张国海
- 作品数：7 被引量：37H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- ULSI铜互连线技术中的电镀工艺被引量：19
- 2001年
- 通过对电镀液中加入适当的整平剂和采用三步电流法 ,成功地将工业镀铜技术应用于 UL SI铜互连线技术中 ,实现了对高宽比为 1μm∶ 0 .6 μm的刻孔的无空洞、无裂缝填充 .方阻测试表明 ,所镀铜膜的电阻率为2 .0 μΩ· cm,X射线衍射分析结果显示出的 Cu(111)
- 张国海钱鹤夏洋王文泉龙世兵
- 关键词：集成电路铜互连线电镀工艺
- 以注氮SiO_2 作为铜互连技术中的新型阻挡层(英文)被引量：1
- 2001年
- 采用给 PECVD Si O2 中注入氮的方法 ,形成一薄层氮氧化硅 ,以此作为一种新型的扩散阻挡层 .不同热偏压条件下的 C- V测试结果和 XPS分析结果表明 。
- 张国海夏洋钱鹤高文芳于广华龙世兵
- 关键词：超大规模集成电路铜互连阻挡层注氮
- SiO_2/Ta界面反应及其对铜扩散的影响(英文)被引量：1
- 2002年
- 利用磁控溅射方法在表面有SiO2 层的Si基片上溅射Ta/NiFe薄膜 ,采用X射线光电子能谱 (XPS)研究了SiO2 /Ta界面以及Ta5Si3 标准样品 ,并进行计算机谱图拟合分析 .实验结果表明在制备态下在SiO2 /Ta界面处发生了热力学上有利的化学反应 :37Ta +15SiO2 =5Ta5Si3 +6Ta2 O5,界面处形成更稳定的化合物新相Ta5Si3 、Ta2 O5.在采用Ta作阻挡层的ULSI铜互连结构中这些反应产物可能有利于对Cu扩散的阻挡 .
- 龙世兵马纪东于广华赵洪辰朱逢吾张国海夏洋
- 关键词：扩散阻挡层X射线光电子能谱XPS
- ULSI中铜互连线技术的研究
- 该论文的主要工作包括如下几点：1、提出了以注氮氧化层作为一种新型的扩散阻挡层.通过对不同热偏压条件下的C-V测试及XPS分析,证明了注氮氧化层对铜扩散的有效阻挡性.2、通过对镀液中加入适量的整平剂,并结合三步电流控制法,...
- 张国海
- 关键词：扩散阻挡层电镀化学机械抛光集成电感铜互连技术
- SiO_2/Ta界面反应及其对Cu扩散的影响被引量：2
- 2003年
- 利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基片上溅射Ta薄膜,采用X射线光电子能谱研究了SiO2/Ta界面以及Ta5Si3标准样品,并进行计算机谱图拟合分析.实验结果表明在制备态下在SiO2/Ta界面处有更稳定的化合物新相Ta5Si3和Ta2O5生成.在采用Ta作阻挡层的ULSI铜互连结构中这些反应产物可能有利于对Cu扩散的阻挡.
- 龙世兵马纪东于广华赵洪辰朱逢吾张国海夏洋
- 关键词：互连线扩散阻挡层X射线光电子能谱钽超大规模集成电路互连结构
- 硅片抛光机头吸盘
- 一种硅片抛光机头吸盘,有一机臂呈圆盘状,中心凸伸有一凸柱,一真空入口穿过机臂的中心;一真空腔体中心开有一圆孔,内部有一圆盘状的腔室与圆孔连通,真空腔体与圆孔相反的一面开有多数的微孔;一弹性膜为一圆片体,中心开有一通孔,弹...
- 夏洋张国海欧文申作成钱鹤
- 文献传递
- ULSI中铜互连线技术的关键工艺被引量：18
- 2001年
- 简述了 ULSI中采用以铜作为互连线技术的工艺过程及其研究发展状况 ,并着重对铜互连线技术中扩散阻挡层的选取。
- 张国海夏洋龙世兵钱鹤
- 关键词：ULSI铜互连线扩散阻挡层化学机械抛光工艺过程集成电路
