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赵铃莉

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇国内会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇氮化硅
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇氮化硅膜
  • 1篇低应力
  • 1篇气相沉积
  • 1篇纳米硅
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇硅膜
  • 1篇复合膜
  • 1篇LPCVD

机构

  • 2篇中国科学院微...

作者

  • 2篇胥兴才
  • 2篇李兵
  • 2篇赵铃莉
  • 2篇谢常青
  • 2篇陈大鹏
  • 2篇韩敬东
  • 1篇叶甜春
  • 1篇董立军

传媒

  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2002
  • 1篇2001
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
LPCVD生长低应力氮化硅膜工艺研究
本文报道了在高温下采用LPCVD方法制备低应力,高透光率氮化硅薄膜的工艺过程.获得的薄膜在低应力,高透光率,以及成品率和重复性方面都有大幅度的提高.可广泛应用于X射线光刻掩模制造,微细加工等方面.
董立军陈大鹏韩敬东谢常青李兵赵铃莉胥兴才
关键词：氮化硅薄膜化学气相沉积
文献传递
LPCVD直接生长纳米硅镶嵌氮化硅复合膜及力学性能研究
采用LPCVD方法在石英管式炉内制备SiNx薄膜,衬底为双面抛光的P型<100>硅片,气源为SiH2Cl2和NH3,通过改变沉积温度和反应气体的质量流量比可得到不同的SiNx薄膜。对采用上述方法制备的SiNx进行背面光刻...
陈大鹏叶甜春谢常青李兵赵铃莉韩敬东胥兴才
文献传递
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