蒋仙
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
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- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 6H-SiC单晶中的蜷线
- 2007年
- 用PVT法制备了6H-SiC。用光学显微镜观察了晶体生长面的原生形貌。讨论了6H-SiC中蜷线的形状及其形成机理。蜷线起源于螺旋位错,它们的形状则决定于这些位错的符号与相对位置。在(0001)Si面上,蜷线表现为圆形螺旋,而在(0001)C面上则表现为六角形螺旋。通常情况下,蜷线的极点没有任何包裹物。然而在某些情况下,蜷线的极点会出现包裹物,如夹杂、微管、孔洞或者负晶等。当(0001)Si面作为生长面时,6H-SiC单晶的生长机制符合螺旋位错模型(BCF理论模型)。
- 程基宽高积强刘军林蒋仙杨建峰乔冠军
- 关键词：碳化硅位错
- 附加碳源对SiC单晶生长过程的影响(英文)被引量：2
- 2007年
- 研究了用物理气相传输(PVT)法制备SiC单晶的过程中附加碳源对晶体生长速度及缺陷的影响,并将活性炭与SiC粉末一起加入到石墨坩埚中进行晶体生长。用XRD分别测定了晶体生长前后坩埚与活性炭的石墨化度,并用光学显微镜观察了晶体中的缺陷。结果表明,随晶体生长过程的进行石墨坩埚的活性降低,直接导致晶体生长速度减慢,并使籽晶表面Si液相形成的可能性增大,与Si液相相关的缺陷增多。活性炭的加入给生长过程提供了充足的碳源,提高了晶体的生长速度,并抑制了籽晶表面Si液相的形成,从而降低了与Si液相相关缺陷出现的几率。
- 程基宽高积强刘军林蒋仙杨建峰乔冠军
- 关键词：PVTSIC晶体
