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杨登辉

作品数:19 被引量:14H指数:3
供职机构:四川大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 7篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 15篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇退火
  • 7篇晶体
  • 6篇红外透过率
  • 5篇ZNGEP2
  • 4篇电子辐照
  • 4篇多晶
  • 2篇电阻率
  • 2篇多晶合成
  • 2篇性能表征
  • 2篇衍射
  • 2篇退火热处理
  • 2篇轴向
  • 2篇均匀性
  • 2篇光学
  • 2篇XRD
  • 2篇X射线
  • 2篇X射线衍射谱
  • 2篇MAPPIN...
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶生长

机构

  • 19篇四川大学

作者

  • 19篇杨登辉
  • 18篇陈宝军
  • 18篇朱世富
  • 18篇赵北君
  • 15篇何知宇
  • 7篇谢虎
  • 5篇张建强
  • 5篇曹新玲
  • 5篇黄巍
  • 4篇曹礼强
  • 4篇刘伟
  • 3篇王志超
  • 3篇陈成
  • 2篇孙宁
  • 2篇林莉
  • 2篇刘伟
  • 1篇刘慧
  • 1篇朱璞
  • 1篇吴莉姝
  • 1篇王文阳

传媒

  • 8篇人工晶体学报
  • 2篇稀有金属材料...
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇TEIM20...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 7篇2015
  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 2篇2012
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高能电子辐照和退火对磷锗锌晶体红外光学性质的影响
2016年
对采用改进的垂直布里奇曼法生长出的磷锗锌(ZnGeP2)单晶体样品,在300 K,10 MeV高能电子束下进行辐照实验,测试辐照前后其红外透过率。同时,对样品进行同成分粉末包裹退火处理,对比两种工艺对磷锗锌晶体红外透过率的影响。实验结果表明,退火和高能电子辐照都能对磷锗锌晶体的红外光学性质产生影响,提高其红外透过率。在本文的实验条件下,退火工艺对磷锗锌晶体红外透过率的提高更为明显。
刘伟朱世富赵北君陈宝军何知宇杨登辉谢虎赵张瑞
关键词:高能电子辐照退火红外透过率
AgGa_(0.7)In_(0.3)Se_2晶体热膨胀行为研究
2015年
采用一种新的定向方法,快速定出了Ag Ga0.7In0.3Se2晶体c轴方向,制备得到[001]、[100]方向的块状样品;采用德国Bhr公司的Win TA 100热膨胀仪对其进行测试,分别获得了晶体沿c轴、a轴方向的热膨胀系数,分析了它们随温度变化的规律以及晶体出现反常热膨胀的机制;计算出晶体的体热膨胀系数和各向异性因子,分析讨论了晶体非轴向热膨胀系数在不同温度下随cos2φ的变化规律。
吴莉姝赵北君何知宇陈宝军朱世富黄巍杨登辉沙铭宇王文阳
关键词:热膨胀
CdSiP_2晶体退火及对红外光学性能的影响
2016年
