罗伟科
- 作品数：17 被引量：17H指数：2
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：江苏省科技支撑计划项目国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 大尺寸GaN微波材料范德瓦耳斯外延机理及应力调控研究
- 2024年
- 本文基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,以少层氮化硼(BN)作为插入层在4英寸蓝宝石衬底上开展范德瓦耳斯异质外延GaN微波材料的生长机理及应力调控方面的研究,探讨了AlN成核工艺对GaN缓冲层生长机制的影响,以及与材料晶体质量、应力及电学性能等之间的关联。提出了一种基于AlN/AlGaN复合成核技术的应力调控方案,首次实现了大尺寸范德瓦耳斯(vdW)异质外延材料应力的有效管控,研制的GaN微波材料的弯曲度(Bow)为+20.4μm,(002)/(102)面半峰全宽为471.6/933.5 arcsec,表面均方根粗糙度为0.52 nm,电子迁移率达到2000 cm^(2)/(V·s)。最后,基于机械剥离实现了大尺寸晶圆级GaN微波材料与蓝宝石衬底的分离,为高导热衬底转移提供便利,为大功率射频器件的制作创造条件。
- 李传皓李忠辉李忠辉张东国彭大青罗伟科
- 关键词：金属有机化学气相沉积
- 基于100mm国产SiC衬底高性能AlGaN/GaN异质结外延材料
- 2020年
- 南京电子器件研究所提出了一种"AlN表面原位图形化"技术,将AlN成核岛台阶化(图1),改善GaN缓冲层的外延生长模式,抑制GaN/AlN界面位错的生成以及纵向延伸,从而降低GaN缓冲层的穿透位错密度。另外,原位制备工艺容易实现,避免杂质引入,降低外延成本。采用该技术在100 mm国产高纯半绝缘SiC衬底上制备出1.8 μm厚高质量GaN HEMT外延材料,GaN缓冲层(002)和(102)面摇摆曲线半高宽分别达到56、147 arcsec(图2),与常规工艺相比位错密度降低80%,二维电子气室温迁移率达到2 300 cm^2/(V·s),材料结晶质量和电学特性获得显著提升。
- 张东国杨乾坤李忠辉彭大青李传皓罗伟科董逊
- 关键词：ALGAN/GAN二维电子气摇摆曲线半绝缘
- MOCVD方法制备p型AlGaN材料
- 李亮罗伟科李忠辉董逊彭大青张东国李传皓
- 采用低温AlN插入层的Si基GaN异质外延应力分析
- 张东国彭大青李亮董逊倪金玉罗伟科潘磊李传皓李忠辉
- 200 mm高纯半绝缘SiC衬底AlGaN/GaN HEMT外延材料
- 2024年
- 南京电子器件研究所采用国产200 mm高纯半绝缘SiC衬底,提出衬底高温刻蚀、GaN外延模式调控应力等技术,有效解决了高温下衬底边缘突翘和薄膜异质生长应力大等问题,显著降低了大尺寸外延材料的翘曲度,研制出高质量200 mm SiC衬底AlGaN/GaN HEMT外延材料(图1)。外延材料测试结果表明,二维电子气室温迁移率达到2 231 cm^(2)/(V·s),方块电阻片内不均匀性为2.3%(图2),GaN(0002)和(1012)面XRD摇摆曲线半高宽分别达到143 arcsec和233 arcsec,圆片弯曲度和翘曲度分别达到-18.7μm和27.1μm(图3)。材料显示了优良的结晶质量和电学特性,为GaN微波毫米波功率器件和MMIC应用奠定了良好的技术基础。
- 张东国张东国魏汝省李忠辉彭大青李传皓杨乾坤王克超
- 关键词：ALGAN/GAN半绝缘微波毫米波摇摆曲线
- 高电导率p型AlGaN材料被引量：1
- 2019年
- 南京电子器件研究所提出并研发了一种"金属源气流调制生长"的外延方法,在采用MOCVD系统外延生长Mg掺杂的p型AlGaN材料时,引入"晶体质量提升"和"激活效率提升"两种不同的生长,两种工艺在外延过程中交替进行,既能保证晶体质量,又能提升受主杂质Mg的激活效率。
- 罗伟科李忠辉孔岑杨乾坤杨峰
- 关键词：晶体质量MOCVD系统ALGAN
- 正晶向SiC衬底上表面光滑的N极性GaN薄膜材料的生长
- 2022年
- 采用MOCVD技术在101.6 mm(4英寸)正晶向半绝缘C面SiC衬底上生长了厚度为1μm的GaN缓冲层。通过深入研究不同AlN成核层上生长的GaN缓冲层的性质,揭示了正晶向SiC衬底上氮极性GaN的生长机制,发现成核层表面AlN岛的密度是决定缓冲层表面形貌的重要参数,对后续GaN的成核以及GaN岛间的合并具有显著影响。通过在AlN成核层外延期间引入N2作为载气并且以脉冲方式供应铝源,研制的成核层表面成核岛尺寸小且致密性高,有利于促进GaN成核岛之间的横向合并,并抑制GaN缓冲层的岛状生长模式,从而获得了表面光滑的N极性GaN薄膜材料,原子力显微镜20μm×20μm扫描范围下的均方根(rms)粗糙度值为1.5 nm。此外,在表面平滑的GaN薄膜上生长的GaN/AlGaN异质结的电子输运特性也同步得到提升,这有利于N极性GaN材料的微波应用。
- 沈睿李传皓李忠辉彭大青张东国杨乾坤罗伟科
- 关键词：MOCVD
- 高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长被引量：13
- 2013年
- 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面粗糙度小于0.5 nm,其位错密度低于106cm-3。
- 李亮李忠辉罗伟科董逊彭大青张东国
- 关键词：GAN薄膜MOCVD
- MOCVD脉冲法制备InAlGaN/GaN异质结材料特性研究被引量：2
- 2017年
- 采用MOCVD脉冲供源方法制备了76.2 mm(3英寸)高质量薄势垒层的InAlGaN/GaN异质结材料。通过对样品表面形貌及电学特性等测试,研究了进入反应腔MO源的不同脉冲组合对InAlGaN材料生长的影响,并分析了相关机理。其中等效为InAlN/AlGaN类超晶格结构的势垒层外延方法,基于原子层间近晶格匹配和超晶格的原子层调制作用,有效改善了势垒层材料质量和表面形貌,提升了异质结料的电学特性,室温下电子迁移率达到1 620cm^2/(V·s),方块电阻217.2Ω/。
- 李忠辉李传皓彭大青张东国罗伟科李亮潘磊杨乾坤董逊
- 关键词：金属有机物化学气相沉积异质结迁移率
- SiC衬底外延GaN薄膜的应力调控研究
- 李忠辉彭大青李亮倪金玉董逊罗伟科张东国李传皓
