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赵善麒

作品数：24 被引量：23H指数：4
供职机构：北京电力电子新技术研究开发中心更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 6篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 15篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 20篇晶闸管
  • 12篇双向晶闸管
  • 6篇光控
  • 4篇功率
  • 4篇辐照
  • 4篇大功率
  • 3篇电力半导体
  • 3篇电力半导体器...
  • 3篇退火
  • 3篇可控硅
  • 3篇快速晶闸管
  • 3篇光控晶闸管
  • 3篇合金
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体器件
  • 2篇电子辐照
  • 2篇短路
  • 2篇短路点
  • 2篇直径
  • 2篇双向可控硅

机构

  • 18篇吉林大学
  • 7篇北京电力电子...
  • 5篇山东师范大学
  • 4篇沈阳工业大学
  • 1篇复旦大学
  • 1篇电子部
  • 1篇东北微电子研...

作者

  • 24篇赵善麒
  • 7篇高鼎三
  • 5篇裴素华
  • 4篇薛成山
  • 4篇潘福泉
  • 2篇赵慕愚
  • 2篇邢建力
  • 2篇徐宝琨
  • 2篇才宏
  • 1篇孟繁英
  • 1篇王正元
  • 1篇赵纯
  • 1篇李天望
  • 1篇李天望
  • 1篇贾林
  • 1篇韩杰
  • 1篇李景荣
  • 1篇郑景春
  • 1篇李树良

传媒

  • 4篇Journa...
  • 2篇吉林大学自然...
  • 2篇电力电子技术
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子学报
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇辐射研究与辐...
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇半导体光电
  • 1篇中国电工技术...

年份

  • 1篇2000
  • 3篇1998
  • 2篇1997
  • 1篇1995
  • 5篇1994
  • 3篇1993
  • 4篇1992
  • 2篇1991
  • 3篇1990
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
双向晶闸管通态电压特性曲线分析被引量：4
2000年
根据实验数据给出了双向晶闸管(TRIAC)的通态电压特性曲线。通过对特性曲线的分析,认为用铬-镍-银阻挡层烧结新工艺可大大改善双向晶闸管的双向通态特性。
李树良赵善麒
关键词：双向晶闸管通态特性
一种新的大功率电力半导体器件的烧结工艺
1995年
在现有的硅－铝－钼（Ｓｉ－Ａｌ－Ｍｏ）烧结工艺的基础上，引入了铬（Ｃｒ）、镍（Ｎｉ）、银（Ａｇ）金属阻挡层，并将这一新的金属阻挡层烧结工艺应用到双向晶闸管的生产中。结果表明，该工艺能得到浅而平坦的烧结合金结，并能改善器件的反向阻断特性和通态特性的一致性，提高器件的成品率．
赵善麒郑景春李景荣
关键词：双向晶闸管合金
一种改善快速晶闸管 dv/dt、di/dt 耐量的方法被引量：4
1997年
分析了借助镓高斯函数浓度分布改善快速晶闸管ｄｖ／ｄｔ、ｄｉ／ｄｔ耐量的机理，并给出实验结果。
裴素华薛成山赵善麒
关键词：电流上升率晶闸管
一种光控双向晶闸管的设计
本发明是对光控双向晶闸管的设计。;设计了一种新的锥形槽状光敏门极结构，在器件的两个晶闸管内均采用了带短路点的放大门极结构，在放大门极部位采用了槽状结构，两个晶闸管的阴极图形采用了扇形结构。在工艺上，用B-Al乳胶源完成P...
赵善麒高鼎三
文献传递
高灵敏度500A,2000V光控晶闸管的研制
1990年
本文介绍一种高灵敏度光触发晶闸管的结构特点及关键的生产工艺,并对该器件进行了理论分析和主要参数的计算机辅助设计,提出了带有薄n层的台阶形光敏门极结构可使器件获得较高的光触发灵敏度和较好的触发灵敏度与dv/dt耐量间的协调关系。研制成功的直径为45mm、容量为500A、耐压为2000V的器件的最小光触发功率小于3mW,dv/dt耐量大于1000V/μs,di/dt耐量大于100A/μs通态峰值压降小于2V。
赵善麒高鼎三潘福泉
关键词：光控晶闸管晶闸管灵敏度
高能电子束辐照改善电力半导体器件特性研究被引量：1
1998年
用12MeV电子束对普通高压晶闸管、快速晶闸管、双向晶闸管进行辐照，测试这几种器件的主要电学参数。实验发现12MeV电子辐照能明显改善这些电力半导体器件的电学性能。辐照后的器件经过退火处理，可以长期稳定工作。
赵善麒李天望裴素华
关键词：电子束辐照功率半导体器件退火晶闸管
Ga阶梯分布改善快速晶闸管耐压特性被引量：2
1998年
利用开管扩Ｇａ系统，分段控制掺杂量，使杂质Ｇａ在硅中形成阶梯形分布，用于快速晶闸管的研制，理论分析与测试结果表明，器件阻断耐压值比原高斯函数分布提高２００Ｖ左右，且通态特性和动态特性保持优良。实验证明，Ｇａ的阶梯分布是制造快速晶闸管的一条新途径。
裴素华赵善麒薛成山江玉清孟繁英
关键词：耐压特性晶闸管掺杂
中心锥形槽状光敏门极的200A，1200V光控双向晶闸管的研制
1994年
本文具体描述了锥形槽状光敏门极结构光控双向晶闸管的设计思想，介绍了该新型结构器件的关键的生产工艺，并对器件的触发特性进行了较深入的理论研究．研制成功的直径为３０ｍｍ，电流容量为２００Ａ，耐压为１２００Ｖ；的光控双向晶闸管的最小光触发功率小于１３ｍｗ，通态峰值压降小于１．５Ｖ，换向ｄｖ／ｄｔ耐量大于１００Ｖ／μｓ，换向ｄｉ／ｄｔ耐量大于５０Ａ／μｓ．
赵善麒高鼎三王正元
关键词：双向可控硅
大功率光控双向晶闸管的研制
赵善麒
一种改进大功率双向晶闸管换向能力的方法
本发明是一种用于12Mev电子辐照提高大功率双向晶闸管换向能力的方法。通过三种不同方式的辐照和辐照后的退火工艺，来实现器件全面参数的最佳化，这一新工艺可使双向晶闸管的成品率明显提高，将会创造一定的经济效益。
赵善麒
文献传递
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