竺士炀
- 作品数：29 被引量：52H指数：3
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金上海市科学技术发展基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 改进的多孔硅生长模型和计算机模拟被引量：1
- 2003年
- 基于多孔硅生长过程中阳极化电流,氢氟酸(HF)含量与多孔硅微结构的关系,提出一个改进的多孔硅生长模型,并进行了计算机模拟.该模型吸收了限制扩散模型的优点,同时考虑了F-与空穴的反应过程因素,利用该模型可以模拟出多孔硅形成过程中大电流条件下的电化学抛光现象.二维(100×100)点阵模拟结果与实验数据具有较好的匹配性,模拟得出的多孔硅的多孔度同实验数据相比较,误差不超过10%.
- 张庆全竺士炀黄宜平
- 关键词：计算机模拟氢氟酸微结构
- 智能剥离———有竞争力的SOI制备新技术
- 1997年
- ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）技术被认为是２１世纪的硅集成电路技术．近年来，国际上出现了一种引人注目的ＳＯＩ制备新技术———智能剥离（Ｓｍａｒｔｃｕｔ）技术．它的出现为解决ＳＯＩ技术中质量与价格的矛盾带来了新的希望，将会有力地推动ＳＯＩ技术的进一步发展．文章简要回顾了目前存在的几种ＳＯＩ制备技术。
- 张苗竺士炀林成鲁
- 关键词：SOI硅集成电路
- SOI智能剥离制备技术和SOI微机械加工技术
- 竺士炀张苗鲍敏杭黄宜平林成鲁沈绍群王连卫多新中吴东平王瑾黄继颇
- 低成本、高质量的SOI材料制备技术是SOI技术成为主流硅基集成电路技术的关键。该项目研究的智能剥离技术是国际上新近提出的一种较为理想的SOI制备技术，该项研究成果为SOI材料的国产化打下了基础。该项目的另一研究成果SOI...
- 关键词：
- 关键词：SOI智能剥离技术微机械技术
- 薄膜SIMOX顶层单晶硅位错的研究
- 1996年
- 通过超声搅拌的增强化学腐蚀，结合普通的光学显微镜研究了不同制备参数形成的ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩｍｐｌａｎｔｅｄＯｘｙｇｅｎ）材料顶层单晶硅的位错缺陷，讨论了位错密度同ＳＩＭＯＸ制备工艺的关系。
- 竺士炀林成鲁
- 关键词：位错SIMOX材料单晶硅
- 注氟SIMOX隐埋SiO_2的辐照感生电荷分布特性被引量：3
- 1996年
- 对常规工艺制备的ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）材料，注入不同剂量的Ｆ＋并退火，其电容经（６０）Ｃｏγ射线电离辐照后平带电压漂移较小，通过同理论值相比较，说明Ｆ＋的注入减少了ＳＩＭＯＸ隐埋ＳｉＯ２层（ＢＯＸ：ＢｕｒｉｅｄＯＸｉｄｅ）的空穴陷阱浓度，增强了ＳＩＭＯＸ的抗电离辐照能力．
- 竺士炀林成鲁高剑侠李金华
- 关键词：SIMOX二氧化硅半导体材料
- SOIMOSFET二维数值模拟器的设计
- 1999年
- 介绍了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ 二维数值模拟器的设计过程。耦合和非耦合相结合的迭代方法提高了收敛稳定性和计算效率。考虑了两种载流子的连续性方程及产生复合作用，精度较高。给出了利用该设计方法获得的ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ二维体电势分布以及载流子浓度分布的三维输出图形。
- 吴东平黄宜平竺士炀
- 关键词：SOIMOSFET
- O76mm智能剥离SOI材料的制备及其表面缺陷的分析被引量：1
- 1999年
- 结合硅片低温键合和中等剂量的氢离子注入，用智能剥离技术（Ｓｍ ａｒｔ－ｃｕｔ○Ｒ）成功地制备了７６ｍ ｍ 的ＳＯＩ材料．用原子力显微镜（ＡＦＭ）测得表面粗糙度约为７ｎｍ ，比普通的抛光硅片约大一个数量级．ＳＯＩ上层硅膜存在表面缺陷，包括未转移区和气泡等，这是由剥离前硅片键合界面存在的空洞引起．通过改进低温键合工艺，提高键合质量，可得到基本无宏观表面缺陷的ＳＯＩ材料．
- 竺士炀黄宜平李爱珍吴东平王瑾茹国平包宗明
- 关键词：SOI材料SIMOX半导体材料
- 高选择和自终止多孔氧化硅SOI技术研究被引量：2
- 1997年
- 本文研究了n型硅阳极化的高选择和自终止工艺，并将该工艺用于形成多孔氧化硅全隔离SOI结构．采用这种FIPOS（FullIsolationbyPorousOxidizedSilicon）技术在n-／n＋／n-衬底上形成的SOI（SiliconOnInsulator）结构，其顶层硅岛厚度可控制在较广范围（从100nm到数μm），且硅岛宽度可大于100μm．XTEM结果显示顶层硅／氧化层界面非常平整和均匀．在硅膜厚300nm的FIPOS衬底上采用2μm硅栅工艺制备了N沟和P沟MOS晶体管和21级环形振荡器，环振的门延迟为396ps.
- 黄宜平李爱珍邹斯洵李金华竺士炀
- 关键词：SOI技术CMOS
- 双层多孔硅结构上的UHV/CVD硅外延被引量：6
- 2000年
- 报道了采用超高真空化学气相淀积 ( UHV/CVD)在多孔硅层上的单晶硅外延技术 .研究了两步阳极化法形成不同多孔度的双层多孔硅层及外延前对多孔硅进行长时间的低温真空预处理等工艺 .对获得的外延层作了 XRD、XTEM和扩展电阻等测量 ,测量结果表明硅外延层单晶性好 ,并和硅衬底、多孔硅层具有相同的晶向 .硅外延层为 P型 ,电阻率大于 1 0 0 Ω·cm.
- 王瑾黄靖云黄宜平李爱珍包宗明竺士炀叶志镇
- 关键词：多孔硅硅外延
- 用弹道电子显微术研究 Co-Ti-Si系统的退火温度对 CoSi_2/Si势垒不均匀性的影响(英文)被引量：1
- 2002年
- 通过在硅 (10 0 )衬底上淀积的 Co(3nm ) /Ti(1nm )双金属层在不同退火温度下的固相反应 ,在硅衬底上制备了超薄外延 Co Si2 薄膜 .在低温下 ,用弹道电子显微术 (BEEM)及其谱线 (BEES)测量了 Co Si2 /Si接触的局域肖特基势垒高度 .对于 80 0℃退火的 Co Si2 /Si接触 ,势垒高度的空间分布基本符合高斯分布 ,其峰值在 5 99me V,标准偏差为 2 1me V.而对于 70 0℃退火样品 ,势垒高度分布很不均匀 ,局域的势垒高度值分布在 15 2 me V到 870 m e V之间 ,这可归因于 Co Si2
- 竺士炀屈新萍茹国平李炳宗
- 关键词：硅化物不均匀性退火温度
