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梁宏林

作品数：12 被引量：28H指数：3
供职机构：昆明物理研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 9篇探测器
  • 8篇光导
  • 6篇碲镉汞
  • 6篇光导探测器
  • 5篇红外
  • 4篇红外探测
  • 3篇红外探测器
  • 3篇HGCDTE...
  • 3篇长波
  • 2篇电阻
  • 2篇碲镉汞探测器
  • 2篇HGCDTE
  • 2篇长波光导
  • 1篇电子学
  • 1篇性能分析
  • 1篇通用组件
  • 1篇图象
  • 1篇图象处理
  • 1篇热像仪
  • 1篇自动化

机构

  • 12篇昆明物理研究...

作者

  • 12篇梁宏林
  • 7篇姚英
  • 6篇蔡毅
  • 6篇朱惜辰
  • 1篇杨文运
  • 1篇郑为建
  • 1篇欧明娣
  • 1篇顾伯奇
  • 1篇马智玲

传媒

  • 7篇红外技术
  • 3篇红外与毫米波...
  • 1篇红外与激光技...
  • 1篇95年全国夜...

年份

  • 1篇1998
  • 3篇1997
  • 3篇1996
  • 2篇1995
  • 2篇1994
  • 1篇1989
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
长波光导60元碲镉汞红外探测器通用组件被引量：3
1996年
报道了工程化长波光导６０无碲镉汞红外探测器组件研制的结果，该组件由探测器芯片、杜瓦和制冷器组成。探测器组件的主要指标达到：ＤＢ＝１．７×１Ｏ１０ＣｍＨｚ１／２／ＷＶＢ＝１６×１０４Ｖ／Ｗ。组件的体积小，重量轻，并达到了国军标所规定的红外探测器高、低温实验，温度循环实验，振动实验和冲击等环境实验的要求。
朱惜辰梁宏林杨文运
关键词：碲镉汞长波光导红外探测器
长波HgCdTe光导探测器液氮温度电阻和室温电阻比值计算被引量：1
1997年
研究了长波ＨｇＣｄＴｅ光导探测器液氮温度电阻和室温电阻比值计算问题。结果表明：制成器件后，表面电导、材料电导率的变化和背景辐射都将使器件液氮温度的电阻减小，进行这三项修正后。
蔡毅姚英梁宏林
关键词：光导探测器碲镉汞
测温二极管及其温度特性的自动化测试被引量：2
1989年
介绍了测温二极管的工作原理,特性,用途以及计算机控制的自动化测试系统,并给出测试结果。
梁宏林马智玲李凌
关键词：二极管温度
多元光导HgCdTe探测器均匀性的评价被引量：1
1998年
讨论了多元光导ＨｇＣｄＴｅ线列探测器性能参数的均匀性评价问题，对器件性能的测量数据进行了分析。认为在某种探测器规范的条件限制下，多元光导ＨｇＣｄＴｅ探测器探测元的性能参数分布不满足Ｇａｕｓｓ分布，因而用标准偏差来衡量器件性能参数的均匀性是不适宜的；根据分析结果提出了一个相应的评价参数。
蔡毅梁宏林姚英朱惜辰顾伯奇
关键词：碲镉汞光导探测器红外光学材料
磨抛工艺中HgCdTe晶片的表面损伤被引量：10
1994年
用Ｘ射线反射形貌术研究了磨抛工艺在用Ｔｅ溶剂法和布里奇曼法生长的碲镉汞晶片表面引入的损伤，发现精磨精抛的ＨｇＣｄＴｅ晶片表面的损伤结构与切割、粗磨造成的损伤结构明显不同。根据实验结果分析，认为机械划痕是精磨精抛过程中的主要损伤结构，并提出一个新的表面损伤模型──表面不完全损伤模型。用Ｘ射线形貌相测出了精磨精抛ＨｇＣｄＴｅ晶片表面的平均损伤和最大损伤深度。结合压痕实验，确定了机械划痕周围的晶格应变区是高密度位错增殖区；在特定条件下，测出两者之间的比值约为５。最后讨论了最大损伤深度和平均损伤深度对探测器性能的影响。
姚英蔡毅欧明娣梁宏林朱惜辰
关键词：红外探测器
变温长波碲镉汞光电导现象研究被引量：3
1996年
报道了ｎ型Ｈｇ０．８Ｃｄ０．２Ｔｅ光电导体的变温材料参数与性能参数的对照关系，并讨论了材料的锭条参数与小芯片霍耳参数的差异，得到一组光电导的实验优化数据．实测小芯片载流子浓度ｎ≈１．８×１０１５ｃｍ－３，这与高性能器件实测值的倒推数值一致。
郑为建朱惜辰梁宏林保红珍
关键词：HGCDTE光电子学
光导HgCdTe探测器电阻和性能的关系被引量：2
1996年
为描述光导ＨｇＣｄＴｅ探测器低温与室温不同的导电机构，本文定义了一个易于测量的参数γ——液氮温度与室温电阻之比．实验结果表明：多数情况下。
姚英梁宏林
关键词：HGCDTE光导探测器红外探测
光导器件及其背景限探测度被引量：2
1994年
本文就ＭＣＴ光导型探测器作一总结性的讨论，对光导器件的扫出问题作了更详尽的阐述，并定义了扫出因子。关于背景限探测度提出了新的见解，认为背景限探测度不是不可逾越。
梁宏林朱惜辰
关键词：红外探测器光导器件
背景辐射对光导HgCdTe探测器电阻的影响
1997年
测量了室温和液氮背景辐射条件下长波光导ＨｇＣｄＴｅ探测器的电阻，从电阻的变化研究了背景辐射对器件电阻的影响，结果表明：在高性能探测器中，室温背景辐射造成探测器电阻的相对变化量约为１０％，而且。
姚英蔡毅梁宏林
关键词：光导探测器
多元光导碲镉汞探测器的电串音被引量：5
1997年
讨论了一个多元光导碲镉汞探测器电串音的物理模型，理论计算表明，探测元电串音的大小为（Ｎ－１）Ｒｅ／Ｒｂ。
梁宏林蔡毅姚英
关键词：碲镉汞光导探测器热像仪
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