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王琦

作品数：3 被引量：4H指数：1
供职机构：北京师范大学核科学与技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 2篇砷化镓
  • 2篇离子注入
  • 2篇GAAS
  • 1篇源区
  • 1篇退火
  • 1篇退火行为
  • 1篇埋层
  • 1篇高能
  • 1篇N型
  • 1篇SI
  • 1篇SI-GAA...
  • 1篇MESFET
  • 1篇MEV

机构

  • 3篇北京师范大学

作者

  • 3篇李国辉
  • 3篇王琦
  • 2篇姬成周
  • 2篇王文勋
  • 1篇韩德俊
  • 1篇吴瑜光
  • 1篇韩卫
  • 1篇成步文
  • 1篇罗晏

传媒

  • 2篇北京师范大学...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 2篇1992
  • 1篇1991
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
高能注入在研制垂直源区GaAs MESFET中的应用
1992年
我们利用高能注入技术和SI-GaAs材料研制出了1种新结构的GaAs MESFET.这种新结构有利于克服功率MESFET中源、栅、漏的引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应方面的问题,并且它的一个栅同时控制2个沟道。
韩德俊李国辉王琦韩卫
关键词：砷化镓MESFET
Mev ^(28)Si^+注入GaAs的退火行为被引量：1
1992年
报导 MeV 硅离子注入半绝缘 GaAs 的快退火行为,根据缺陷作用原理分析了硅的不均匀激活和载流子分布特征.指出应按载流子浓度、迁移率、埋层电阻和击穿等特性综合评价深埋层和近表面层的品质,优化注入和退火参数.
姬成周李国辉成步文王琦王文勋
关键词：MEV离子注入退火砷化镓
高能Si^+注入Sl-GaAs形成n型埋层被引量：3
1991年
本文报导0.6～5MeV高能Si^+离子注入LEC半绝缘GaAs的快速退火效果,在950℃温度下退火5秒得到最佳电特性.采用多能量叠加注入已制备出平均深度在1.2μm,厚约1.7μm的n^+深埋层,载流子浓度为3～5×10^(17)cm^(-3).在近表面单晶层上作成了性能良好的肖特基接触,其势垒高度约为0.7V.
姬成周李国辉吴瑜光罗晏王琦王文勋
关键词：离子注入SI-GAAS埋层
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