卓雯
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
- 供职机构：武汉科技大学理学院更多>>
- 发文基金：湖北省教育厅科学技术研究项目冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 硫化反应生长ZnS薄膜的结构和光学性能研究
- 2016年
- 以物理气相沉积中的溅射和蒸发方法,在玻璃衬底上沉积Zn/S/Zn三层膜结构,然后在1atm压力的Ar气氛中退火制备ZnS薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见透射光谱对ZnS薄膜的晶体结构和光学性质及其生长机理进行研究。结果表明,在450℃温度下退火时,三层膜结构中高活性Zn和S容易发生硫化反应,形成的ZnS薄膜为立方晶体结构,沿(111)晶面择优生长;其ZnS特征吸收边出现在350nm附近,在可见光波长范围内,ZnS薄膜具有约80%的透光率;在450℃温度下退火后再于550℃温度下退火,所制ZnS薄膜的结晶性得到进一步提高。
- 李英龙张仁刚宋力刚卓雯陈书真
- 关键词：ZNS薄膜溅射透光率晶体结构硫化反应
- 硫化法制备ZnS薄膜的结构和光学性能研究
- 2013年
- 采用直流反应磁控溅射法，在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜，然后在H2S气氛和500℃温度下退火制备了六方ZnS薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、UV-VIS分光光度计、扫描电子显微镜（sEM）对样品进行了表征。结果表明：ZnO经0．5h硫化就能全部生成ZnS，适当提高硫化时间可改善ZnS的结晶性，但硫化时间超过2h后，结晶性会有所降低；所有制得ZnS薄膜都沿c轴择优生长，其晶粒明显比ZnO更大。此外，这些ZnS薄膜在500～1100am波长范围内的光透过率均高达约75％，带隙为3．65～3．70eV。
- 张仁刚卓雯王登京陈克亮徐千山
- 关键词：半导体ZNS薄膜磁控溅射硫化
- ZnS半导体薄膜材料可控制备与性能研究
- 本论文通过溅射和蒸镀方法沉积ZnO、Zn或Zn/S/Zn三层结构薄膜，并进行硫化处理，制备出ZnS薄膜。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜以及紫外-可见分光光度计等对薄膜进行了表征，研究了硫化条件对薄膜结构和光学性能的影响。...
- 卓雯
- 关键词：磁控溅射光学性能
- 文献传递
- 气相法制备ZnS薄膜材料研究进展
- 2013年
- 综述了近几年ZnS薄膜材料的气相沉积制备方法及其应用,主要讨论了真空蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积、分子束外延、金属有机物化学气相沉积、原子层沉积等制备方法的最新研究进展,指出了ZnS薄膜的各种气相沉积方法的优点和不足以及今后的发展趋势。
- 张仁刚卓雯陈克亮徐千山
- 关键词：ZNS薄膜气相沉积
- ZnO薄膜在硫蒸气中热硫化后结构和光学特性被引量：3
- 2012年
- 采用射频反应磁控溅射沉积了ZnO薄膜,然后在硫蒸气中于500℃硫化得到ZnS薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见透射光谱、俄歇电子能谱(AES)和多普勒展宽谱对薄膜进行了表征。ZnO硫化转变依赖于硫化时间。当硫化时间小于18 h时,ZnO只能部分转变为ZnS。只有当硫化时间等于或大于18h时,才能完全生成六方相ZnS薄膜,沿(0 0 10)晶面择优生长,硫化前后薄膜晶粒尺寸有显著变化。所得ZnS薄膜光吸收边宽化、光透过率低,ZnS薄膜带隙为3.54～3.66 eV。
- 张仁刚卓雯刘继琼王红军高恒
- 关键词：ZNS薄膜溅射硫化
- 退火对硫化方法制备ZnS薄膜特性的影响被引量：1
- 2013年
- 以反应磁控溅射方法沉积ZnO薄膜,然后在空气和H2S气氛中退火制备了六方相ZnS薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见透射光谱和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜进行表征。提高空气退火温度能够改善ZnS薄膜结晶性,而空气退火温度超过500℃则会降低ZnS薄膜结晶性。另外,当硫化退火温度低于400℃时,ZnO只能部分转变为ZnS,只有硫化温度等于或大于400℃时,ZnO才能全部转变为ZnS。硫化前后薄膜晶粒尺寸有显著变化。所得ZnS薄膜在可见光范围的透过率约为80%,带隙为3.61～3.70 eV。
- 张仁刚卓雯王玉华彭顺金陈克亮徐千山
- 关键词：ZNS薄膜溅射硫化
