您的位置： 专家智库 > >

严永鑫

作品数：6 被引量：9H指数：2
供职机构：北京工业大学电子工程系更多>>
发文基金：国家自然科学基金北京市科技新星计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 3篇欧姆接触
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体器件
  • 2篇共形
  • 2篇AU
  • 2篇MESFET
  • 2篇N-GAAS
  • 1篇代数
  • 1篇砷化镓
  • 1篇群代数
  • 1篇可靠性
  • 1篇化合物半导体
  • 1篇GAAS

机构

  • 6篇北京工业大学

作者

  • 6篇严永鑫
  • 4篇李志国
  • 4篇孙英华
  • 3篇程尧海
  • 3篇郭伟玲
  • 2篇穆甫臣
  • 2篇吉元
  • 2篇李静
  • 2篇李学信

传媒

  • 2篇北京工业大学...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1993
共 6 条 记 录，以下是 1-6
全选 清除 导出
排序方式：
对Fukui法测量MESFET栅极串联电阻的改进被引量：2
1999年
本文描述了改进的 Fukui法 .利用改进的 Fukui法可以精确地测量 Ga As MESFET的栅极串联电阻 .实测结果表明 ,漏 -源电阻的测量受栅势垒内建电势影响较小而受夹断电压影响较大 ,从漏 -源电阻与 X( X为栅势垒内建电势、夹断电压和栅 -源电压的函数 )
穆甫臣李志国张万荣郭伟玲孙英华严永鑫
关键词：MESFET半导体器件
Au／AuGeNi／n－GaAs欧姆接触失效机理的研究
1995年
本文对Ａｕ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ欧姆接触进行了三种不同的应力试验：（１）高温存储（ＨＴＳ），（２）常温大电流（ＨＣ），（３）高温适当电流。试验结果表明，三种试验均造成了实验后期欧姆接触电阻增大，最后导致欧姆接触失效。ＡＥＳ分析表明，试验后的样品发生了Ｎｉ，Ａｕ和ＧａＡｓ的互扩散。
李志国李静孙英华吉元程尧海严永鑫李学信
关键词：欧姆接触半导体器件
二维系统中的共形群被引量：1
1993年
确定了共形映射与坐标变换之间的关系;推导了共形群的四个子群和二维共形Ward恒等式;综述了二维共形场论的理论基础及其于Virasoro代数的关系。
严永鑫
二维共形群代数的表示和分类及其在临界现象中的应用
1993年
在BPZ理论的基础上,系统地推导了二维共形群的Virasoro代数的表示空间,Kac行列式的计算和FQS对共形群代数的分类,以及该理论在临界现象中的应用。
严永鑫
Au／AuGeNi／n－GaAs欧姆接触失效机理的研究被引量：3
1996年
对Ａｕ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ欧姆接触进行了三种不同的应力试验：（１）高温存储（ＨＴＳ），（２）常温大电流（ＨＣ），（３）高温适当电流。试验结果表明，三种试验均造成了试验后期欧姆接触电阻增大，最后导致欧姆接触失效。ＡＥＳ分析表明，试验后的样品发生了Ｎｉ、Ａｎ和ＧａＡｓ的互扩散。
李志国李静孙英华郭伟玲吉元程尧海严永鑫李学信
关键词：半导体器件化合物半导体欧姆接触
GaAs MESFET欧姆接触可靠性研究进展被引量：3
1998年
报道了ｎ型ＧａＡｓ上欧姆接触的制备及其可靠性，以及基于欧姆接触退化的ＧａＡｓＭＥＳ－ＦＥＴ的失效分析。结果表明，ｎ型ＧａＡｓ上欧姆接触的制备已日趋成熟，接触电阻有所减小，表面形貌及热稳定性方面都得到了很大程度的提高，接触材料也日趋丰富，ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的失效分析方法也有明显改进。
穆甫臣李志国郭伟玲张万荣孙英华程尧海严永鑫
关键词：MESFET欧姆接触可靠性砷化镓
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0