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袁甲

作品数:20 被引量:27H指数:4
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金湖南省自然科学基金长沙市科技计划项目更多>>
相关领域:电子电信医药卫生自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 15篇期刊文章
  • 5篇专利

领域

  • 16篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 10篇低功耗
  • 10篇功耗
  • 6篇电路
  • 5篇单元库
  • 5篇亚阈值
  • 5篇标准单元库
  • 3篇电压
  • 3篇阈值
  • 3篇阈值电压
  • 2篇延时
  • 2篇延时分析
  • 2篇设计方法
  • 2篇数字电路
  • 2篇随机存储器
  • 2篇芯片
  • 2篇路径延时
  • 2篇静态时序分析
  • 2篇静态随机存储...
  • 2篇缓冲电路
  • 2篇复位

机构

  • 20篇中国科学院微...
  • 5篇中国科学院大...
  • 2篇湖南大学
  • 1篇南开大学
  • 1篇厦门理工学院

作者

  • 20篇袁甲
  • 9篇黑勇
  • 7篇陈黎明
  • 5篇乔树山
  • 3篇于增辉
  • 2篇张苏敏
  • 1篇彭伟
  • 1篇赵慧冬
  • 1篇蒋见花
  • 1篇范军
  • 1篇胡晓宇
  • 1篇曾云
  • 1篇曾健平
  • 1篇凌康
  • 1篇吴兆胜
  • 1篇张福海
  • 1篇杨紫薇
  • 1篇杨骏

传媒

  • 7篇微电子学与计...
  • 2篇湖南大学学报...
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇华中科技大学...
  • 1篇微电子学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇航空科学技术

