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李士涛

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇氮化镓
  • 2篇氮化镓基材料
  • 2篇倒装
  • 2篇倒装结构
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇四氯化硅
  • 2篇氯化
  • 2篇氯化硅
  • 2篇化学机械抛光
  • 2篇机械抛光
  • 2篇激光
  • 2篇激光剥离
  • 1篇多量子阱
  • 1篇载流子
  • 1篇阻挡层
  • 1篇外量子效率
  • 1篇量子
  • 1篇量子效率
  • 1篇蓝光
  • 1篇蓝光发光二极...

机构

  • 3篇北京大学
  • 1篇上海蓝光科技...

作者

  • 3篇齐胜利
  • 3篇李士涛
  • 2篇陈诚
  • 2篇孙永健
  • 2篇潘尧波
  • 2篇郝茂盛
  • 2篇张国义
  • 2篇邓俊静
  • 2篇颜建锋
  • 2篇朱广敏
  • 2篇陈志忠

传媒

  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2008
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法
本发明提供了一种氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法，先用盐酸溶液浸泡去除金属镓，然后依次进行反应气氛为氮气或惰性气体的ICP预处理，反应气氛为氯气、四氯化硅和氩气的ICP处理，以及反应气氛为氧气和三氟甲烷的ICP后处理...
齐胜利陈志忠孙永健张国义郝茂盛潘尧波邓俊静颜建锋朱广敏陈诚李士涛
采用AlGaN/GaN多量子势垒阻挡层的大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管
大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下由于载流子泄露而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在P型GaN和InGaN/GaN多量了阱(MOW)有源区之间插入...
齐胜利陈诚李士涛陈志忠潘尧波郝茂盛邓俊静田朋飞张国义颜建锋朱广敏
关键词：发光二极管外量子效率
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氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法
本发明提供了一种氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法，先用盐酸溶液浸泡去除金属镓，然后依次进行反应气氛为氮气或惰性气体的ICP预处理，反应气氛为氯气、四氯化硅和氩气的ICP处理，以及反应气氛为氧气和三氟甲烷的ICP后处理...
齐胜利陈志忠孙永健张国义郝茂盛潘尧波邓俊静颜建锋朱广敏陈诚李士涛
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