您的位置： 专家智库 > >

陶有迁

作品数：7 被引量：17H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇核科学技术

主题

  • 2篇射频
  • 2篇硅
  • 1篇电磁
  • 1篇电磁兼容
  • 1篇电磁兼容试验
  • 1篇电子产品
  • 1篇调制
  • 1篇调制器
  • 1篇盐雾
  • 1篇盐雾试验
  • 1篇增益
  • 1篇占空比
  • 1篇射频调制
  • 1篇射频调制器
  • 1篇砷化镓
  • 1篇砷化镓器件
  • 1篇声表面波
  • 1篇声表面波器件
  • 1篇中子
  • 1篇中子注量

机构

  • 7篇南京电子器件...
  • 1篇中国国防科技...

作者

  • 7篇陶有迁
  • 3篇王因生
  • 2篇丁晓明
  • 2篇傅义珠
  • 2篇金毓铨
  • 2篇娄书礼
  • 1篇盛国兴
  • 1篇李相光
  • 1篇王佃利
  • 1篇康小虎
  • 1篇韩钧
  • 1篇王志楠
  • 1篇施传贵
  • 1篇徐全胜

传媒

  • 3篇固体电子学研...
  • 1篇电子标准化与...
  • 1篇核电子学与探...
  • 1篇电子产品可靠...
  • 1篇光电子技术

年份

  • 2篇2011
  • 1篇2006
  • 1篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1995
共 7 条 记 录，以下是 1-7
全选 清除 导出
排序方式：
射频调制器的质量研究
1999年
简介了目前国内部分射频调制器的结构，通过测试、试验，对射频调制器的质量进行了分析，并对一些射频调制器器件进行试验研究。
陶有迁
关键词：射频调制器声表面波器件
超声雾化在盐雾试验中的应用被引量：5
2000年
提出将超声雾化应用于盐雾试验 ,在盐雾生成法上以超声雾化法取代气压喷射法 ,通过理论与试验探索了超声雾化法的可行性 。
陶有迁
关键词：环境试验盐雾试验超声雾化电子产品
GaAsFET辐射退化研究
1995年
低噪声ＧａＡｓＦＥＴ和功率ＧａＡＳＦＥＴ经中子辐射都未发生致命性的通或断失效。直流偏置状态下，其失效模式仅仅表现为源漏饱和电流Ｉ＿（ＤＳＳ）的退化降低，据此提出了Ｉ＿（ＤＳＳ）退化失效与快中子注量ф＿ｎ之间的解析关系式ｌｎｙ＝α＋ｂｌｎф＿ｎ。
娄书礼陶有迁
关键词：中子注量砷化镓器件
1．44～1．68GHz 220W硅微波脉冲功率晶体管被引量：1
2006年
王因生李相光傅义珠丁晓明王佃利盛国兴康小虎陶有迁
关键词：脉冲功率晶体管硅功率芯片功率增益占空比
关于半导体器件热特性表征和控制技术的研究被引量：5
2011年
根据对器件散热特性的分析,提出用特定脉宽的瞬态热阻抗表征器件的稳态散热特性。测量了特定器件热阻与温度的依赖关系,建议在实际工作中注意器件热阻并不为常数的客观事实。提出应力试验前后测量器件热阻可有效控制器件的某些制造缺陷。
金毓铨陶有迁王因生韩钧施传贵
关键词：半导体器件热特性
电磁兼容试验及试验方法研究被引量：1
1999年
介绍了电磁敏感度（ＥＭＳ）试验系统的筹建及自制设备的研制过程， 对试验方法进行了一些探讨。
陶有迁娄书礼
关键词：电磁兼容EMS系统
L波段硅脉冲功率管52000器件小时的脉冲射频加速寿命试验被引量：6
2011年
利用红外热像显微测量峰值结温方法对L波段硅脉冲功率晶体管在脉冲射频(f=1.3 GHz,Pin=40 W,τ=150μs,D=10%)和峰值结温220°C条件下进行52 000器件小时的脉冲射频加速寿命试验。由此估算出该功率管在峰值结温125°C和上述RF条件下,器件失效率λ≤1.59×10-7h-1。试验分析表明,采用本试验方法可以更真实地评估射频功率管的可靠性水平。
王因生陶有迁徐全胜金毓铨傅义珠丁晓明王志楠
关键词：峰值结温
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0