王文勋
- 作品数：15 被引量：13H指数：2
- 供职机构：北京师范大学分析测试中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：核科学技术电子电信机械工程金属学及工艺更多>>
- GIC－4117／HC1．7MV Tandetron上的MeV离子注入系统被引量：1
- 1995年
- 利用通用离子公司（ＧＩＣ）的４１１７型１．７ＭＶＴａｎｄｅｔｒｏｎ离子束分析设备进行ＭｅＶ级离子注入。所注入的离子能量范围由５００ｋｅＶ到１０ＭｅＶ，离子的质量在２４０ｕ以下，某些元素的负离子束流强度在１５０μＡ以上。双向机械扫描技术可将离子均匀地注入样片。
- 缴桂跃王文勋王广甫董平
- 关键词：离子注入串列加速器离子源负离子源
- 两步快退火改善InP（Fe）中MeV硅注入层的品质被引量：1
- 1995年
- ２ＭｅＶ、（１～２）×１０１４ｃｍ－２硅离子注入ＳＩ－ＩｎＰ（Ｆｅ）造成负的（－３．４×１０－４～－２．９×１０－４）晶格应变，光快速退火的激活能为０．２６ｅＶ。８８０℃／１０ｓ退火可得到１００％的施主激活。间断两步退火（３７５℃／３０ｓ＋８８０℃／１０ｓ）使注入层单晶恢复完全，较大程度（２０％～３５％）地改善了载流子的迁移率。四能量叠加注入已能在０．５～３．０μｍ的深度区域形成满足某些器件要求的低电阻（７．５Ω）高浓度［（２～３）×１０１８ｃｍ－３］的ｎ型导电层。
- 姬成周张燕文李国辉王文勋苏里曼
- 关键词：磷化铟
- GIC4117型2×1.7MV离子束分析装置剂量测量系统的改进被引量：1
- 2000年
- 对GIC4117型离子束分析装置高能注入束流线注入剂量测量误差较大的原因进行了分析。通过隔离外界干扰电信号,精确控制扫描面积和对二次电子抑制电极的改进使剂量测量误差达到了实验要求。
- 王广甫王文勋董平
- 关键词：二次电子
- 自制358型双等离子体离子源阴极被引量：1
- 1995年
- 介绍了对2×1.7MV串列加速器上一台358型双等离子体离子源的阴极改进工作,自制镍基氧化物阴极,使此源引出的He^+束和H^-束较原铂网阴极分别提高了16％和34％。引出He^+束时,可工作于自持放电状态。此阴极连续工作寿命>40h。
- 王广甫王文勋
- 关键词：氧化物阴极镍网
- 铯溅射型负离子源中Cs~+离子产额的实验研究
- 1994年
- 通过电离表面的痕量分析和Ｃｓ＾＋离子产额的测量，研究了功函数、表面温度及铯通量等因素对铯溅型负离子源表面电离效率的影响。结合Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｓａｈａ表面电离理论，提示Ｃｓ＾＋离子产额饱和的原因。提出一项改进措施－－透射型表面电离源，就其性能进行了讨论。
- 缴桂跃姬成周王文勋
- 关键词：负离子源铯离子产额
- 柱面电离器
- 一种溅射离子源用的新型电离器，由普通电热管做成筒状加热器，其中衬有高功函数材料的薄片，例如钽片，其内柱面即为有效电离面，柱面光滑，电场分布均匀，也便于清洗。装配式结构，便于更换零件。全部零件和材料立足于国内，成本大大低于...
- 缴桂跃王文勋王广甫董平
- 文献传递
- 离子注入白光退火技术和浅结工艺的研究被引量：1
- 1987年
- 利用白光快速退火设备研究了白光退火特性,得到As通过siO_2注入Si制备0.1～0.15μm无缺陷浅结的最佳条件.发现As通过SiO_2注入的样品退火后其载流子浓度分布出现双峰现象,进而提出了分析这种现象的增强扩散模型.还发现B+As双注入的样品经瞬态退火后消除了减速场.
- 张通和李国辉阎凤章罗晏吴瑜光王文勋
- 关键词：快速热退火浅结
- 旋转式单针双截面束流扫描仪
- 1994年
- 采用三维环形旋转探针对离子束进行扫描，可以探测到２个束流截面的大小和位置；还可以由二截面参数的比较估算出附近的聚集梯度。该装置能够比较全面地反映束流的特性。
- 缴桂跃王文勋
- 关键词：测量仪扫描仪加速器
- MeV P^+/Si^+共注入SI-GaAs制备高品质n^+埋层
- 1993年
- 采用不同注量和注入顺序的MeV能量的P^+(3MeV,1×10^(14)～3×10^(14)cm^(-2))与MeV能量的Si^+(3MeV,1×10^(14)cm^(-2))共注入于SI-LEC GaAs晶体中。对不同退火条件的共注入样品的有源层电特性、载流子浓度分布、晶格的损伤和恢复状况以及剩余缺陷等进行了分析。研究表明,较大注量的P^+与Si^+共注入,可以降低注区薄层电阻,有效地提高MeV Si^+的激活效率,改善有源层迁移率,得到高品质的n^+埋层。共注入样品的HALL迁移率大于2400cm^2/(V·s),激活率可达95％以上。
- 姬成周张燕文李国辉王文勋
- 关键词：MEV离子注入砷化镓
- MeV硅、氧离子注入SI-GaAs形成相互隔离的双导电层
- 1992年
- 用Mev的硅、氧离子注入SI-GaAs形成了相互隔离的N-SI-N双导电层结构.6 MeV的Si离子注入半绝缘的GaAs,在950℃5s条件下进行快速退火,可以得到最佳电特性,在表面下2.8μm深处形成n^+深埋层.采用双能量的硅离子注入半绝缘GaAs:6 MeV(1×10^(14)cm^(-2))+80 key(5×10^(13)cm^(-2)),在950℃5s退火,然后用1.2MeV的氧离子注入该样品,注量为10^(10)～10^(11)cm^(-2)时,形成了上、下相互隔离的双导电层,隔离击穿电压为10～20V,该结构在600℃以下是稳定的.
- 成步文李国辉姬成周王文勋
- 关键词：离子注入砷化镓硅
