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赵宏卫

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：东南大学更多>>
相关领域：电子电信医药卫生理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇医药卫生
  • 1篇理学

主题

  • 2篇真空微电子
  • 2篇平板显示
  • 2篇平板显示器
  • 2篇显示器
  • 2篇场致发射
  • 1篇电特性
  • 1篇电子器件
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇有限差分
  • 1篇有限差分法
  • 1篇真空微电子器...
  • 1篇真空微电子学
  • 1篇三极管
  • 1篇数值模拟
  • 1篇热稳定
  • 1篇热稳定性
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子器件
  • 1篇微电子学

机构

  • 6篇东南大学
  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 6篇赵宏卫
  • 4篇王保平
  • 4篇童林夙
  • 3篇汪琛
  • 1篇尹涵春
  • 1篇黄仲平
  • 1篇童林夙

传媒

  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇应用科学学报
  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇1998
  • 3篇1997
  • 1篇1995
  • 1篇1994
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
新型T形边缘场致发射器件的静电分析
1998年
对一种新型Ｔ形边缘场致发射体进行了静电分析，给出了一个三极管单元的数值计算结果．在静电场的计算中采用了一种新的数值方法——非正交有限差分算法，由于所取坐标轴与边界重合，所以该方法能有效地处理任意形状的场致发射体．文中给出了场强及发射电流与几何结构因子的关系曲线、轨迹图及ＩＶ特性曲线。
汪琛赵宏卫尹涵春王保平童林夙
关键词：T形平板显示器
真空微电子器件发射稳定性和可靠性概述
1995年
解决真空微电子器件的稳定性和寿命问题，可以扩大场致发射器件的应用范围。本文概述了影响真空微电子场致发射阴极阵列（ＦＥＡ）发射稳定性的几个因素，认为阴极材料和功函数是决定真空微电子器件发射稳定性的主要因素。最后提出了解决发射稳定的几个建议。
赵宏卫王保平童林夙
关键词：真空微电子器件稳定性可靠性
视黄醛在视觉过程中的构型变化和光电特性的研究
赵宏卫
边缘场致发射体的非正交有限差分算法模拟
1997年
对边缘切致发射三极管进行了模拟，采用的模型为“鸡尾酒杯”结构。在静电分析中引入了一种新的数值计算方法──非正交曲线坐标系下的有限差分算法。由于取的坐标轴与边界重合。所以该方法能有效地处理任意形状的场致发射体。给出了电场强度和发射电流与几何因子的关系及I－U特性曲线。
汪琛赵宏卫王保平童林夙
关键词：真空微电子学场致发射有限差分法CAD
掺砷多晶硅边缘场发射阴极阵列的特性研究
1997年
提出了一种T形结构的边缘场发射阴极，它具有比通常的场发射体的发射面积大得多的特点。首次采用低压化学气相沉积技术生长内层重掺砷、外层较掺砷的多晶硅薄膜；利用氢氟酸／硝酸／冰醋酸腐蚀液对不同掺砷浓度多晶硅选择性腐蚀的特点，成功制备了T形结构的多晶硅边缘场发射阵列（FEA）；本方法对于制备类似结构的边缘场发射器件有意义。在此基础上建立了三极管几何模型，最后采用有限差分法对该三极管模型进行了静电分析。
赵宏卫汪琛黄仲平王保平童林夙
关键词：场致发射阵列多晶硅平板显示器
新型硅边缘和多尖场致发射阴极阵列及其三极管的制备与特性研究
赵宏卫
关键词：场发射阵列数值模拟热稳定性
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