔剂法连续生长氮化物体单晶用补充机构、系统及方法。所述补充机构包括：用以容置待补充生长原料的承装密封腔、导流管路、导流部件及压力供给组件，所述承装密封腔与压力供给组件连通，所述承装密封腔与导流部件通过导...
刘宗亮徐科任国强王建峰
文献传递
GaN体单晶的氨热生长及应力调控被引量：1
2019年
采用氨热法在碱性条件下生长了GaN体单晶,SEM照片显示晶体表面有大量裂纹。用拉曼光谱测量GaN晶体的E2(high)声子拉曼峰,结果表明晶体内部应力波动较大。通过减小温度梯度、籽晶优选及降温程序优化后,得到了无裂纹的氮化镓晶体,(002)和(102)的X射线摇摆曲线FWHM分别为48 arcsec和54 arcsec,显微拉曼光谱表明经过工艺优化后的晶体应力显著降低,应力的来源主要为生长过程中杂质的引入。
燕子翔李腾坤苏旭军高晓冬任国强任国强
极低位错密度氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法
本发明公开了一种助熔剂法生长极低位错密度氮化镓单晶的方法，包括：于氮化镓衬底上设置图形化掩膜；以所述氮化镓衬底作为籽晶，利用液相外延方法生长获得低位错密度氮化镓单晶；对所述低位错密度氮化镓单晶进行位错选择腐蚀，并对腐蚀区...
刘宗亮徐科任国强王建峰
掺杂Mg的p型Ⅲ族氮化物单晶及其制备方法和应用
本发明公开了一种掺杂Mg的p型III族氮化物单晶及其制备方法和应用。所述制备方法包括：掺杂Mg的III族氮化物多晶、III族氮化物籽晶在超临界态的氨中，以及400～750℃、150MPa～600Mpa的条件下获得所述掺杂...
李腾坤任国强苏旭军高晓冬刘宗亮王建峰徐科
文献传递
金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法
本发明揭示了一种金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法，其特征在于：在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入三甲基硼或三甲基铝，在牛长过程中所述硼或铝以三价离子的形式进入GaN晶格，调配稀土离子和Ga<Sup>...
曾雄辉徐科王建峰任国强包峰黄凯张锦平
Na Flux法生长GaN体单晶
GaN单晶衬底在Ⅲ-Ⅴ族半导体器件方面,具有重大的意义和广阔的应用前景。为了进一步提高功率器件的性能和可靠性,需要采用极低缺陷密度单晶GaN衬底。目前,GaN体单晶的主要生长方法有HVPE、氨热法、高压熔液法和Na Fl...
刘宗亮任国强苏旭军王建峰徐科
分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法
本发明揭示了一种分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法，在生长过程中掺杂稀土离子，取代部分Ga<Sup>3+</Sup>的晶格格位，其特征在于：在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入III族元素硼或铝，在生长过程中所述...
曾雄辉徐科王建峰任国强黄凯包峰张锦平
极低位错密度氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法
本发明公开了一种助熔剂法生长极低位错密度氮化镓单晶的方法，包括：于氮化镓衬底上设置图形化掩膜；以所述氮化镓衬底作为籽晶，利用液相外延方法生长获得低位错密度氮化镓单晶；对所述低位错密度氮化镓单晶进行位错选择腐蚀，并对腐蚀区...
刘宗亮徐科任国强王建峰
文献传递
HVPE生长GaN衬底研究进展
王建峰徐科任国强张纪才蔡德敏徐俞张育民胡晓剑王明月
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