刘军林
- 作品数：6 被引量：11H指数：2
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金西安交通大学博士学位论文基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺一般工业技术更多>>
- 坩埚石墨化度对SiC单晶生长过程的影响被引量：2
- 2005年
- 研究了用改进Lely法制备SiC单晶的过程中坩埚石墨化度对物质传输和晶体生长速度的影响。在不同温度下进行石墨化处理得到了实验所用的坩埚。用XRD方法定量测定了晶体生长前坩埚的石墨化度,并用SEM分析了晶体牛长后坩埚内壁的反应情况。实验结果表明,石墨坩埚在SiC晶体生长过程中是一个非常重要的碳源提供者；当坩埚的石墨化程度较低时,晶体的生长速度快,生长速度由生长温度所控制；随着坩埚石墨化程度的提高,晶体生长速度减慢并由坩埚石墨化度所控制：当石墨化度进一步提高的时候,籽晶被碳化,晶体不能正常生长。
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- 关键词：石墨化度单晶生长SIC
- 与阿片类物质依赖相关的TH基因SNP位点的检测方法及其应用
- 本发明公开了一种与阿片类物质依赖相关的TH基因SNP位点的检测方法及其应用，本发明根据TH基因SNP位点rs10770140多态性与阿片类物质依赖(OD)的相关性，设计了用于扩增TH基因多态性位点所在序列片段的特异引物，...
- 阎春霞李少卿张宝朱峰杨婧思刘军林张玉向吴亚楠
- 文献传递
- SiC单晶制备与晶体缺陷研究
- 刘军林
- 关键词：碳化硅单晶制备感应炉晶体缺陷
- 文献传递
- 附加碳源对SiC单晶生长过程的影响(英文)被引量：2
- 2007年
- 研究了用物理气相传输(PVT)法制备SiC单晶的过程中附加碳源对晶体生长速度及缺陷的影响,并将活性炭与SiC粉末一起加入到石墨坩埚中进行晶体生长。用XRD分别测定了晶体生长前后坩埚与活性炭的石墨化度,并用光学显微镜观察了晶体中的缺陷。结果表明,随晶体生长过程的进行石墨坩埚的活性降低,直接导致晶体生长速度减慢,并使籽晶表面Si液相形成的可能性增大,与Si液相相关的缺陷增多。活性炭的加入给生长过程提供了充足的碳源,提高了晶体的生长速度,并抑制了籽晶表面Si液相的形成,从而降低了与Si液相相关缺陷出现的几率。
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- 关键词：PVTSIC晶体
- 与阿片类物质依赖相关的TH基因SNP位点的检测方法及其应用
- 本发明公开了一种与阿片类物质依赖相关的TH基因SNP位点的检测方法及其应用，本发明根据TH基因SNP位点rs10770140多态性与阿片类物质依赖(OD)的相关性，设计了用于扩增TH基因多态性位点所在序列片段的特异引物，...
- 阎春霞李少卿张宝朱峰杨婧思刘军林张玉向吴亚楠
- 文献传递
- 6H-SiC单晶中的蜷线
- 2007年
- 用PVT法制备了6H-SiC。用光学显微镜观察了晶体生长面的原生形貌。讨论了6H-SiC中蜷线的形状及其形成机理。蜷线起源于螺旋位错,它们的形状则决定于这些位错的符号与相对位置。在(0001)Si面上,蜷线表现为圆形螺旋,而在(0001)C面上则表现为六角形螺旋。通常情况下,蜷线的极点没有任何包裹物。然而在某些情况下,蜷线的极点会出现包裹物,如夹杂、微管、孔洞或者负晶等。当(0001)Si面作为生长面时,6H-SiC单晶的生长机制符合螺旋位错模型(BCF理论模型)。
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- 关键词：碳化硅位错
