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施斌

作品数:13 被引量:14H指数:3
供职机构:复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 5篇量子
  • 5篇量子点
  • 4篇
  • 4篇衬底
  • 3篇晶体
  • 3篇喇曼
  • 3篇喇曼光谱
  • 3篇光谱
  • 3篇硅晶
  • 3篇硅晶体
  • 3篇GE量子点
  • 2篇固相外延
  • 2篇固相外延生长
  • 2篇硅衬底
  • 2篇分子束
  • 2篇SI(001...
  • 2篇SI(100...
  • 1篇低损耗
  • 1篇底片
  • 1篇折射率

机构

  • 13篇复旦大学
  • 3篇中国科学院
  • 1篇宁波大学

作者

  • 13篇施斌
  • 11篇蒋最敏
  • 7篇胡冬枝
  • 5篇周星飞
  • 4篇张翔九
  • 3篇姜晓明
  • 3篇王迅
  • 3篇樊永良
  • 2篇黄宇营
  • 2篇贾全杰
  • 2篇赵登涛
  • 2篇龚大卫
  • 2篇何伟
  • 2篇冼鼎昌
  • 2篇刘晓晗
  • 2篇郑文莉
  • 2篇胡天斗

传媒

  • 5篇Journa...
  • 2篇第六届全国分...
  • 2篇第五届全国分...
  • 1篇高能物理与核...
  • 1篇北京同步辐射...
  • 1篇Beijin...
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 2篇2002
  • 4篇2001
  • 3篇2000
  • 4篇1999
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
量子点的形成对Si/Ge界面互扩散的影响
2002年
在Si(10 0 )衬底上低温生长了一层完全应变的Ge层 ,高温退火形成量子点 .我们用喇曼光谱研究了量子点形成时Si/Ge界面的互扩散现象 ,实验表明量子点的形成伴随着Si/Ge原子之间的互扩散 ,通常在Si衬底上形成的是SiGe合金量子点 ,而不是纯Ge量子点 .
周星飞施斌胡冬枝樊永良龚大卫蒋最敏
关键词:量子点分子束外延硅衬底喇曼光谱
一种低损耗SiGe脊形光波导的结构和设计被引量:2
1999年
本文提出了一种Ge 含量在波导厚度方向渐变的SiGe 光波导,对这种波导进行了模式分析,给出了进行单模波导设计的方法,并与成分均匀的SiGe 光波导进行了传输损耗的比较。
施斌蒋最敏王迅
关键词:锗化硅脊形波导
折射率反转型硅基平面光波导
施斌
GeSi量子点的微结构和能带排列
本文利用同步辐射光源对Si(001)衬底上自组织生长的单层和多层量子点的微结构进行了研究,利用掠入射X射线衍射结合常规X射线同时测量出量子点的组分和应变.
蒋最敏蒋伟荣施斌樊永良王迅
关键词:微结构
文献传递
X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层
2001年
利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的起薄Ge原于层的微结构。实验结果表明,由于Ge原予的偏析,在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层,浓度平均值为x≈0.13;650℃退大会使Ge原予向表面扩散,Si晶体中的合金层消失,在晶体表面形成接近纯Ge的单原于层。
姜晓明贾全杰胡天斗黄宇营郑文莉何伟冼鼎昌施斌蒋最敏
关键词:半导体硅晶体
Ge/Si(100)界面互扩散的喇曼光谱被引量:5
2000年
利用喇曼光谱研究了不同温度下在 Si(1 0 0 )衬底上异质外延 Ge层由于扩散引起的 Ge/Si异质结界面互混以及表面活化剂 Sb对其的影响 .结果表明表面活化剂 Sb的存在大大抑制了界面的互扩散 ,在 650℃下也没有观察到明显的界面互混 .没有 Sb时 ,在 50 0℃下已存在一定程度的界面互混 ,界面互混程度随外延层生长温度的增高而增强 .
蒋伟荣周星飞施斌胡冬枝刘晓晗蒋最敏张翔九
关键词:互扩散喇曼光谱
Si(001)斜切衬底片上Ge量子点的固相外延生长
本文研究了Si(001)6°斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长,同时对Si(001)斜切衬底片上固相外延Ge最子点的稳定性进行了研究.
胡冬枝赵登涛蒋伟荣施斌顾骁骁张翔九蒋最敏
关键词:固相外延生长GE量子点SI衬底稳定性
文献传递
Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长被引量:4
2002年
研究了 Si(0 0 1)面偏 [110 ]方向 6°斜切衬底上 Ge量子点的固相外延生长 .实验结果表明 ,在 Si(0 0 1) 6°斜切衬底上固相外延生长 Ge量子点的最佳退火温度为 6 4 0℃ ,在斜切衬底上成岛生长的临界厚度低于在 Si(0 0 1)衬底成岛生长的临界厚度 ,6°斜切衬底上淀积 0 .7nm Ge即可成岛 ,少于 Si(0 0 1)衬底片上 Ge成岛所需的淀积量 .从 Ge量子点的密度随固相外延温度的变化曲线 ,得到 Ge量子点的激活能为 1.9e V,远高于 Si(111)面上固相外延 Ge量子点的激活能 0 .3e V.实验亦发现 ,在 Si(0 0 1)斜切衬底上固相外延生长的 Ge量子点较 Si(0 0 1)
胡冬枝赵登涛蒋伟荣施斌顾骁骁张翔九蒋最敏
关键词:量子点固相外延
同步辐射X射线驻波实验技术研究半导体超薄异质外延层
2000年
利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构。实验结果表明,由于Ge原子的偏析,在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层,浓度平均值为X=0.13;650℃退火会使Ge原子向表面扩散,Si晶体中的合金层消失,在晶体表面形成接近纯Ge的单原子层。
姜晓明施斌
关键词:硅晶体
Ge/Si(100)界面互扩散的喇曼光谱研究
利用喇曼光谱研究了不同温度下在Si(100)衬底上异质外延Ge层由于扩散引起的Ge/Si异质结界面互混以及表面活化剂Sb对其的影响。结果表明表面活化剂Sb的存在大大抑制了界面的相互扩散,在650℃下也没有观察到明显的界面...
蒋伟荣周星飞施斌胡冬枝刘晓晗蒋最敏
关键词:喇曼光谱
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