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隆仁伟: 作品数：15 被引量：48H指数：4; 供职机构：常州大学更多>>; 发文基金：常州市工业科技攻关项目江苏省“青蓝工程”基金更多>>; 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>

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可控壳厚纳米CeO_2中空球的制备、表征及其催化氧化性能被引量：3: 2010年; 以聚苯乙烯微球为模板制备PS/CeO_2复合颗粒,再通过煅烧去除PS内核形成CeO_2纳米中空球,并通过控制反应液中硝酸铈的浓度来最终控制中空球的壳厚。用TEM、FESEM、SAED、FTIR、DLS等手段,对所制备样品的物相结构、形貌和粒径分布进行了表征。结果表明,CeO_2中空球内径约为200 nm,外径约为230-260 nm,壳厚分别约为15、20、25和30 nm,中空球壳层由大量粒径为5-10 nm的纳米CeO_2颗粒紧密堆积所组成。经CeO_2中空球催化臭氧氧化处理2 h后,对苯酚的降解率可达95%以上。; 陈杨隆仁伟陈志刚陆锦霞; 关键词：复合材料壳厚模板法降解率

包覆型CeO_2/SiO_2和CeO_2/聚苯乙烯复合磨料的制备及其化学机械抛光性能被引量：8: 2009年; 以SiO2和聚苯乙烯(polystyrene,PS)微球为内核,采用液相沉淀工艺制备了具有包覆结构的CeO2/SiO2和CeO2/PS复合颗粒。利用X射线衍射仪、透射电子显微镜、场发射扫描电子显微镜、X射线光电子能谱仪、动态光散射仪和zata电位测定等手段对所制备样品进行了表征。将所制备的CeO2/SiO2和CeO2/PS复合颗粒用于硅晶片热氧化层的化学机械抛光,用原子力显微镜(atomic force microscope,AFM)观察抛光表面的微观形貌、测量表面粗糙度。结果表明:所制备的CeO2/SiO2和CeO2/PS复合颗粒呈球形,粒径在150～200nm,CeO2纳米颗粒在SiO2和PS微球内核表面包覆均匀。包覆的CeO2颗粒与SiO2内核之间形成了化学键结合。CeO2颗粒的包覆显著的改变了复合颗粒的表面电性。AFM测量结果表明:经CeO2/SiO2和CeO2/PS复合磨料抛光后的硅热氧化片表面在5μm×5μm范围内粗糙度值分别为0.292nm和0.180nm。; 陈志刚陈杨隆仁伟; 关键词：包覆化学机械抛光

氧化铈/氧化硅复合磨料的制备方法和用途: 一种氧化铈/氧化硅复合磨料的制备方法和用途，以单分散球形氧化硅作为包覆型复合磨料的内核，并以六亚甲基四胺(HMT)为沉淀剂，以及铈盐为原料，采用均匀沉淀法工艺进行合成。通过优化氧化硅母粒子与铈盐的用量比，HMT和铈盐的摩...; 陈杨陈志刚隆仁伟赵晓兵; 文献传递

氧化铈纳米中空球的制备及表征被引量：9: 2010年; 以聚苯乙烯(polystyrene,PS)微球为模板制备PS/CeO2复合颗粒,然后煅烧去除PS模板形成CeO2纳米中空球。用X射线衍射、透射电镜、场发射扫描电镜、选区电子衍射、能谱分析、Fourier转换红外光谱、热重分析表征样品的相组成、形貌和微观结构。将所制备的CeO2纳米中空球用于甲基橙模拟染料废水的脱色处理。结果表明:CeO2中空球粒径在200～250nm,壳层是由粒径为5～10nm的纳米CeO2颗粒紧密堆积组成,其厚度为15～20nm。经CeO2纳米中空球脱色处理90min后,甲基橙溶液的脱色率可达99%以上,对甲基橙模拟染料废水表现出良好的脱色能力。; 陈杨隆仁伟陈志刚; 关键词：模板法脱色率

新型核-壳结构PS/CeO_2和PS/SiO_2复合磨料的制备及其抛光性能被引量：3: 2010年; 以聚苯乙烯(PS)微球为内核,采用液相法制备具有核壳结构的PS/CeO2和PS/SiO2复合颗粒。利用X射线衍射仪、透射电子显微镜、场发射扫描电子显微镜、傅里叶转换红外光谱仪和热重分析仪等对所制备样品的物相结构、形貌和粒径等进行表征。将所制备的复合磨料用于硅晶片表面二氧化硅介质层的化学机械抛光,采用原子力显微镜观察抛光表面的微观形貌,并测量表面粗糙度。结果表明:所制备的PS/CeO2和PS/SiO2复合颗粒呈近球形,粒径为250～300nm,且具有核壳包覆结构,包覆层的厚度为10～20nm;硅晶片表面二氧化硅介质层经PS/CeO2和PS/SiO2复合颗粒抛光后,表面无划痕,且非常平整,在5μm×5μm范围内,粗糙度均方根值(RMS)分别为0.238nm和0.254nm。; 陈杨隆仁伟陈志刚陈爱莲; 关键词：核-壳结构化学机械抛光

