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李兵

作品数:41 被引量:39H指数:3
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信核科学技术一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 15篇期刊文章
  • 13篇会议论文
  • 13篇专利

领域

  • 27篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 21篇光刻
  • 15篇X射线光刻
  • 13篇刻蚀
  • 12篇掩模
  • 7篇等离子体
  • 5篇亚微米
  • 5篇射线
  • 5篇深亚微米
  • 5篇微米
  • 5篇光刻技术
  • 5篇干法刻蚀
  • 5篇T型栅
  • 5篇X射线
  • 4篇氮化硅
  • 4篇X射线掩模
  • 4篇LPCVD
  • 3篇氮化
  • 3篇刻蚀工艺
  • 3篇刻蚀系统
  • 3篇硅栅

机构

  • 41篇中国科学院微...
  • 3篇中国科学院
  • 1篇信息产业部

作者

  • 41篇李兵
  • 31篇陈大鹏
  • 30篇叶甜春
  • 26篇谢常青
  • 15篇胥兴才
  • 10篇刘明
  • 7篇刘训春
  • 7篇韩敬东
  • 6篇周宗义
  • 6篇王佳
  • 4篇张庆钊
  • 4篇朱效立
  • 4篇赵玲利
  • 4篇张永利
  • 4篇赵玲莉
  • 4篇王巍
  • 4篇张育胜
  • 4篇陈朝晖
  • 3篇杨清华
  • 3篇陈宝钦

传媒

  • 5篇第十一届全国...
  • 3篇Journa...
  • 2篇核技术
  • 2篇微细加工技术
  • 2篇微纳电子技术
  • 2篇第十二届全国...
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇半导体情报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇光电工程
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇微电子学
  • 1篇北京同步辐射...
  • 1篇测控、计量与...
  • 1篇2004全国...

年份

  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 2篇2006
  • 6篇2005
  • 5篇2004
  • 2篇2003
  • 5篇2002
  • 9篇2001
  • 2篇2000
41 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
LPCVD生长低应力氮化硅膜工艺研究
本文报道了在高温下采用LPCVD方法制备低应力,高透光率氮化硅薄膜的工艺过程.获得的薄膜在低应力,高透光率,以及成品率和重复性方面都有大幅度的提高.可广泛应用于X射线光刻掩模制造,微细加工等方面.
董立军陈大鹏韩敬东谢常青李兵赵铃莉胥兴才
关键词:氮化硅薄膜化学气相沉积
文献传递
LPCVD直接生长纳米硅镶嵌氮化硅复合膜及力学性能研究
采用LPCVD方法在石英管式炉内制备SiNx薄膜,衬底为双面抛光的P型<100>硅片,气源为SiH2Cl2和NH3,通过改变沉积温度和反应气体的质量流量比可得到不同的SiNx薄膜。对采用上述方法制备的SiNx进行背面光刻...
陈大鹏叶甜春谢常青李兵赵铃莉韩敬东胥兴才
文献传递
ICP等离子体刻蚀系统射频偏压的实验研究被引量:3
2008年
对于上下电极双射频源的电感耦合(ICP)等离子体刻蚀设备的关键工艺参数——下电极射频偏压的变化特性进行了实验与物理定性分析.实验以氧气作为反应气体,采用可满足300mm硅晶片刻蚀的ICP刻蚀设备的射频系统进行实验数据测定.结果表明,下电极射频偏压与其他工艺参数在可适用的工艺窗口中(改变上下电极功率和气体压力)不再是平常认为的简单的比例关系,而是随着条件的改变,对应的趋势比例关系会发生转折性变化,这种变化在高上电极射频、低下电极射频功率和低气压的条件下很容易发生.
张庆钊谢常青刘明李兵朱效立陈宝钦
关键词:等离子体ICP干法刻蚀
0.1-0.3μm X射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用
2000年
对同步辐射X射线光刻及在GaAsPHEMT器件制作中的应用进行了研究,并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT晶体管。研究结果表明,X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量,在混合光刻工艺中,抑止GaAs合金点的形成是取得良好对准标记的关键。
叶甜春谢常青李兵陈大鹏陈朝晖赵玲莉胥兴才刘训春张绵赵静
关键词:X射线光刻PHEMTT型栅
高密度等离子体刻蚀系统中诊断模型的初步分析
高密度等离子体刻蚀已经广泛运用于深亚微米的微电子制造工艺中,并成为制约着产能及器件性能的关键步骤,因而有必要对等离子体刻蚀过程进行原位的实时监控。而利用传统的线性回归方法已经无法对包含有数目众多的变量的谱图数据进行实时分...
王巍陈大鹏刘明叶甜春李兵
关键词:等离子体刻蚀等离子体诊断神经网络法
文献传递
激光等离子体X射线点光源光刻技术
目前看来,点光源X射线光刻技术是X射线光刻技术的重要发展方向.点光源X射线光刻技术表现出同步辐射X射线光刻技术不同的许多特性,如单色光、半阴影模糊、对准技术,等等.本文采用XOP软件对激光等离子体X射线点光源的功率谱进行...
谢常青叶甜春陈大鹏李兵赵玲利胥兴才胥俊红韩劲东
关键词:X射线光刻激光等离子体
文献传递
X射线光刻对准标记图形
本发明涉及一套X射线光刻对准标记图形,包括X射线掩模上用于对准的被指定测量图形和半导体基片上用于对准的被指定测量图形。本发明通过采用多线坐标值平均的方法来降低X射线掩模对准标记图形、半导体基片对准标记图形的定位和识别误差...
谢常青叶甜春陈大鹏李兵
文献传递
平板式等离子体增强化学汽相淀积设备的反应室结构
本发明一种平板式等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)设备的反应室结构,涉及微电子技术,是由内真空室与外腔室嵌套组成;内真空室上段的顶壁由具有伸缩功能的波纹管与外腔室连接;内真空室上段的顶壁外侧通过螺杆与外腔室顶面的堵转...
刘训春周宗义李兵张育胜王佳张永利
文献传递
高密度等离子体刻蚀机中的终点检测技术被引量:4
2005年
高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。目前已经开发出许多终点检测技术。文章讨论了终点检测技术的原理,综述了目前主流刻蚀机使用的两种终点检测技术—OES和IEP—的最新进展,讨论了终点检测技术在深亚微米等离子体刻蚀工艺中的应用,以及所面临的挑战。
王巍叶甜春陈大鹏刘明李兵
关键词:等离子体刻蚀工艺OES
深亚微米同步辐射X射线光刻模拟
模拟技术在光刻技术的发展过程中一直起着非常重要的作用.本文介绍我们采用束衍生法及快速傅里叶变换相结合的方法来研究X射线掩模中吸收体的光导波效应,对光刻胶表面的空间光强分布及光刻胶剖面进行的模拟计算.基于面向对象技术,初步...
谢常青叶甜春陈大鹏李兵赵玲利胥兴才韩敬东胥俊红
关键词:X射线光刻面向对象光刻胶
文献传递
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