王悦湖
- 作品数：111 被引量：27H指数：3
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- 相关领域：电子电信理学化学工程核科学技术更多>>
- 带有N型漂移层台面的碳化硅UMOSFET器件及制作方法
- 本发明涉及一种带有N型漂移层台面的碳化硅UMOSFET器件及制作方法，该碳化硅UMOSFET器件包括栅极、多晶硅、槽栅介质、源极、源区接触、p-外延层、N-漂移层台面、N-漂移层、N+衬底和漏极，其中，所述N-漂移层台面...
- 宋庆文蒋明伟汤晓燕张艺蒙贾仁需王悦湖张玉明
- 文献传递
- 4H-SiC同质外延膜的研究
- ＜正＞4H-SiC（Eg=3.26ev）作为宽禁带半导体材料的代表之一,具有高击穿电场（3 MV/cm）,,高热导率 （4.9 W/cm K）,,高载流子饱和漂移速度等优良特性,因此 SiC 电子器件在高温,高频,高功率...
- 王悦湖张玉明张义门贾仁需张书霞
- 文献传递
- 钒受主能级在n型4H-SiC中的深能级瞬态傅里叶谱和光致发光(英文)
- 2008年
- 借助深能级瞬态傅里叶谱研究了钒离子注入在SiC中引入的深能级陷阱.掺入的钒在4 H-SiC中形成两个深受主能级,分别位于导带下0.81和1.02eV处,其电子俘获截面分别为7.0×10-16和6.0×10-16cm2.对钒离子注入4 H-SiC样品进行低温光致发光测量,同样发现两个电子陷阱,分别位于导带下0.80和1.16eV处。结果表明,在n型4 H-SiC掺入杂质钒可以同时形成两个深的钒受主能级,分别位于导带下0.8±0.01和1.1±0.08eV处.
- 王超张义门张玉明王悦湖徐大庆
- 关键词：4H-SIC
- 一种控制氢气流量P型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
- 本发明涉及一种控制氢气流量P型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，所述制备方法包括以下步骤：（1）将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；（2）向反应室通入H<Sub>2</Sub>直至反应室气压到达1...
- 王悦湖胡继超张艺蒙宋庆文张玉明
- 文献传递
- 高能量钒注入n型4H-SiC的欧姆接触形成(英文)
- 2007年
- 借助二次离子质谱法分析了注入的钒离子在碳化硅中的分布.即使经过1650℃的高温退火,钒在碳化硅中的再扩散也不显著.退火并没有导致明显的钒向碳化硅表面扩散形成堆积的现象,由于缺少钒的补偿作用,表面薄层的自由载流子浓度保持不变.采用线性传输线模型测量了钒注入n型4H-SiC上的Ni基接触电阻,在1050℃下,在氮、氢混合气体中退火10min,形成的最低比接触电阻为4.4×10-3Ω.cm2.金属化退火后的XRD分析结果表明,镍、碳化硅界面处形成了Ni2Si和石墨相.观测到的石墨相是由于退火导致C原子外扩散并堆积形成,同时在碳化硅表面形成C空位.C空位可以提高有效载流子浓度,降低势垒高度并减小耗尽层宽度,对最终形成欧姆接触起到了关键作用.
- 王超张义门张玉明郭辉徐大庆王悦湖
- 关键词：欧姆接触
- 具有块状沟槽和埋层的浮动结碳化硅SBD器件
- 本发明涉及一种具有块状沟槽和埋层的浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，其包括金属、SiO<Sub>2</Sub>隔离介质、沟槽、一次N<Sup>‑</Sup>外延层、P<Sup>+</Sup>离子注入区、二次N<Sup>...
- 宋庆文杨帅汤晓燕张艺蒙贾仁需张玉明王悦湖
- 文献传递
- 一种具有深沟槽的浮动结碳化硅SBD器件
- 本发明涉及一种具有深沟槽的浮动结碳化硅SBD器件，其包括金属、SiO<Sub>2</Sub>隔离介质、沟槽、一次N<Sup>-</Sup>外延层、P<Sup>+</Sup>离子注入区、二次N<Sup>-</Sup>外延层...
- 杨帅宋庆文汤晓燕张艺蒙贾仁需张玉明王悦湖
- 串联式PIN结构α辐照电池及其制备方法
- 本发明公开了一种串联式PIN结构α辐照电池及其制备方法，主要解决现有技术中制作碳化硅辐照电池能量转换效率低、输出电压有限的问题。其由上下两个串联的PIN结构成；上PIN结包括N型外延层欧姆接触电极、N型高掺杂外延层、P型...
- 郭辉赵亚秋宋庆文王悦湖张玉明
- 文献传递
- 一种控制掺杂源流量N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
- 本发明涉及一种控制掺杂源流量N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；(2)向反应室通入H<Sub>2</Sub>直至反应室气压到达...
- 王悦湖胡继超宋庆文张艺蒙张玉明
- 文献传递
- 同质外延生长SiC外延层及表面形貌分析
- 在硅面(0001)方向偏8°4H-SiC衬底上生长外延层，生长温度为1580℃，压力为100mbar，采用气垫旋转技术的低压水平热壁反应系统(LP-HW-CVD)，得到了高质量的外延层。外延层表面形貌用扫描电子...
- 王悦湖张书霞张义门张玉明
- 关键词：碳化硅