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 2篇2018
  • 6篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2011
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种针对低功耗MCU关断模式的功耗优化方法被引量:5
2017年
本文提出了一种更加有效的待机模式功耗优化方案,一方面进行更加精细的电源控制,尽可能多的切断待机模式的漏电来源;另一方面从电路级优化关断模式下的核心模块-电源控制模块,采用组合逻辑以简化电路,进一步降低功耗.后仿真结果显示,关断模式下的电源控制模块的静态漏电流仅为18.87pA,关断模式总静态电流为20.8nA,并具有较短的状态转换时间.
杨紫薇朱致玖袁甲乔树山
关键词:低功耗MCU
面向近亚阈值的标准单元库设计方法
2016年
由于商用标准单元无法支持在极低电压下工作,为使数字电路能够工作其最优能耗点,采用smic130nm CMOS工艺,对近/亚阈值电压下标准单元库的设计方法展开研究,定制了近/亚阈值的标准单元库.测试结果显示,所有库单元能够正常工作的电源电压低于90mV.为了进一步验证定制标准单元库的稳定性,我们提出了一个4×8的FIR滤波器,测试芯片选择了130nm的CMOS工艺进行流片,测试结果显示时钟频率为100 Hz时,最低能耗点的工作电压为0.25V,能耗是150nJ/cycle,芯片的最低工作电压为0.18V.
商新超袁甲张福海
关键词:标准单元库
复位单元和芯片
本发明公开了一种复位单元和芯片。其中,该复位单元包括:复位信号充电电路,连接至电源,用于在电源上电后进行充电并输出电压信号;以及施密特缓冲电路,连接至复位信号充电电路,用于根据电压信号和施密特缓冲电路的阈值电压输出复位信...
朱致玖袁甲黑勇
文献传递
一种极低功耗SoC待机模式的优化方法
2017年
随着物联网的发展,SoC的低功耗设计越来越重要。多数SoC模块被软件配置成可支持工作模式、空闲模式和待机模式。在很多控制、数据传输类应用中,系统经常因为一个极简单的任务而被迫从待机模式唤醒到工作模式。基于此,提出一种面向极低功耗SoC待机模式的优化方法,可在待机模式下由待机优化管理器控制相关外设完成一些简单的任务,大大延长了CPU和各外设的空闲时间,降低了SoC的功耗。待机优化管理器的结构简单,采用SMIC 130nm CMOS工艺实现,1.08V电源电压下功耗为54nW。
黄泽林乔树山袁甲
关键词:低功耗空闲模式待机模式
复位单元和芯片
本发明公开了一种复位单元和芯片。其中,该复位单元包括:复位信号充电电路,连接至电源,用于在电源上电后进行充电并输出电压信号;以及施密特缓冲电路,连接至复位信号充电电路,用于根据电压信号和施密特缓冲电路的阈值电压输出复位信...
朱致玖袁甲黑勇
文献传递
一种超低功耗RC振荡器设计被引量:4
2018年
基于SMIC 55 nm CMOS工艺,设计并制备了工作在1.2 V电源电压下的超低功耗RC振荡器。该振荡器主要包括运算放大器、压控振荡器(VCO)、基准电流源、低温漂电阻和可修调开关电容以及非交叠时钟产生电路。该振荡器用工作在亚阈值区的运算放大器和VCO取代了传统单比较器型RC振荡器中的比较器,显著降低了功耗;用开关电容取代了充放电电容,并且将输出时钟的频率转换成了阻抗,与参考电阻进行比较。利用负反馈环路锁定了输出时钟信号频率,从而得到了稳定的时钟信号。测试结果表明,1.2 V电源电压、27℃环境下,该RC振荡器的输出时钟信号频率为32.63 kHz,功耗为65 nW;在-10-100℃,其温度系数为1.95×10(-4)/℃;在0.7-1.8 V电源电压内,其电源电压调整率为3.2%/V。芯片面积为0.168 mm2。
胡安俊胡晓宇范军范军袁甲
关键词:RC振荡器超低功耗温度补偿亚阈值
面向亚阈值的脉冲生成电路设计被引量:2
2014年
基于SMIC 130nm工艺,提出了一种新的面向亚阈值的脉冲生成电路.设计中采用三输入与非门作为延时单元,更好地平衡单元的上拉延时和下拉延时,提高了延时路径的稳定性.新结构脉冲生成电路功能不受工艺偏差和温度变化的影响,在0.3V工作电压,不同工艺角以及-40~125℃温度范围内都能生成稳定可靠的脉冲信号.
张苏敏陈黎明袁甲黑勇
关键词:亚阈值
低电压超低功耗人工耳蜗植入体芯片设计
2017年
基于台积电TSMC 0.35μm 3.3V标准半导体工艺,完成一款低电压、超低功耗人工耳蜗植入体芯片设计与流片.首先,基于目标工艺设计一套2.0V低电压标准单元库,完成电路结构设计、特征化提取和版图设计;其次,以2.0V低电压标准单元库为目标工艺库,完成植入体芯片综合及物理设计,引入基于蒙特卡罗仿真的统计静态时序分析方法,提高低电压路径的时序收敛性.测试结果显示:当工作电压由3.3V降至2.0V时,人工耳蜗植入体芯片功能正常,全芯片功耗下降了74.7%.
陈黎明陈铖颖袁甲杨骏
关键词:人工耳蜗低电压超低功耗
一种近阈值电压标准单元特征化建库方法
2019年
面向近阈值电压下库单元的实际使用情况,针对传统库文件查找表误差较大的问题,提出了一种近阈值电压下对标准单元的特征化建库方法.通过对标准单元实际应用情况的分析,重新界定了查找表的边界;通过分析电路综合结果与电路仿真结果的相对误差,重新确定了查找表的规模;从而提高了近阈值电压下标准单元库准确性.该方法对smic55nmCMOS工艺的库文件在0.6 V电压下特征化建库,并进行误差评估,结果表明,该方法相较于传统方法建立的库文件,准确性提高了16%~63.51%,减小了查找表误差,有效提高了库文件的准确性.
胡伟安文婷袁甲
关键词:标准单元库查找表库文件
一种改进的SRAM故障内建自检测算法被引量:4
2019年
面向March C+算法故障覆盖率的问题,本文提出一种改进的March CS算法来完成存储器SRAM的内建自测试.通过增加原算法元素的读写操作来敏化存储单元的故障,检测原算法不能敏化的静态故障和动态故障,从而提高故障覆盖率.最后,通过对1 024*32位静态随机存储器进行故障仿真验证,以及FPGA对SRAM芯片的应用性测试,March CS算法检测静态故障和动态故障的覆盖率分别达到91.67%和76.93%.
曾健平王振宇袁甲彭伟曾云
关键词:MARCHCS算法
共2页<12>
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