金毓铨
- 作品数：21 被引量：35H指数：5
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信经济管理理学一般工业技术更多>>
- GaAs MMIC抗静电能力研究被引量：6
- 1999年
- 用人体静电放电模拟器对以ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ为主要有源器件的ＭＭＩＣ的静电敏感度进行研究，叙述了在ＭＭＩＣ设计、工艺制作等环节防静电和提高ＭＭＩＣ抗静电能力的措施，采用这些措施后，低噪声ＭＭＩＣ静电损伤阈值达到５００～８００ Ｖ。
- 叶禹康孙伟东俞土法金毓铨
- 关键词：砷化镓MMIC抗静电微波集成电路
- 砷化镓PHEMT功率管高温加速寿命试验研究
- 2014年
- 通过解决温度提升、温度稳定控制、寄生振荡抑制等关键问题,使砷化镓PHEMT功率器件的高温加速寿命试验得以实施。经过2 832h试验,三个分组的样品均出现了失效。对样品的失效模式与机理进行了分析,并确定了失效原因。对试验数据进行分析得到了该器件的寿命分布与寿命加速特性,并对分析结论进行了验证。
- 贾东铭杨洋林罡金毓铨
- 关键词：砷化镓微波功率管
- 半导体器件检验中的结构相似技术
- 该文讨论结构相似器件的基本概念和检验中运用结构相似技术的几个问题。
- 金毓铨
- 关键词：半导体器件
- 文献传递
- 针对塑封微电路失效机理的使用对策
- 本文介绍美国军方和航天系统根据塑封微电路(PEM)的失效机理而采取的使用对策,包括可使用的场合,控制思路,质量保证措施等,可供我国制定在高可靠系统中采用PEM的政策时参考。
- 金毓铨戴爱节
- 文献传递
- 微波器件失效率快速试验方法研究
- 1993年
- 介绍了微波低噪声ＧａＡｓＦＥＴ恒定应力加速寿命试验结果，沟道温度Ｔｃｈ为１４５℃时，平均寿命ＭＴＴＦ为９．６４×１０＾６ｈ，最主要的失效模式是源漏饱和电流ＩＤｓｓ退化降低。建立了表征ＧａＡｓＦＥＴ稳定性的敏感参数ＩＤｓｓ的退化模型ＩｎＰ＝α＋ｂｌｎｔ，分析了ＩＤｓｓ退化与温度应力的加速关系。提出了快速推断器件可靠性的建议。
- 娄书礼龚朝阳金毓铨苏德青
- 关键词：可靠性微波器件
- GaAs微波功率FET可靠性评价技术研究被引量：4
- 1997年
- 为了使GaAs微波功率FET更可靠地应用于重要微波系统，选取高可靠器件生产线生产的CS0531型器件进行加速寿命试验，并研制了专用试验设备。观察到器件n因子随着试验时间有增大的趋势，初始低频噪声值与器件突然烧毁有一定的相关性。这一结果表明低频噪声有可能成为未来评价GaAs器件可靠性的一种方法。该器件失效机构激活能2．45eV，为道温度110℃时，10年平均失效率4Fit，平均寿命75137×1011h。
- 范国华刘晓平金毓铨吴亚洁颀世惠李祖华
- 关键词：可靠性功率FET砷化镓
- 工艺是提高产品质量的关键
- 本文介绍了工艺的定义,论述了工艺是提高产品质量的关键,并强调了加强关键工序和特种工序的管理以及产品生产过程的管理.
- 戴爱节金毓铨
- 关键词：产品质量工艺管理电子产品
- 文献传递
- 关于半导体器件热特性表征和控制技术的研究被引量：5
- 2011年
- 根据对器件散热特性的分析,提出用特定脉宽的瞬态热阻抗表征器件的稳态散热特性。测量了特定器件热阻与温度的依赖关系,建议在实际工作中注意器件热阻并不为常数的客观事实。提出应力试验前后测量器件热阻可有效控制器件的某些制造缺陷。
- 金毓铨陶有迁王因生韩钧施传贵
- 关键词：半导体器件热特性
- 半导体器件 分立器件 第4部分:微波器件
- 本标准给出了以下门类分立器件的标准: ——变容二极管、阶跃二极管和快速开关肖特基二极管(用于调谐、上变频器或谐波倍频器、开关、限幅器、移相器、参量放大器等) ——混频二极管和检波二极管 ——雪崩二极管(用于谐波发生...
- 黄玉英金毓铨
- 关键词：半导体半导体器件微波管
- 文献传递
- 针对塑封微电路失效机理的使用对策
- 本文介绍美国军方和航天系统根据塑封徽电路(PEM)的失效机理而采取的使用对策,包括可使用的场合,控制思路,质量保证措施等,可供我国制定在高可靠系统中采用PEM的政策时参考.
- 金毓铨戴爱节
- 关键词：电子元器件塑封微电路可靠性分析
- 文献传递
