单尼娜
- 作品数：8 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金北京工业大学博士启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 序加实验理论模型误差修正的研究被引量：2
- 2010年
- 针对序进应力加速实验理论模型中数学算法的误差,提出一种新的计算模型,新模型利用计算机编程辅助计算,显著地减小了模型误差.利用新、旧模型算法对理论数据进行计算,表明原模型算法存在13%以上的激活能计算误差以及150%以上的寿命计算误差(Q≤1.0eV),而新模型算法可以将激活能误差控制在1%以内,寿命计算误差控制在-4.1%以内.
- 郭春生单尼娜冯士维马卫东
- 一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
- 本发明公开了一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：衬底、P阱区、N阱区、栅氧化层和栅极；其中，栅极包括：第一栅极和第二栅极，第二栅极位于第一栅极和衬底之间；第一栅极与第二栅极之间的栅氧化层厚度为第一厚度；第二...
- 孙博韬王立新单尼娜
- 文献传递
- 高频硅PNP晶体管3CG120高温失效机理研究被引量：3
- 2012年
- 为了保证在高温条件下,正确使用高频硅PNP晶体管3CG120,文中对3CG120在不同温度段的失效机理进行了研究。通过对硅PNP型晶体管3CG120进行170～340℃温度范围内序进应力加速寿命试验,发现在170～240℃,240～290℃,以及290～340℃分别具有不同的失效机理,并通过分析得到了保证加速寿命试验中与室温相同的失效机理温度应力范围。
- 王立新单尼娜夏洋宋李梅韩郑生
- 关键词：高温加速寿命试验PNP
- 不同工作条件和环境下的VDMOS可靠性研究
- 从上世纪90年代开始，DC/DC（Direct-current）电源模块作为二次电源广泛应用于太空辐射环境下。VDMOS（Vertical Double-diffused Metal OxideSemiconductor...
- 单尼娜
- 文献传递
- 功率VDMOS晶体管的抗总剂量辐照研究被引量：1
- 2012年
- 对2种不同结构的功率VDMOS晶体管进行了总剂量辐照的试验研究,条形栅结构比元胞型结构具有抗总剂量辐照的结构优势,中国科学院微电子研究所利用条形栅结构制作出高抗总剂量辐照能力的功率VDMOS晶体管,抗总剂量能力可达1 400 krad(Si)以上。
- 王立新单尼娜刘刚韩郑生夏洋
- 一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
- 本发明公开了一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：衬底、P阱区、N阱区、栅氧化层和栅极；其中，栅极包括：第一栅极和第二栅极，第二栅极位于第一栅极和衬底之间；第一栅极与第二栅极之间的栅氧化层厚度为第一厚度；第二...
- 孙博韬王立新单尼娜
- 直流和脉冲工作的VDMOS可靠性试验被引量：5
- 2010年
- 基于恒定电应力温度斜坡法（CETRM），对工作于直流状态和脉冲状态下的VDMOS功率器件进行可靠性研究，考察了器件阈值电压、跨导以及导通电阻的退化情况，得出在两种工作状态下均是跨导为失效敏感参数。在直流工作状态下，VDMOS失效激活能为0．57～0．68ev，寿命为7．97×10^5—1．15×10^7h；在脉冲工作状态下，VDMOS失效激活能为0．66～0．7eV，寿命为4．3×10^5-4．6×10×10^6h。对跨导的退化机理进行了分析。
- 单尼娜吕长志马卫东李志国郭春生
- 关键词：激活能
- 退火温度及存储对辐照后VDMOS参数恢复特性影响
- 2010年
- 对VDMOS各样品进行总剂量3KGy（Si）的γ射线辐照试验,对比了试验前后的阈值电压、亚阈值电流、跨导及导通电阻的变化情况,并从理论上分析了参数退化的原因。然后研究了辐照后VDMOS各样品在室温下长时间存储及退火后参数的变化情况,并做出了解释。试验结果表明：γ射线辐照使得各样品参数有不同程度的退化,其中,A类样品的阈值电压平均退化4.5V,B类样品平均退化1.74V;亚阈值电流增长大于2个数量级;跨导平均增长0.7S;导通电阻平均退化0.052Ω。在室温下长时间存储后样品参数有小幅度的恢复。高温退火使得样品各参数基本恢复至辐照前水平。
- 单尼娜吕长志李志国张小玲郭春生朱春节
- 关键词：VDMOS辐照阈值电压退火
