朱惜辰
- 作品数：27 被引量：102H指数：6
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 一种测定MCT单晶表面损伤层厚度的方法——MCT多晶化形变研究之二被引量：1
- 1990年
- 介绍在对碲镉汞单晶片进行表面损伤的研究中观察到研磨会导致单晶片的多晶化和形变织构。应用X射线与单晶和多晶体的互作用原理,测定了多晶化形交层的厚度。
- 唐家钿杨雄超顾里平朱惜辰阚家德袁波莫威
- 关键词：碲镉汞厚度MCT
- 用叠盖电极光导探测器求材料双极迁移率
- 理论求解了非对称叠盖电极结构光电导体(探测器)中非平衡载流于分布,以及方向相反的外加偏置电场下探测器的输出信号,两者的比值与外激发无关.通过测量不同方向上信号与电场强度的关系,可以确定材料中载流于双极迁移率.
- 杨文运朱惜辰赵鹏
- 关键词：光电导探测器叠盖电极
- 文献传递
- 长波光导HgCdTe探测器的输运特性被引量：3
- 1996年
- 测量了长波光导ＨｇＣｄＴｅ线列探测器在１．２～３００Ｋ的电阻率－温度（Ｒ－Ｔ）特性，结果表明：高性能和低性能探测元的Ｒ－Ｔ特性明显不同，前者有与正常ＨｇＣｄＴｅ材料Ｒ－Ｔ关系相似的变化规律，后者则与简并ＨｇＣｄＴｅ材料相似．
- 蔡毅郑国珍朱惜辰郭少令汤定元
- 关键词：HGCDTE光导探测器输运特性
- 多元HgCdTe线列探测器的同步辐射形貌术分析被引量：1
- 1994年
- 利用同步辐射拍摄了长波光导多元HgCdTe探测器芯片的高分辨率的白光形貌相,观察到多元线列器件探测元中明显存在晶格应变区、亚晶界、滑移面等缺陷.实验结果表明:多元线列器件探测元的性能与其光敏区HgCdTe材料中的晶体缺陷密切相关,器件工艺对HgCdTe晶片的应力状态有极大的影响,器件工艺对材料的应力作用可从多元器件探测元晶格的完整性反映出来.
- 蔡毅郑国珍汤定元朱惜辰蒋建华
- 关键词：HGCDTE
- SPRITE探测器的噪声
- 1990年
- 在Mullard公司生产的Hg_(0·8)Cd_(0·2)Te SPRITE探测器上的噪声测量表明:低频范围是典型的1/f噪声并遵从Hooge规律,得到80K时的Hooge参量a_H为3.4×10^(-5)。非平衡载流子的扫出不影响1/f噪声。在30V/cm的场强下读出电极和偏置电极的噪声低频拐角频率分别是1.5kHz和500Hz,由偏置电极噪声高频截止得载流子寿命为1.6μs。中间频率区偏止电极噪声输出遵从一般g-r噪声规律,而读出区噪声因其几何结构特殊电场分布不匀而偏离理论计算。
- 朱惜辰
- 关键词：红外探测器噪声
- 由黑体D_(bb)~*确定峰值D_λ~*以及黑体波段D_(△λ)~*——G因子的计算被引量：3
- 2005年
- 介绍了G因子的概念和确定方法。常规黑体Dbb*和相对光谱响应测量结果加上黑体辐射特性数*据便可计算G因子。同时介绍了波段G因子及其计算方法。
- 康蓉李立华彭曼泽刘一民朱惜辰
- 关键词：G因子波段相对光谱响应黑体辐射
- 多元光导HgCdTe探测器均匀性的评价被引量：1
- 1998年
- 讨论了多元光导ＨｇＣｄＴｅ线列探测器性能参数的均匀性评价问题，对器件性能的测量数据进行了分析。认为在某种探测器规范的条件限制下，多元光导ＨｇＣｄＴｅ探测器探测元的性能参数分布不满足Ｇａｕｓｓ分布，因而用标准偏差来衡量器件性能参数的均匀性是不适宜的；根据分析结果提出了一个相应的评价参数。
- 蔡毅梁宏林姚英朱惜辰顾伯奇
- 关键词：碲镉汞光导探测器红外光学材料
- Pt/CdSSchottky势垒紫外探测器的研制被引量：9
- 2006年
- 介绍了Pt/CdS金属半导体接触Schottky势垒形成及In/CdS的欧姆接触工艺研究,由此制成了紫外探测器。测试了探测器的I-V特性,零偏下的光谱响应和器件的频率响应。观察了器件的反偏响应情况。获得的探测器在λ=440 nm处加两伏反偏时的响应率为0.17A/W,内量子效率最大可达64%。
- 秦强朱惜辰杨文运
- 关键词：紫外探测器肖特基势垒CDS
- 采用叠盖电极的高级长波60元光导探测器被引量：2
- 2001年
- 介绍一种采用叠盖电极制备高级长波 6 0元探测器的方法 ,并进行了较深入的实验 ,证明此方法是一种行之有效的提高光导探测器的技术。并在此基础上 ,确定了器件的最佳工作条件 ,而且证明应用有叠盖电极的器件是有方向性的。
- 赵鹏杨文运程进江军康蓉朱惜辰
- 关键词：叠盖电极光导探测器
- 碲镉汞小晶片缺陷的同步辐射形貌相分析被引量：1
- 1995年
- 在北京正负电子对撞机国家实验室，用同步辐射拍摄了制备长波光导多元碲镉汞红外探测器的小晶片（面积小于１ｍｍ２）的高分辨率白光形貌相。实验结果表明：在碲镉汞小晶片中存在相当多的晶体缺陷，如亚晶界和晶格畸变区等。这些缺陷的存在说明样品受到较强的应力作用，样品晶格的完整性实际上反映了碲镉汞晶体生长和器件制备技术的应力控制水平。根据晶格的畸变模型，讨论了多元线列器件的性能与碲镉汞材料缺陷的关系。
- 蔡毅郑国珍朱惜辰蒋建华汤定元
- 关键词：碲镉汞红外探测器