采用改进的布里奇曼法生长出Cd Si P_2单晶体,运用X射线能谱仪、傅里叶变换红外分光光度计以及红外显微镜等对在不同气氛中退火前后的Cd Si P_2晶体进行了组分元素、红外吸收系数以及红外透过均匀性测试,根据红外显微镜Mapping图像的标准差值评判了晶体的红外透过均匀性。研究结果表明,经真空、Cd Si P_2粉末包裹、P/Cd(原子比为2:1)、Cd气氛等退火后,晶体组分元素的化学计量比、红外吸收系数和红外光学均匀性都得到了不同程度的改善,其中在1.29~2.00μm,经Cd Si P_2粉末包裹退火后的晶体吸收系数改善显著,在1.92~1.98μm波段的红外透过均匀性提高了14.06%;而在Cd气氛下退火后晶体的吸收系数在2.00~6.50μm波段降低最为明显,在2.70~2.78μm波段红外透过均匀性提高了17.43%。分析讨论了在上述波段中引起晶体红外吸收和红外透过不均匀性的主要因素,研究出较为有效的Cd Si P_2晶体退火工艺。
林莉赵北君朱世富何知宇陈宝军孙宁黄巍杨登辉钟义凯朱璞
关键词:CD退火热处理
CdSiP2晶体红外透过均匀性分析
CdSiP晶体是目前综合性能最好的中红外高功率激光频率转换新材料之一,其透明范围宽,非线性光线系数大,双折射大,热导率高,抗光损伤阈值高。特别是CdSiP2晶体可使用目前成熟的1.06μm-YAG激光泵浦输出4m以上激光...
林莉赵北君朱世富何知宇陈宝军孙宁黄巍杨登辉
关键词:光学均匀性退火热处理
文献传递
ZnGeAs_2多晶合成与表征
2017年
ZnGeAs_2是黄铜矿结构的三元化合物半导体材料,在红外非线性光学方面有重要应用前景。本文探讨了ZnGeAs_2多晶的形成途径和合成机理,报道了一种ZnGeAs_2多晶合成方法。以高纯(6N)Zn、Ge、As单质为原料,按化学计量比,富Zn1‰和As2‰配料,采用双温区合成方法,辅以机械、温度振荡和梯度降温的合成工艺,合成出均匀致密的单相ZnGeAs_2多晶。经XRD和EDS分析表明:合成产物为黄铜矿结构的单相ZnGeAs_2多晶,晶胞常数为a=b=0.56745 nm,c=1.11580 nm,与标准PDF卡片(No.730397)一致;各组成元素的原子比Zn∶Ge∶AS=1.00∶0.98∶1.95,接近理想化学计量比。上述分析结果表明,合成产物可用于ZnGeAs_2单晶生长,为进一步研究ZnGeAs_2晶体的非线性光学性能和应用奠定了较好的基础。
钟义凯赵北君何知宇黄巍陈宝军朱世富杨登辉冯波
关键词:多晶合成
一种基于特征处理的安卓恶意软件自动化识别方法
本发明提出了一种基于特征处理的安卓恶意软件自动化识别方法,包括如下步骤:步骤(1)、利用反编译工具Apktools从APK中提取smali文件;步骤(2)、对smali文件中的操作码归类并按照gram策略进行特征提取;步...
杨登辉李益洲
磷锗锌晶体的性能表征及其轴向成分分布研究
用改进的垂直布里奇曼法,在三段式独立控温生长炉中通过实时温差补偿、适当的温度梯度以及专门设计的双层石英安瓿,长出直径为26 mm、长度为70 mm的完整无裂纹的磷锗锌单晶体。采用XRD、EDS、FTIR、XPS等对生长的...
谢虎赵北君朱世富陈宝军何知宇杨登辉黄巍刘伟赵张瑞
文献传递
磷锗锌多晶合成过程的中间生成物研究
锌(ZnGeP2)晶体是一种性能优异的中远红外非线性光学材料,在红外对抗、红外遥控、卫星跟踪、激光武器和大气环境监测等领域具有广阔的应用前景[1,2].高质量的ZnGeP2单晶生长难度大,其中的一个重要原因是高纯单相的Z...
曹新玲朱世富赵北君陈宝军何知宇王志超张建强杨登辉
ZnGeP2晶体成分的XRD和XPS研究
ZnGeP晶体是一种综合性能优异的中红外非线性光学晶体材料,具有红外透过波段宽、非线性光学系数大、热导率高、光损伤阈值高、有适宜的双折射率等特点,在光谱学、大气遥感、医疗和军事等领域有重要的应用价值。本文采用改进的垂直布...
杨登辉赵北君朱世富陈宝军何知宇刘慧谢虎赵张瑞
关键词:ZNGEP2均匀性XRDXPS
文献传递
ZnGeP_2晶体的热处理研究
磷锗锌(ZnGeP2,ZGP)晶体是一种性能优异的新型中红外高功率非线性光学材料,它具有红外透明范围宽、非线性光学系数大、导热率高、光损伤阈值高、耐腐蚀等优点,可用于制备中红外高功率激光频率转换器件,如差频、倍频、光参量...
张建强赵北君朱世富何知宇陈宝军王志超杨登辉曹新玲
关键词:退火工艺X射线衍射谱红外透过率电阻率
文献传递
共2页<12>
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