施斌
- 作品数：13 被引量：14H指数：3
- 供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 量子点的形成对Si/Ge界面互扩散的影响
- 2002年
- 在Si(10 0 )衬底上低温生长了一层完全应变的Ge层 ,高温退火形成量子点 .我们用喇曼光谱研究了量子点形成时Si/Ge界面的互扩散现象 ,实验表明量子点的形成伴随着Si/Ge原子之间的互扩散 ,通常在Si衬底上形成的是SiGe合金量子点 ,而不是纯Ge量子点 .
- 周星飞施斌胡冬枝樊永良龚大卫蒋最敏
- 关键词：量子点分子束外延硅衬底喇曼光谱
- 一种低损耗SiGe脊形光波导的结构和设计被引量：2
- 1999年
- 本文提出了一种Ｇｅ 含量在波导厚度方向渐变的ＳｉＧｅ 光波导，对这种波导进行了模式分析，给出了进行单模波导设计的方法，并与成分均匀的ＳｉＧｅ 光波导进行了传输损耗的比较。
- 施斌蒋最敏王迅
- 关键词：锗化硅脊形波导
- 折射率反转型硅基平面光波导
- 施斌
- GeSi量子点的微结构和能带排列
- 本文利用同步辐射光源对Si(001)衬底上自组织生长的单层和多层量子点的微结构进行了研究,利用掠入射X射线衍射结合常规X射线同时测量出量子点的组分和应变.
- 蒋最敏蒋伟荣施斌樊永良王迅
- 关键词：微结构
- 文献传递
- X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层
- 2001年
- 利用双晶单色器和精密二圆衍射仪，在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术，并用这一实验技术结合X射线衍射方法，研究了Si晶体中外延生长的起薄Ge原于层的微结构。实验结果表明，由于Ge原予的偏析，在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层，浓度平均值为x≈0.13；650℃退大会使Ge原予向表面扩散，Si晶体中的合金层消失，在晶体表面形成接近纯Ge的单原于层。
- 姜晓明贾全杰胡天斗黄宇营郑文莉何伟冼鼎昌施斌蒋最敏王
- 关键词：半导体硅晶体锗
- Ge/Si(100)界面互扩散的喇曼光谱被引量：5
- 2000年
- 利用喇曼光谱研究了不同温度下在 Si(1 0 0 )衬底上异质外延 Ge层由于扩散引起的 Ge/Si异质结界面互混以及表面活化剂 Sb对其的影响 .结果表明表面活化剂 Sb的存在大大抑制了界面的互扩散 ,在 650℃下也没有观察到明显的界面互混 .没有 Sb时 ,在 50 0℃下已存在一定程度的界面互混 ,界面互混程度随外延层生长温度的增高而增强 .
- 蒋伟荣周星飞施斌胡冬枝刘晓晗蒋最敏张翔九
- 关键词：互扩散硅锗喇曼光谱
- Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长被引量：4
- 2002年
- 研究了 Si(0 0 1)面偏 [110 ]方向 6°斜切衬底上 Ge量子点的固相外延生长 .实验结果表明 ,在 Si(0 0 1) 6°斜切衬底上固相外延生长 Ge量子点的最佳退火温度为 6 4 0℃ ,在斜切衬底上成岛生长的临界厚度低于在 Si(0 0 1)衬底成岛生长的临界厚度 ,6°斜切衬底上淀积 0 .7nm Ge即可成岛 ,少于 Si(0 0 1)衬底片上 Ge成岛所需的淀积量 .从 Ge量子点的密度随固相外延温度的变化曲线 ,得到 Ge量子点的激活能为 1.9e V,远高于 Si(111)面上固相外延 Ge量子点的激活能 0 .3e V.实验亦发现 ,在 Si(0 0 1)斜切衬底上固相外延生长的 Ge量子点较 Si(0 0 1)
- 胡冬枝赵登涛蒋伟荣施斌顾骁骁张翔九蒋最敏
- 关键词：量子点固相外延锗
- Si(001)斜切衬底片上Ge量子点的固相外延生长
- 本文研究了Si(001)6°斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长,同时对Si(001)斜切衬底片上固相外延Ge最子点的稳定性进行了研究.
- 胡冬枝赵登涛蒋伟荣施斌顾骁骁张翔九蒋最敏
- 关键词：固相外延生长GE量子点SI衬底稳定性
- 文献传递
- GeSi量子点生长及物理特性
- 蒋最敏周星飞施斌胡冬枝
- 关键词：GESI量子点材料
- 同步辐射X射线驻波实验技术研究半导体超薄异质外延层
- 2000年
- 利用双晶单色器和精密二圆衍射仪，在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术，并用这一实验技术结合X射线衍射方法，研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构。实验结果表明，由于Ge原子的偏析，在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层，浓度平均值为X=0．13；650℃退火会使Ge原子向表面扩散，Si晶体中的合金层消失，在晶体表面形成接近纯Ge的单原子层。
- 姜晓明施斌等
- 关键词：硅晶体
