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姜文海: 作品数：26 被引量：28H指数：4; 供职机构：南京电子器件研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划吉林省自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程经济管理更多>>

合作作者

Al_(0.66)Ga_(0.34)N日盲紫外光电探测器研究: 2008年; 采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-xN制备了金属-半导体-金属(MSM)结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经三轴X射线衍射(TAXRD)对外延材料进行测试,AlxGa1-xN半峰宽(FWHM)为155arcs,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试,探测器存在两个峰值响应,波长分别位于255、365nm处,说明探测器同时具有日盲探测和双色探测特征。在6V偏压下255nm处响应度为0.1A/W,并以此推算出AlxGa1-xN材料的Al含量为0.66。; 姜文海陈辰周建军李忠辉董逊; 关键词：响应度

提升蒸发法生长酞菁类化合物单晶的设备与方法: 提升蒸发法生长酞菁类化合物单晶的设备与方法，属于有机材料的单晶生长方法技术领域。本发明所设计的设备由晶体生长管(1)、生长炉(2)、热电偶(3)、数字控温仪(4)构成，晶体生长管(1)放置在生长炉(2)内由推杆(6)推动...; 杜国同姜文海王旭常玉春马春雨于书坤; 文献传递

MSM型氮化镓紫外探测器研究: 2009年; 以宽禁带半导体氮化镓材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。材料生长是以MOCVD设备完成的,为非故意掺杂的n型材料。器件在362nm处具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,在1.5 V偏压下响应度为0.71 A/W,紫外/可见抑制比接近103。通过击穿单侧肖特基结对另一侧的肖特基结进行测试,结果表明肖特基结具有较理想的特性,并以此对器件的工作方式和设计优化进行了讨论分析。; 姜文海陈辰周建军李忠辉郑惟彬董逊; 关键词：紫外探测器宽带隙

GaN MSM型紫外探测器: 采用以MOCVD设备生长的宽带隙非故意掺杂的n-GaN材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。在1.5V偏压下具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,其响应度为0.71A/W,峰值在362nm处,紫外/可见抑制比接近...; 姜文海陈辰李忠辉周建军董逊; 关键词：紫外探测器宽带隙; 文献传递

Mg掺杂Al_(0.5)Ga_(0.5)N薄膜的发光性质研究: 2012年; 利用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上采用AlN缓冲层制备了Mg掺杂Al0.5Ga0.5N薄膜。采用CL测试方法研究了Mg掺杂对Al0.5Ga0.5N薄膜光学特性的影响。测量表明,Mg掺杂导致在Al0.5Ga0.5N薄膜的发光谱中出现了3.9eV的发光带,其发光机理为束缚的施主-受主对(DAP)间的辐射复合跃迁。; 李亮李忠辉董逊彭大青张东国许晓军孙永强周建军孔月婵姜文海陈辰; 关键词：铝镓氮阴极射线发光金属有机物化学气相淀积

Al0.66Ga0.34N日盲紫外光电探测器研究: 采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-xN制备了金属半导体金属（MSM）结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经三轴X射线衍射（AXRD）对外延材料进行测试,AlxGa1-xN半峰宽（FWHM）...; 姜文海陈辰周建军李忠辉董逊; 关键词：响应度; 文献传递

GaN薄膜表面形貌与AlN成核层生长参数的关系被引量：2: 2011年; 采用金属有机物化学气相淀积技术生长了以AlN为成核层的GaN薄膜,研究了成核层生长时三甲基铝(TMAl)流量对最终GaN薄膜表面形貌的影响。研究结果表明,高质量的GaN薄膜只能在高TMAl流量下获得,采用充足的TMAl源才能形成满足需要的AlN成核点,这是生长高质量GaN薄膜的一个先决条件。; 倪金玉李忠辉李亮董逊章咏梅许晓军孔月婵姜文海; 关键词：金属有机物化学气相淀积

无需Cs激活的异质结型GaN负电子亲和势光电阴极: 本发明公开了一种无需Cs激活的异质结型GaN负电子亲和势光电阴极，包括：衬底，生长在所述衬底上的GaN/AlN超晶格缓冲层或AlN缓冲层，生长在GaN/AlN超晶格缓冲层或AlN缓冲层上的p-Al<Sub>x1</Sub...; 唐光华戴丽英钟伟俊姜文海; 文献传递

氮杂酞菁铜aza-CuPc的合成与晶体结构被引量：1: 2006年; The azaanalog of copper phthalocyanine（azaCuPc） complex C 24H 8CuN 16 was prepared by the so- lid phase synthesis technology and its single crystals was characterized by high power Xray from the synchrotron radiation. The crystal belongs to monoclinic system, space group P21/n with a=1.612 3（3） nm, b= 0.529 40（11） nm, c=1.906 4（4） nm, β=105.25（3）°, V=1.569 9（5） nm, Z=2, Mr=584.00, Dc=1.235 g/cm3, F（000）=586, the final R=0.063 1 and wR=0.153 9 for 757 observed reflections with I>2σ（I）, GOF=1.340.; 姜文海王旭马春雨于书坤叶开其常玉春杜国同; 关键词：固相法合成晶体结构

外围缩合四个1,10-啡啰啉单元的新氮杂酞菁的表面光伏响应及电场作用研究被引量：4: 2005年; 通过电场诱导表面光电压谱确定外围缩合4个1,10-啡啉单元的氮杂酞菁为p型有机半导体,并对各个谱带进行合理的归属.结果发现,Soret带长波侧光电压曲线在电场作用下轻微蓝移,根据电场对高极化度n轨道基态的影响,将其归属为n-π*跃迁.这一结果表明,光电属性与材料的分子结构和电子结构密切相关,为设计有机半导体模型提供了进一步的实验数据.; 侯小珂杜锡光马春雨李燕张清林王旭常玉春姜文海单士军姜秀英杜国同; 关键词：电场作用有机半导体光荧光