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李学信

作品数：19 被引量：17H指数：3
供职机构：北京工业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 14篇电子电信

主题

  • 7篇晶体管
  • 5篇欧姆接触
  • 5篇半导体
  • 5篇半导体器件
  • 4篇砷化镓
  • 4篇金属化
  • 4篇AU
  • 3篇微波器件
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应晶体管
  • 3篇N-GAAS
  • 2篇电流增益
  • 2篇电压
  • 2篇电子器件
  • 2篇增益
  • 2篇砷化镓场效应...
  • 2篇势垒
  • 2篇双极晶体管
  • 2篇温度测试
  • 2篇温度系数

机构

  • 17篇北京工业大学
  • 1篇北京航空航天...
  • 1篇电子部
  • 1篇济南市半导体...
  • 1篇济南半导体元...

作者

  • 19篇李学信
  • 15篇程尧海
  • 12篇李志国
  • 12篇孙英华
  • 9篇吉元
  • 9篇郭伟玲
  • 6篇张炜
  • 3篇赵瑞东
  • 2篇吕长志
  • 2篇冯士维
  • 2篇李志勇
  • 2篇王明珠
  • 2篇丁广钰
  • 2篇严永鑫
  • 2篇李静
  • 2篇王重
  • 1篇徐学东
  • 1篇戴慈庄
  • 1篇张斌
  • 1篇王继春