不同粒径核壳结构聚苯乙烯(PS)-CeO_2复合磨料的制备、表征及其化学机械抛光性能被引量：2: 2011年; 以无皂乳液聚合法制备的不同粒径聚苯乙烯(Ploystrene,PS)微球为内核,以硝酸铈和六亚甲基四胺为原料,采用液相工艺制备具有核壳结构的PS-CeO2复合微球。利用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、场发射扫描电镜(FESEM)、傅里叶转换红外光谱仪(FT-IR)和热重分析仪(TGA)等对样品的成分、物相结构、形貌、粒径以及团聚情况进行表征。将所制备的PS-CeO2复合微球作为磨料用于二氧化硅介质层的化学机械抛光,用原子力显微镜(AFM)观察抛光表面的微观形貌,测量表面粗糙度。结果表明:所制备的3种PS微球呈单分散规则球形,粒径分别约为120、170和240 nm;3种PS-CeO2复合微球具有核壳结构,粒径分别约为140、190和260 nm,CeO2壳厚约为10 nm。随着PS-CeO2复合磨料粒径的减小,抛光表面粗糙度随之降低,经样品F1抛光后表面在10μm×10μm面积范围内粗糙度的平均值(Ra)及其均方根(Rms)分别为0.372和0.470 nm。; 陆锦霞陈志刚隆仁伟; 关键词：核壳结构化学机械抛光

不同壳厚聚苯乙烯/氧化铈复合磨料的合成及其抛光特性被引量：4: 2011年; 以表面带负电荷的聚苯乙烯(Polystyrene,PS)微球为内核,采用液相工艺合成不同壳厚的聚苯乙烯/氧化铈(PS/CeO2)核壳包覆结构复合磨料,并用透射电子显微镜、场发射扫描电子显微镜、激光拉曼(Raman)光谱仪、热重示差扫描量热仪和动态光散射仪等手段对样品进行表征。用原子力显微镜观察和测量抛光表面的微观形貌、轮廓及粗糙度,考察复合磨料壳厚对硅晶片热氧化层抛光性能的影响。结果表明,所制备的PS/CeO2复合磨料呈规则球形,粒径在200～250 nm,壳厚在10～30 nm。化学机械抛光结果显示,PS/CeO2复合磨料对硅晶片热氧化层表现出良好的抛光特性,且复合磨料壳厚对抛光表面粗糙度和材料去除率具有较大影响。经壳厚为20 nm的复合磨料抛光后晶片表面在5μm×5μm范围内粗糙度平均值和方均根值分别为0.196 nm和0.254 nm,材料去除率为568.2 nm/min。; 陈杨隆仁伟陈志刚陆锦霞; 关键词：氧化铈核壳结构壳厚抛光

包覆结构CeO_2/SiO_2复合磨料的合成及其应用被引量：4: 2010年; 以正硅酸乙酯水解所得的SiO2微球为内核,采用均匀沉淀法制备具有草莓状包覆结构的CeO2/SiO2复合粉体。利用X射线衍射仪、透射电子显微镜、X射线光电子能谱仪(XPS)、动态光散射仪和Zeta电位测定仪等手段,对所制备样品的物相结构、组成、形貌和粒径大小进行表征。将所制备的包覆结构CeO2/SiO2复合粉体用于硅晶片热氧化层的化学机械抛光,用原子力显微镜(AFM)观察抛光表面的微观形貌,测量表面粗糙度,并测量材料去除率。结果表明:所制备的CeO2/SiO2复合颗粒呈规则球形,平均粒径为150～200nm,CeO2纳米颗粒在SiO2内核表面包覆均匀。CeO2颗粒的包覆显著地改变复合颗粒表面的电动力学行为,CeO2/SiO2复合颗粒的等电点为6.2,且明显地偏向纯CeO2;CeO2外壳与SiO2内核之间形成Si—O—Ce键,两者产生化学键结合;抛光后的硅热氧化层表面在2μm×2μm范围内粗糙度为0.281nm,材料去除率达到454.6nm/min。; 陈杨隆仁伟陈志刚; 关键词：包覆化学机械抛光

包覆型纳米CeO_2@SiO_2复合磨料的制备、表征及其抛光性能被引量：5: 2009年; 以无水乙醇为溶剂,氨水为催化剂,利用正硅酸乙酯(TEOS)水解,并在500℃下煅烧1h,制备了SiO2粉体.将SiO2粉体作为内核浸渍到以硝酸亚铈、乙酰丙酮和正丙醇为原料制备的铈溶胶中,得到包覆型CeO2@SiO2复合粉体.利用XRD、SEM、TEM和FT-IR等测试手段,对所制备样品的物相结构、形貌、粒径大小、团聚情况进行表征.将所制备的包覆型CeO2@SiO2复合粉体配制成抛光浆料用于砷化镓晶片的化学机械抛光,用原子力显微镜(AFM)观察抛光表面的微观形貌,测量表面粗糙度.结果表明,采用浸渍工艺成功制备出单分散球形,粒径在400～450nm,负载均匀的包覆型CeO2@SiO2复合粉体.复合粉体中CeO2的包覆量随着铈溶胶中铈离子浓度的升高而增大.经包覆型CeO2@SiO2复合磨料抛光后的砷化镓晶片表面的微观起伏更趋于平缓,在1μm×1μm范围内表面粗糙度Ra值为0.819nm,获得了具有亚纳米量级粗糙度的抛光表面.; 隆仁伟陈杨赵晓兵陈志刚; 关键词：浸渍包覆砷化镓抛光

一种包覆型氧化铈/氧化硅复合磨料的制备方法: 本发明属于超细复合粉体的制备领域，涉及一种包覆型氧化铈/氧化硅复合磨料的新型制备方法。其首先以六水硝酸亚铈、乙酰丙酮、柠檬酸、正丙醇、无水乙醇为原料配制铈溶胶，再将氧化硅粉体浸渍到铈溶胶当中，经过超声和机械搅拌分散后静置...; 陈志刚陈杨隆仁伟赵晓兵; 文献传递

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