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马英杰

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇量子
  • 3篇纳米
  • 3篇光致
  • 3篇光致发光
  • 3篇发光
  • 2篇点阵
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇小尺寸
  • 2篇离子刻蚀
  • 2篇量子点
  • 2篇量子结构
  • 2篇量子逻辑
  • 2篇刻蚀
  • 2篇光谱
  • 2篇发光特性
  • 2篇反应离子
  • 2篇反应离子刻蚀
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延

机构

  • 8篇复旦大学

作者

  • 8篇蒋最敏
  • 8篇钟振扬
  • 8篇马英杰
  • 5篇樊永良
  • 3篇杨新菊
  • 2篇徐飞
  • 2篇陈丹丹
  • 2篇吴琼
  • 2篇崔健
  • 1篇杨新菊

传媒

  • 2篇第十届全国分...
  • 2篇中国物理学会...

年份

  • 5篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
三维SiGe量子点晶体的生长与光荧光特性
点晶体的概念是类比于原子晶体而得到的.即,将每个量子点看成一个“人工原子”,将由量子限制效应而产生的量子点局域化分立能级类比于原子能级,当量子点系综空间三维排列有序、量子点彼此近邻耦合、量子点尺寸高度均匀这三个条件被同时...
马英杰钟振扬杨新菊樊永良蒋最敏
关键词：SIGE分子束外延荧光谱
高度有序的小尺寸硅基纳米坑阵列的制备方法
本发明属于纳米结构制备技术领域，具体为一种高度有序的小尺寸硅基纳米坑阵列的制备方法。本发明利用大直径聚苯乙烯纳米球，在Si衬底上自组装生成单层纳米球膜作为掩模，经过反应离子刻蚀，直流溅射金薄膜和选择性腐蚀等多次工艺后，最...
钟振扬马英杰崔健樊永良蒋最敏
文献传递
三维SiGe量子点晶体及单双SiGe量子点的可控生长
近些年来，随着硅半导体工艺的发展与微纳加工技术的成熟，人们可以方便的在块材、薄膜等材料上加工各种丰富的纳米结构，进而实现对光子、电子的限制与调控。
马英杰钟振扬夏劲松蒋最敏
关键词：SIGE分子束外延量子点双量子点
退火效应对自组织多层锗量子点光致发光的影响
比较研究退火效应对多层锗量子点光致发光(PL)的影响,我们利用固源分子束外延设备在550 ℃的生长温度下,在Si(001) 衬底上生长出11层锗量子点样品,并分别在600、650、700和750 ℃对原生长样品在form...
吕泉马英杰叶枫枫杨新菊钟振扬蒋最敏
关键词：退火效应光致发光拉曼光谱
三维GeSi量子点晶体及单双GeSi量子点的可控生长
在量子点领域近些年的研究工作中，研究人员们主要关心两个方面的问题。一是由多个近邻耦合量子点所组成的量子点系综的物理性质，并探索基于这些耦合量子点系综的可能器件应用。二是单个量子点的光学、电学特性及其可能的器件应用。除以上...
马英杰钟振扬夏劲松蒋最敏
关键词：低维纳米结构晶体生长
文献传递
石墨烯对于锗硅量子点/石墨烯复合结构发光特性的影响
我们将单层的石墨烯覆盖在通过分子束外延在Si(001)衬底上自组织生长10 层有序的锗硅量子点锗硅上，形成特殊的锗硅量子点/石墨烯复合结构，量子点的周期性为100nm.通过测量我们发现，该复合结构的光学特性有了极大的改变...
陈雨璐马英杰陈丹丹吴琼徐飞樊永良杨新菊钟振扬蒋最敏
关键词：石墨烯光致发光
高度有序的小尺寸硅基纳米坑阵列的制备方法
本发明属于纳米结构制备技术领域，具体为一种高度有序的小尺寸硅基纳米坑阵列的制备方法。本发明利用大直径聚苯乙烯纳米球，在Si衬底上自组装生成单层纳米球膜作为掩模，经过反应离子刻蚀，直流溅射金薄膜和选择性腐蚀等多次工艺后，最...
钟振扬马英杰崔健樊永良蒋最敏
通过石墨烯调制锗硅量子点/石墨烯复合结构的发光特性
我们将单层的石墨烯覆盖在通过分子束外延在Si(001)衬底上自组织生长10层有序的锗硅量子点锗硅上，形成特殊的锗硅量子点/石墨烯复合结构，量子点的周期性为100nm(图1).通过测量我们发现，该复合结构的光学特性有了极大...
陈雨璐马英杰陈丹丹吴琼徐飞樊永良杨新菊钟振扬蒋最敏
关键词：石墨烯光致发光
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