传媒

  • 5篇半导体技术
  • 2篇Journa...
  • 2篇北京工业大学...
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇电子产品可靠...
  • 1篇微电子学
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇2005
  • 2篇1997
  • 8篇1996
  • 3篇1995
  • 3篇1994
  • 1篇1992
  • 1篇1990
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaAs　MESFET中肖特基势垒接触退化机理的研究
1996年
本文对Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ａｕ作为栅金属的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ进行了四种不同的应力试验：１．高温反偏（ＨＴＲＢ）；２．高压反偏（ＨＲＢ）；３．高温正向大电流（ＨＦＧＣ）；４．高温存贮（ＨＴＳ）．通过ＨＲＢ，ΦＢ从０．６４ｅＶ减少到０．６２ｅＶ，理想因子ｎ略有增大．ＨＴＳ试验中ΦＢ从０．６７ｅＶ增加到０．６９ｅＶ．分析表明，这归因于界面氧化层的消失，以及Ｔｉ与ＧａＡｓ的反应；ＨＦＧＣ试验结果表明其主要的失效模式为烧毁，ＳＥＭ观察中有电徙动及断栅现象发生．ＡＥＳ分析表明。应力试验后的样品，肖特基势垒接触界面模糊，有明显的互扩散和反应发生．
李志国赵瑞东孙英华吉元程尧海郭伟玲王重李学信
关键词：MESFET砷化镓肖特基势垒场效应晶体管
n－GaAsTi／Mo／Ti／Au中肖特基势垒接触稳定性的研究
1996年
对Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ａｕ作为栅金属的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ进行了高温反偏（ＨＴＲＢ）、高压反偏（ＨＲＢ）、高温正向大电流（ＨＦＧＣ）、高温存贮（ＨＴＳ）４种不同的应力试验。通过ＨＲＢ，φｂ从０．６４ｅＶ减少到０．６２ｅＶ，理想因子ｎ略有增大，ＨＴＳ试验中φｂ从０．６７ｅＶ增加到０．６９ｅＶ。分析表明，这归因于界面氧化层的消失，以及Ｔｉ与ＧａＡｓ的反应；ＨＦＧＣ试验结果表明，其主要的失效模式为烧毁，同时，ＳＥＭ观察中也有电徙动及断栅现象发生。ＡＥＳ分析表明，应力试验后的样品，其肖特基势垒接触界面出现模糊，有明显的互扩散和反应发生。
李志国赵瑞东程尧海吉元郭伟玲孙英华李学信张斌吕振中
关键词：砷化镓肖特基势垒
高电迁徒阻力的多层金属化结构及其设计方法
一种高电迁徙阻力的多层金属化结构及其设计方法属于VLSI，ULSI及微波器件金属化结构的制造技术领域，其特征在于：在离SiO<Sub>2</Sub>绝缘层欧姆接触窗口的一个回流长度处在底层导电层Al-1％Si上开有一个尽...
张炜李志国程尧海李学信孙英华
文献传递
LY8006型高频高反压大功率硅PNP晶体管的研制
1994年
ＬＹ８００６型高频高反压大功率硅ＰＮＰ晶体管研制成功，其双结反向击穿电压ＢＶ＿（ｃｅｏ）≥８００Ｖ，耗散功率Ｐ＿Ｄ＝２０Ｗ，特征频率ｆ＿Ｔ≥２５ＭＨｚ，达到同类器件的国际先进水平。本文重点介绍该器件的技术难点、设计思路及推广应用前景。
王继春谢嘉慧卞岩李学信程尧海
关键词：PNP晶体管大功率硅晶体管
Au／AuGeNi／n－GaAs欧姆接触失效机理的研究
1995年
本文对Ａｕ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ欧姆接触进行了三种不同的应力试验：（１）高温存储（ＨＴＳ），（２）常温大电流（ＨＣ），（３）高温适当电流。试验结果表明，三种试验均造成了实验后期欧姆接触电阻增大，最后导致欧姆接触失效。ＡＥＳ分析表明，试验后的样品发生了Ｎｉ，Ａｕ和ＧａＡｓ的互扩散。
李志国李静孙英华吉元程尧海严永鑫李学信
关键词：欧姆接触半导体器件
n-GaAs Ti/Mo/Ti/Au肖特基势垒接触失效机理的研究被引量：3
1995年
为了弄清界面态、电徙动、界面扩散及反应对肖特基势垒接触和器件电学特性的影响,我们对以Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAs MESFET进行了四种不同的应力试验:1.常温反偏(HRB)。2.高温反偏(HTRB)。3.高温正向大电流(HFGC)。4.高温贮存(HTS)。HRB试验中从0.64eV减少到0.62eV,理想因子n略有增大。HTS试验中Φ_b从0.67eV增加到0.69eV。分析表明,这归因于界面氧化层的消失,以及Ti与GaAs的反应;HFGC试验结果表明其主要的失效模式为烧毁,其次为电徙动及断栅现象。AES分析表明,应力试验后的样品,其肖特基势垒接触界面发生模糊,有明显的互扩散和反应发生。
李志国赵瑞东李学信郭伟玲程尧海张斌
关键词：化合物半导体半导体器件
双极晶体管h_（FE）低温失效分析及使用可靠性被引量：3
1996年
论述了影响双极晶体管电流增益ｈ_（ＦＥ）低温下降的重掺杂效应，结合具体器件测试并计算出了ｈ_（ＦＥ）的低温下降值，对实测值与计算值的差异进行了分析。最后指出了改进ｈ_ＦＥ温度特性的具体途径。
李志国程尧海孙英华郭伟玲李学信李志勇戴慈壮
关键词：电流增益可靠性双极晶体管
双极型微波器件失效分析与改进被引量：2
1996年
针对浅结器件欧姆接触退化问题，利用３ＤＧ４４、３ＤＧ８６微波管进行研究分析，发现其ＥＢ结失效非常严重，并且结越浅对高温工艺越敏感，经ＳＥＭ显微分析表明，失效机理为发射区处Ａｌ、Ｓｉ的互扩散，Ａｌ离子进入发射区。将新型金属化系统Ａｌ／ＴＩＮ／Ｔｉ用于实际器件，ＴｉＮ有效地阻止了Ａｌ、Ｓｉ的互扩散，其ＥＢ结特性明显改善，成品率和可靠性显著提高。
孙英华李志国程尧海吉元张炜李学信穆德成
关键词：微波器件欧姆接触
砷化镓场效应晶体管沟道温度测试方法
砷化镓场效应晶体管沟道温度测试方法属于半导体器件测试技术领域。其特点是：分别在工作状态下加有加热脉冲电压的栅极负偏压以及只加有栅极负偏压且其管芯温度与环境温度相等的条件下测出器件向测量状态转换时的Vgsf与t的曲线和只加...
吕长志王明珠王重冯士维丁广钰李学信
文献传递
砷化镓场效应晶体管沟道温度测试方法
砷化镓场效应晶体管沟道温度测试方法属于半导体器件测试技术领域。其特点是：分别在工作状态下加有加热脉冲电压的栅极负偏压以及只加有栅极负偏压且其管芯温度与环境温度相等的条件下测出器件向测量状态转换时的Vgsf与t的曲线和只加...
吕长志王明珠王重冯士维丁广钰李学信
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