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高恒

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：武汉科技大学理学院应用物理系更多>>
发文基金：冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室开放基金湖北省教育厅科学技术研究项目更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇硫化
  • 1篇结构和光学特...
  • 1篇溅射
  • 1篇光学
  • 1篇光学特性
  • 1篇ZNS薄膜
  • 1篇ZNO薄膜

机构

  • 1篇武汉科技大学

作者

  • 1篇张仁刚
  • 1篇卓雯
  • 1篇王红军
  • 1篇刘继琼
  • 1篇高恒

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
ZnO薄膜在硫蒸气中热硫化后结构和光学特性被引量：3
2012年
采用射频反应磁控溅射沉积了ZnO薄膜,然后在硫蒸气中于500℃硫化得到ZnS薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见透射光谱、俄歇电子能谱(AES)和多普勒展宽谱对薄膜进行了表征。ZnO硫化转变依赖于硫化时间。当硫化时间小于18 h时,ZnO只能部分转变为ZnS。只有当硫化时间等于或大于18h时,才能完全生成六方相ZnS薄膜,沿(0 0 10)晶面择优生长,硫化前后薄膜晶粒尺寸有显著变化。所得ZnS薄膜光吸收边宽化、光透过率低,ZnS薄膜带隙为3.54～3.66 eV。
张仁刚卓雯刘继琼王红军高恒
关键词：ZNS薄膜溅射硫化
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