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颜建锋
作品数:
16
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供职机构:
中国科学院上海光学精密机械研究所
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相关领域:
化学工程
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合作作者
陈志忠
北京大学
李士涛
北京大学
朱广敏
北京大学
齐胜利
北京大学
邓俊静
北京大学
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机构
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16篇
中文专利
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1篇
化学工程
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10篇
氮化镓
10篇
非极性
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金属有机物化...
8篇
化学气相淀积
8篇
GAN薄膜
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保护层
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高亮度
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氮化镓基材料
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氮气
2篇
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机构
14篇
上海蓝光科技...
10篇
中国科学院上...
6篇
北京大学
作者
16篇
颜建锋
2篇
陈诚
2篇
孙永健
2篇
潘尧波
2篇
郝茂盛
2篇
张国义
2篇
邓俊静
2篇
齐胜利
2篇
朱广敏
2篇
李士涛
2篇
陈志忠
年份
1篇
2012
4篇
2011
5篇
2010
6篇
2009
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16
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一种提高铝酸锂衬底上非极性a面GaN薄膜质量的方法
一种提高铝酸锂(302)面衬底上非极性a(11-20)面GaN薄膜质量的方法,在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中,在铝酸锂(LiAlO<Sub>2</Sub>)(302)面衬底上,在N<Sub>2</Sub>保...
周健华
潘尧波
颜建锋
郝茂盛
周圣明
杨卫桥
李抒智
马可军
文献传递
氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法
本发明提供了一种氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法,先用盐酸溶液浸泡去除金属镓,然后依次进行反应气氛为氮气或惰性气体的ICP预处理,反应气氛为氯气、四氯化硅和氩气的ICP处理,以及反应气氛为氧气和三氟甲烷的ICP后处理...
齐胜利
陈志忠
孙永健
张国义
郝茂盛
潘尧波
邓俊静
颜建锋
朱广敏
陈诚
李士涛
一种在铝酸锂衬底上生长非极性a面GaN薄膜的方法
一种在铝酸锂(302)面衬底上生长非极性a(11-20)面GaN薄膜的方法,在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中,在铝酸锂(LiAlO<Sub>2</Sub>)(302)面衬底上,在N<Sub>2</Sub>保护...
周健华
潘尧波
颜建锋
郝茂盛
周圣明
杨卫桥
李抒智
马可军
文献传递
一种绿光发光二极管的制造方法
本发明涉及一种绿光发光二极管的制造方法,其主要通过在外延生长InGaN/GaN量子阱中引入一层插入层的方法减少InGaN和GaN间的V型缺陷,并减少In组分的析出,从而获得高亮度的,抗静电能力强的绿光发光二极管。引入插入...
潘尧波
郝茂盛
颜建锋
周健华
张国义
文献传递
一种绿光发光二极管
本发明提供了一种绿光发光二极管,包括含一插入层的In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N/GaN多量子阱,其中0.15≤x≤0.35。所述插入层是In<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1-y</...
潘尧波
郝茂盛
颜建锋
周健华
张国义
文献传递
一种非极性GaN薄膜的生长方法
本发明涉及一种非极性氮化镓(GaN)薄膜的生长方法,其利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统在铝酸锂(LiAlO<Sub>2</Sub>)衬底上合成生长GaN薄膜,其中,在生长GaN薄膜之前,首先在铝酸锂衬底背面背...
周健华
郝茂盛
颜建锋
潘尧波
周圣明
文献传递
一种非极性GaN薄膜及其制备方法
本发明公开了一种非极性GaN薄膜及其制备方法。该薄膜包括:LiAlO<Sub>2</Sub>衬底以及在该衬底上依次生长的低温保护层、U-AlGaN层和高温U-GaN层。其制备方法包括如下步骤:步骤一,生长低温保护层:在M...
周健华
潘尧波
颜建锋
郝茂盛
周圣明
杨卫桥
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一种在铝酸锂衬底上生长非极性a面GaN薄膜的方法
一种在铝酸锂(302)面衬底上生长非极性a(11-20)面GaN薄膜的方法,在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中,在铝酸锂(LiAlO<Sub>2</Sub>)(302)面衬底上,在N<Sub>2</Sub>保护...
周健华
潘尧波
颜建锋
郝茂盛
周圣明
杨卫桥
李抒智
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一种绿光发光二极管的制造方法
本发明涉及一种绿光发光二极管的制造方法,其主要通过在外延生长InGaN/GaN量子阱中引入一层插入层的方法减少InGaN和GaN间的V型缺陷,并减少In组分的析出,从而获得高亮度的,抗静电能力强的绿光发光二极管。引入插入...
潘尧波
郝茂盛
颜建锋
周健华
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一种提高铝酸锂衬底上非极性a面GaN薄膜质量的方法
一种提高铝酸锂(302)面衬底上非极性a(11-20)面GaN薄膜质量的方法,在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中,在铝酸锂(LiAlO<Sub>2</Sub>)(302)面衬底上,在N<Sub>2</Sub>保...
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